公开(公告)号：TW201911478A

公开(公告)日：2019-03-16

申请号：TW107126439

申请日：2018-07-31

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO ,  本多大章 ,  HONDA, HIROAKI ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU

IPC: H01L21/786 ,  H01L23/522

Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是提供一種具有良好的電特性的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，該半導體裝置包括：氧化物；氧化物上的第一導電體及第二導電體；氧化物上的第三導電體；氧化物與第三導電體之間的覆蓋第三導電體的側面的第一絕緣體；第三導電體及第一絕緣體上的第二絕緣體；位於第一導電體上且第二絕緣體的側面處的第三絕緣體；位於第二導電體上且第二絕緣體的側面處的第四絕緣體；與第三絕緣體的頂面及側面接觸且與第一導電體電連接的第四導電體；以及與第四絕緣體的頂面及側面接觸且與第二導電體電連接的第五導電體。第一絕緣體位於第三絕緣體與第三導電體之間且位於第四絕緣體與第三導電體之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种具有良好的电特性的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，该半导体设备包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

公开(公告)号：TW201834198A

公开(公告)日：2018-09-16

申请号：TW106134603

申请日：2017-10-06

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 奥野直樹 ,  OKUNO, NAOKI ,  根井孝征 ,  NEI, KOSEI ,  本多大章 ,  HONDA, HIROAKI ,  山出直人 ,  YAMADE, NAOTO ,  藤木寛士 ,  FUJIKI, HIROSHI

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11565 ,  H01L29/786

Abstract: 一種電晶體包括：基板上的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一氧化物；與第一氧化物的頂面的至少一部分接觸的第二氧化物；與第二氧化物的頂面的至少一部分接觸的第一導電體及第二導電體；位於第一導電體和第二導電體上且與第二氧化物的頂面的至少一部分接觸的第三氧化物；第三氧化物上的第二絕緣體；位於第二絕緣體上且其至少一部分重疊於第一導電體與第二導電體之間的區域的第三導電體；以及位於第三導電體上且其至少一部分接觸於第一絕緣體的頂面的第三絕緣體。第一絕緣體的接觸於第三絕緣體的區域的厚度小於第一絕緣體的接觸於第一氧化物的區域的厚度。

Abstract in simplified Chinese: 一种晶体管包括：基板上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；与第一氧化物的顶面的至少一部分接触的第二氧化物；与第二氧化物的顶面的至少一部分接触的第一导电体及第二导电体；位于第一导电体和第二导电体上且与第二氧化物的顶面的至少一部分接触的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上且其至少一部分重叠于第一导电体与第二导电体之间的区域的第三导电体；以及位于第三导电体上且其至少一部分接触于第一绝缘体的顶面的第三绝缘体。第一绝缘体的接触于第三绝缘体的区域的厚度小于第一绝缘体的接触于第一氧化物的区域的厚度。