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    半導體裝置
    1.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW202030876A

    公开(公告)日：2020-08-16

    申请号：TW109111505

    申请日：2014-05-16

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI

    IPC分类号： H01L27/14

    摘要： 本發明提供一種具有能夠抑制微型化所導致的電特性下降的半導體裝置。該半導體裝置包括：絕緣表面上的依次形成有第一氧化物半導體層及第二氧化物半導體層的疊層；以及以覆蓋該疊層的表面的一部分的方式形成的第三氧化物半導體層，第三氧化物半導體層包括與疊層接觸的第一層以及該第一層上的第二層，第一層由微晶層形成，第二層由c軸朝向垂直於第一層的表面的方向的結晶層形成。

    简体摘要： 本发明提供一种具有能够抑制微型化所导致的电特性下降的半导体设备。该半导体设备包括：绝缘表面上的依次形成有第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层的叠层；以及以覆盖该叠层的表面的一部分的方式形成的第三氧化物半导体层，第三氧化物半导体层包括与叠层接触的第一层以及该第一层上的第二层，第一层由微晶层形成，第二层由c轴朝向垂直于第一层的表面的方向的结晶层形成。

    半導體裝置
    3.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW202027299A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW109107502

    申请日：2010-11-11

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE

    IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L27/15

    摘要： 所揭示的是一半導體裝置，包含薄膜電晶體和連接至薄膜電晶體的導線，其中該薄膜電晶體具有通道形成區域在氧化物半導體層中，且閘極電極、源極電極、汲極電極、閘極導線、源極導線和汲極導線之至少一者使用銅金屬。具有氧化物半導體層的電晶體的極低關閉電流有助於半導體裝置之降低功耗。因此，銅金屬的使用允許結合顯示元件之半導體裝置提供具有高顯示畫質和可忽略之缺陷的顯示裝置，其來自以銅金屬所形成之導線和電極的低電阻。

    简体摘要： 所揭示的是一半导体设备，包含薄膜晶体管和连接至薄膜晶体管的导线，其中该薄膜晶体管具有信道形成区域在氧化物半导体层中，且闸极电极、源极电极、汲极电极、闸极导线、源极导线和汲极导线之至少一者使用铜金属。具有氧化物半导体层的晶体管的极低关闭电流有助于半导体设备之降低功耗。因此，铜金属的使用允许结合显示组件之半导体设备提供具有高显示画质和可忽略之缺陷的显示设备，其来自以铜金属所形成之导线和电极的低电阻。

    顯示裝置
    4.
    发明专利
    顯示裝置 审中-公开
    显示设备

    公开(公告)号：TW202027244A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108140589

    申请日：2009-09-24

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  梅崎敦司 ,  UMEZAKI, ATSUSHI

    IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  G09G3/20

    摘要： 像素部以及驅動像素部的驅動電路形成在同一基板上。驅動電路的至少一部分的電路使用反交錯型薄膜電晶體而形成，在該反交錯型薄膜電晶體中使用氧化物半導體，且在重疊於閘極電極層的成為通道形成區的氧化物半導體層上設置有通道保護層。藉由在同一基板上除了像素部以外還設置驅動電路，可以減少製造成本。

    简体摘要： 像素部以及驱动像素部的驱动电路形成在同一基板上。驱动电路的至少一部分的电路使用反交错型薄膜晶体管而形成，在该反交错型薄膜晶体管中使用氧化物半导体，且在重叠于闸极电极层的成为信道形成区的氧化物半导体层上设置有信道保护层。借由在同一基板上除了像素部以外还设置驱动电路，可以减少制造成本。

    液晶顯示裝置、ＥＬ顯示裝置以及其製造方法
    5.
    发明专利
    液晶顯示裝置、ＥＬ顯示裝置以及其製造方法 审中-公开
    液晶显示设备、ＥＬ显示设备以及其制造方法

    公开(公告)号：TW202027172A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108139651

    申请日：2012-11-01

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

    IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

    摘要： 本發明的課題是不增加在具有電晶體的顯示裝置的製程中使用的光掩模個數而提高電晶體的可靠性。在該電晶體中，省略用來形成島狀半導體層的光微影製程及蝕刻製程，不增加光掩模個數而製造島狀半導體層。明確地說，藉由形成閘極電極的製程、形成用來減少蝕刻製程等所造成的損傷的保護層的製程、形成源極電極及汲極電極的製程、形成接觸孔的製程、形成像素電極的製程的五個光微影製程製造液晶顯示裝置。並且本發明的一個方式的液晶顯示裝置具有在形成接觸孔的製程同時形成且用來斷開半導體層的溝槽部分。

    简体摘要： 本发明的课题是不增加在具有晶体管的显示设备的制程中使用的光掩模个数而提高晶体管的可靠性。在该晶体管中，省略用来形成岛状半导体层的光微影制程及蚀刻制程，不增加光掩模个数而制造岛状半导体层。明确地说，借由形成闸极电极的制程、形成用来减少蚀刻制程等所造成的损伤的保护层的制程、形成源极电极及汲极电极的制程、形成接触孔的制程、形成像素电极的制程的五个光微影制程制造液晶显示设备。并且本发明的一个方式的液晶显示设备具有在形成接触孔的制程同时形成且用来断开半导体层的沟槽部分。