公开(公告)号：TW201818457A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW107102599

申请日：2017-03-23

Applicant: 日商新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 北田瑞枝 ,  KITADA,MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA,TAKESHI ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI,TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI,NORIAKI ,  新井大輔 ,  ARAI,DAISUKE

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: 本發明係揭露一種功率半導體裝置（100），包括：半導體基體（110），在第一半導體層（112）上層積有第二半導體層（114），在第二半導體層（114）的表面形成有溝槽（118），在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）；第一電極（126）；層間絕緣膜（122），具有規定開口（128）；以及第二電極（124），其中，在開口（128）的內部填充有金屬，並且開口（128）位於避開第三半導體層（116）的中央部的位置上，第二電極（124）經由金屬與第三半導體層（116）相連接，第三半導體層（116）的中央部的表面被層間絕緣膜（122）所覆蓋。根據本發明的半導體裝置，其提供一種：具備在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）的，同時不易因穿通模式下的擊穿導致耐壓降低的半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种功率半导体设备（100），包括：半导体基体（110），在第一半导体层（112）上层积有第二半导体层（114），在第二半导体层（114）的表面形成有沟槽（118），在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）；第一电极（126）；层间绝缘膜（122），具有规定开口（128）；以及第二电极（124），其中，在开口（128）的内部填充有金属，并且开口（128）位于避开第三半导体层（116）的中央部的位置上，第二电极（124）经由金属与第三半导体层（116）相连接，第三半导体层（116）的中央部的表面被层间绝缘膜（122）所覆盖。根据本发明的半导体设备，其提供一种：具备在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）的，同时不易因穿通模式下的击穿导致耐压降低的半导体设备。