公开(公告)号：TWI457988B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW101110085

申请日：2012-03-23

申请人： 日新離子機器股份有限公司 ,  NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD.

发明人： 河村泰典 ,  KAWAMURA, YASUNORI ,  川上喬子 ,  KAWAKAMI, KYOKO ,  中島良樹 ,  NAKASHIMA, YOSHIKI

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/2658 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/26506

公开(公告)号：TW201239957A

公开(公告)日：2012-10-01

申请号：TW101110085

申请日：2012-03-23

申请人： 日新離子機器股份有限公司

发明人： 河村泰典 ,  川上喬子 ,  中島良樹

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/2658 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/26506

摘要： 本發明係關於一種離子植入方法,其包括使用由CnHx(n係諸如4≦n≦6之整數,且x係諸如1≦x≦2n+2之整數)表示之離子產生材料產生CmHy+離子(m係諸如4≦m≦6之整數,且y係諸如1≦y≦2m+2之整數);及將該等離子植入至晶圓中。

简体摘要： 本发明系关于一种离子植入方法,其包括使用由CnHx(n系诸如4≦n≦6之整数,且x系诸如1≦x≦2n+2之整数)表示之离子产生材料产生CmHy+离子(m系诸如4≦m≦6之整数,且y系诸如1≦y≦2m+2之整数);及将该等离子植入至晶圆中。