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    多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物及圖案形成方法
    1.
    发明专利
    多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物及圖案形成方法 审中-公开
    多层抗蚀剂制程用底层膜形成组成物及图案形成方法

    公开(公告)号：TW202014440A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：TW108135234

    申请日：2019-09-27

    申请人： 日商JSR股份有限公司 ,  JSR CORPORATION

    发明人： 峯岸信也 ,  MINEGISHI, SHINYA ,  片切崇 ,  KATAGIRI, TAKASHI ,  辻孝史 ,  TSUJI, TAKAFUMI ,  西野晃太 ,  NISHINO, KOTA ,  小松裕之 ,  KOMATSU, HIROYUKI ,  大西裕也 ,  ONISHI, YUYA

    IPC分类号： C08F20/10 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    摘要： 本發明的目的在於提供一種可抑制多層抗蝕劑製程中的含矽膜的裂紋的產生、可減少基板的翹曲、且可形成去除性優異的抗蝕劑底層膜的多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物及圖案形成方法。本發明是一種如下的多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物，其含有：聚合體，具有源於丙烯酸酯的一種或兩種以上的第一結構單元；以及溶媒，且所述第一結構單元相對於構成所述聚合體的所有結構單元的含有比例為65莫耳%以上。

    简体摘要： 本发明的目的在于提供一种可抑制多层抗蚀剂制程中的含硅膜的裂纹的产生、可减少基板的翘曲、且可形成去除性优异的抗蚀剂底层膜的多层抗蚀剂制程用底层膜形成组成物及图案形成方法。本发明是一种如下的多层抗蚀剂制程用底层膜形成组成物，其含有：聚合体，具有源于丙烯酸酯的一种或两种以上的第一结构单元；以及溶媒，且所述第一结构单元相对于构成所述聚合体的所有结构单元的含有比例为65莫耳%以上。