利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

2237 条记录 (耗时 0.027 秒)

    光學濾波器及其用途
    2.
    发明专利
    光學濾波器及其用途 审中-公开
    光学滤波器及其用途

    公开(公告)号：TW202022414A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108132865

    申请日：2019-09-11

    申请人： 日商JSR股份有限公司 ,  JSR CORPORATION

    发明人： 岸田寛之 ,  KISHIDA, HIROYUKI ,  長屋勝也 ,  NAGAYA, KATSUYA ,  山本達之 ,  YAMAMOTO, TATSUYUKI ,  長尾敦記 ,  NAGAO, ATSUKI

    IPC分类号： G02B5/22 ,  B32B7/02 ,  H01L27/14 ,  C08K5/34 ,  C08L101/00

    摘要： 本發明的課題在於提供一種光學濾波器，兼具近紅外線區域的入射角依存性低與紅色的透過率特性優異，且改善了重影。本發明的光學濾波器的特徵在於，滿足下述必要條件（A）～（D）：（A）於波長430 nm～580 nm的範圍內，從垂直方向測定時的透過率的平均值為75%以上；（B）於波長800 nm～1000 nm的範圍內，從垂直方向測定時的透過率的平均值為10%以下；（C）於波長700 nm～750 nm的範圍內，從垂直方向測定時的透過率的平均值超過46%；（D）於波長560 nm～800 nm的範圍內，從垂直方向測定時的透過率為50%的最短波長的值（Ya）與從相對於垂直方向以30°的角度測定時的透過率為50%的最短波長的值（Yb）之差的絕對值小於15 nm。

    简体摘要： 本发明的课题在于提供一种光学滤波器，兼具近红外线区域的入射角依存性低与红色的透过率特性优异，且改善了重影。本发明的光学滤波器的特征在于，满足下述必要条件（A）～（D）：（A）于波长430 nm～580 nm的范围内，从垂直方向测定时的透过率的平均值为75%以上；（B）于波长800 nm～1000 nm的范围内，从垂直方向测定时的透过率的平均值为10%以下；（C）于波长700 nm～750 nm的范围内，从垂直方向测定时的透过率的平均值超过46%；（D）于波长560 nm～800 nm的范围内，从垂直方向测定时的透过率为50%的最短波长的值（Ya）与从相对于垂直方向以30°的角度测定时的透过率为50%的最短波长的值（Yb）之差的绝对值小于15 nm。

    多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物及圖案形成方法
    6.
    发明专利
    多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物及圖案形成方法 审中-公开
    多层抗蚀剂制程用底层膜形成组成物及图案形成方法

    公开(公告)号：TW202014440A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：TW108135234

    申请日：2019-09-27

    申请人： 日商JSR股份有限公司 ,  JSR CORPORATION

    发明人： 峯岸信也 ,  MINEGISHI, SHINYA ,  片切崇 ,  KATAGIRI, TAKASHI ,  辻孝史 ,  TSUJI, TAKAFUMI ,  西野晃太 ,  NISHINO, KOTA ,  小松裕之 ,  KOMATSU, HIROYUKI ,  大西裕也 ,  ONISHI, YUYA

    IPC分类号： C08F20/10 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    摘要： 本發明的目的在於提供一種可抑制多層抗蝕劑製程中的含矽膜的裂紋的產生、可減少基板的翹曲、且可形成去除性優異的抗蝕劑底層膜的多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物及圖案形成方法。本發明是一種如下的多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物，其含有：聚合體，具有源於丙烯酸酯的一種或兩種以上的第一結構單元；以及溶媒，且所述第一結構單元相對於構成所述聚合體的所有結構單元的含有比例為65莫耳%以上。

    简体摘要： 本发明的目的在于提供一种可抑制多层抗蚀剂制程中的含硅膜的裂纹的产生、可减少基板的翘曲、且可形成去除性优异的抗蚀剂底层膜的多层抗蚀剂制程用底层膜形成组成物及图案形成方法。本发明是一种如下的多层抗蚀剂制程用底层膜形成组成物，其含有：聚合体，具有源于丙烯酸酯的一种或两种以上的第一结构单元；以及溶媒，且所述第一结构单元相对于构成所述聚合体的所有结构单元的含有比例为65莫耳%以上。

    化學機械研磨用水系分散體及其製造方法
    7.
    发明专利
    化學機械研磨用水系分散體及其製造方法 审中-公开
    化学机械研磨用水系分散体及其制造方法

    公开(公告)号：TW202007752A

    公开(公告)日：2020-02-16

    申请号：TW108114788

    申请日：2019-04-26

    申请人： 日商JSR股份有限公司 ,  JSR CORPORATION

    发明人： 岡本匡史 ,  OKAMOTO, MASASHI ,  平井裕二 ,  HIRAI, YUUJI ,  國谷英一郎 ,  KUNITANI, EIICHIROU ,  中西康二 ,  NAKANISHI, KOUJI

    IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304

    摘要： 本發明的課題在於對配線材料、絕緣膜材料及阻障金屬材料以高速進行研磨，並且減少被研磨面的研磨損傷的產生。本發明的化學機械研磨用水系分散體的一態樣含有（A）氧化矽粒子、（B）選自由有機酸及其鹽所組成的群組中的至少一種、以及（C）選自由含胺基的矽烷化合物及其縮合物所組成的群組中的至少一種，且pH為7以上且14以下。

    简体摘要： 本发明的课题在于对配线材料、绝缘膜材料及阻障金属材料以高速进行研磨，并且减少被研磨面的研磨损伤的产生。本发明的化学机械研磨用水系分散体的一态样含有（A）氧化硅粒子、（B）选自由有机酸及其盐所组成的群组中的至少一种、以及（C）选自由含胺基的硅烷化合物及其缩合物所组成的群组中的至少一种，且pH为7以上且14以下。