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公开(公告)号：TWI666867B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107127212
申请日：2018-08-06
发明人： 白石正樹 , SHIRAISHI, MASAKI , 石丸哲也 , ISHIMARU, TETSUYA , 坂野順一 , SAKANO, JUNICHI , 森睦宏 , MORI, MUTSUHIRO , 栗田信一 , KURITA, SHINICHI
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公开(公告)号：TWI638461B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW107101766
申请日：2018-01-18
发明人： 古川智康 , FURUKAWA, TOMOYASU , 白石正樹 , SHIRAISHI, MASAKI , 守田俊章 , MORITA, TOSHIAKI
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公开(公告)号：TW201911727A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107127212
申请日：2018-08-06
发明人： 白石正樹 , SHIRAISHI, MASAKI , 石丸哲也 , ISHIMARU, TETSUYA , 坂野順一 , SAKANO, JUNICHI , 森睦宏 , MORI, MUTSUHIRO , 栗田信一 , KURITA, SHINICHI
摘要： [課題] 提供應付交流發電機的高輸出化的半導體裝置(整流元件)。 [解決手段] 具備：第1外部電極，具有第1電極面部；第2外部電極，具有第2電極面部；內置齊納二極體之MOSFET晶片(103)，具有作用區與周邊區域；控制IC晶片(104)，基於MOSFET晶片的汲極電極與源極電極之間的電壓或電流，驅動MOSFET晶片的閘極；電容器(105)，對MOSFET晶片與控制IC晶片供應電源；其中，第1電極面部與MOSFET晶片的汲極電極或源極電極中的一者連接，第2電極面部與MOSFET晶片的源極電極或汲極電極中的另一者連接，於作用區，設置內置齊納二極體之MOSFET的複數個單格，含於單格的齊納二極體的耐壓設定為比周邊區域的耐壓低。
简体摘要： [课题] 提供应付交流发电机的高输出化的半导体设备(整流组件)。 [解决手段] 具备：第1外部电极，具有第1电极面部；第2外部电极，具有第2电极面部；内置齐纳二极管之MOSFET芯片(103)，具有作用区与周边区域；控制IC芯片(104)，基于MOSFET芯片的汲极电极与源极电极之间的电压或电流，驱动MOSFET芯片的闸极；电容器(105)，对MOSFET芯片与控制IC芯片供应电源；其中，第1电极面部与MOSFET芯片的汲极电极或源极电极中的一者连接，第2电极面部与MOSFET芯片的源极电极或汲极电极中的另一者连接，于作用区，设置内置齐纳二极管之MOSFET的复数个单格，含於单格的齐纳二极管的耐压设置为比周边区域的耐压低。
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公开(公告)号：TW201828480A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107101766
申请日：2018-01-18
发明人： 古川智康 , FURUKAWA, TOMOYASU , 白石正樹 , SHIRAISHI, MASAKI , 守田俊章 , MORITA, TOSHIAKI
摘要： 本發明的課題是在於提供一種即使在具有IGBT的閘極構造的半導體晶片上燒結接合金屬板(導電構件)時進行燒結接合製程的加壓，也不易在半導體晶片的閘極配線部發生過剩的應力，特性不良被減低的半導體裝置。 其解決手段，本發明的半導體裝置的特徵為：具備具有以IGBT為代表的閘極構造的半導體晶片(105)，具有被形成於半導體晶片表面的第1閘極配線(206)及第2閘極配線(202)，具有被配置成為覆蓋第1閘極配線的射極電極(205)及被配置於射極電極上方的燒結層，在半導體晶片表面至少包含射極電極及燒結層而成的複數層構造會連續存在於包含射極電極連接觸點(506)及閘極配線領域(503、504)的範圍。
简体摘要： 本发明的课题是在于提供一种即使在具有IGBT的闸极构造的半导体芯片上烧结接合金属板(导电构件)时进行烧结接合制程的加压，也不易在半导体芯片的闸极配线部发生过剩的应力，特性不良被减低的半导体设备。 其解决手段，本发明的半导体设备的特征为：具备具有以IGBT为代表的闸极构造的半导体芯片(105)，具有被形成于半导体芯片表面的第1闸极配线(206)及第2闸极配线(202)，具有被配置成为覆盖第1闸极配线的射极电极(205)及被配置于射极电极上方的烧结层，在半导体芯片表面至少包含射极电极及烧结层而成的复数层构造会连续存在于包含射极电极连接触点(506)及闸极配线领域(503、504)的范围。
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