公开(公告)号：TWI638461B

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：TW107101766

申请日：2018-01-18

Applicant: 日商日立功率半導體股份有限公司 ,  HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.

Inventor： 古川智康 ,  FURUKAWA, TOMOYASU ,  白石正樹 ,  SHIRAISHI, MASAKI ,  守田俊章 ,  MORITA, TOSHIAKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

公开(公告)号：TW201828480A

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：TW107101766

申请日：2018-01-18

Applicant: 日商日立功率半導體股份有限公司 ,  HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.

Inventor： 古川智康 ,  FURUKAWA, TOMOYASU ,  白石正樹 ,  SHIRAISHI, MASAKI ,  守田俊章 ,  MORITA, TOSHIAKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 本發明的課題是在於提供一種即使在具有IGBT的閘極構造的半導體晶片上燒結接合金屬板(導電構件)時進行燒結接合製程的加壓，也不易在半導體晶片的閘極配線部發生過剩的應力，特性不良被減低的半導體裝置。 　　其解決手段，本發明的半導體裝置的特徵為：具備具有以IGBT為代表的閘極構造的半導體晶片(105)，具有被形成於半導體晶片表面的第1閘極配線(206)及第2閘極配線(202)，具有被配置成為覆蓋第1閘極配線的射極電極(205)及被配置於射極電極上方的燒結層，在半導體晶片表面至少包含射極電極及燒結層而成的複數層構造會連續存在於包含射極電極連接觸點(506)及閘極配線領域(503、504)的範圍。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是在于提供一种即使在具有IGBT的闸极构造的半导体芯片上烧结接合金属板(导电构件)时进行烧结接合制程的加压，也不易在半导体芯片的闸极配线部发生过剩的应力，特性不良被减低的半导体设备。 　　其解决手段，本发明的半导体设备的特征为：具备具有以IGBT为代表的闸极构造的半导体芯片(105)，具有被形成于半导体芯片表面的第1闸极配线(206)及第2闸极配线(202)，具有被配置成为覆盖第1闸极配线的射极电极(205)及被配置于射极电极上方的烧结层，在半导体芯片表面至少包含射极电极及烧结层而成的复数层构造会连续存在于包含射极电极连接触点(506)及闸极配线领域(503、504)的范围。