銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴 PYROPHOSPHORIC ACID BATH FOR USE IN COPPER-TIN ALLOY PLATING
    1.
    发明专利
    銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴 PYROPHOSPHORIC ACID BATH FOR USE IN COPPER-TIN ALLOY PLATING 有权
    铜-锡合金电镀用焦磷酸浴 PYROPHOSPHORIC ACID BATH FOR USE IN COPPER-TIN ALLOY PLATING

    公开(公告)号:TWI308938B

    公开(公告)日:2009-04-21

    申请号:TW092118025

    申请日:2003-07-02

    IPC分类号: C25D

    摘要: 本發明係關於一種無氰銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴,含有由胺衍生物、表鹵醇及縮水甘油醚系化合物組成之添加物(A),該添加劑(A)之表鹵醇及縮水甘油醚系化合物之比率對胺衍生物1莫耳使用表鹵醇0.5~2莫耳,使用縮水甘油醚0.1~5莫耳,而該浴之pH値為3~9。另可視需要含有一種由有機磺酸及/或有機磺酸鹽組成之添加劑(B)。本發明提供工業規模利用之無氰型銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴,即使通電狀態會在高電流密度狀態及低電流密度狀態之間不斷變化之回轉電鍍之用途上亦能達成均勻處理而使不良品發生率低之焦磷酸浴及使用該焦磷酸浴所得之銅-錫合金電鍍膜。

    简体摘要: 本发明系关于一种无氰铜-锡合金电镀用焦磷酸浴,含有由胺衍生物、表卤醇及缩水甘油醚系化合物组成之添加物(A),该添加剂(A)之表卤醇及缩水甘油醚系化合物之比率对胺衍生物1莫耳使用表卤醇0.5~2莫耳,使用缩水甘油醚0.1~5莫耳,而该浴之pH値为3~9。另可视需要含有一种由有机磺酸及/或有机磺酸盐组成之添加剂(B)。本发明提供工业规模利用之无氰型铜-锡合金电镀用焦磷酸浴,即使通电状态会在高电流密度状态及低电流密度状态之间不断变化之回转电镀之用途上亦能达成均匀处理而使不良品发生率低之焦磷酸浴及使用该焦磷酸浴所得之铜-锡合金电镀膜。

    銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴 PYROPHOSPHORIC ACID BATH FOR USE IN COPPER-TIN ALLOY PLATING
    2.
    发明专利
    銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴 PYROPHOSPHORIC ACID BATH FOR USE IN COPPER-TIN ALLOY PLATING 审中-公开
    铜-锡合金电镀用焦磷酸浴 PYROPHOSPHORIC ACID BATH FOR USE IN COPPER-TIN ALLOY PLATING

    公开(公告)号:TW200413577A

    公开(公告)日:2004-08-01

    申请号:TW092118025

    申请日:2003-07-02

    IPC分类号: C25D

    摘要: 本發明係關於一種無氰銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴,含有由胺衍生物、表鹵醇及縮水甘油醚系化合物組成之添加物(A),該添加劑(A)之表鹵醇及縮水甘油醚系化合物之比率對胺衍生物1莫耳使用表鹵醇0.5~2莫耳,使用縮水甘油醚0.1~5莫耳,而該浴之pH值為3~9。另可視需要含有一種由有機磺酸及/或有機磺酸鹽組成之添加劑(B)。本發明提供工業規模利用之無氰型銅-錫合金電鍍用焦磷酸浴,即使通電狀態會在高電流密度狀態及低電流密度狀態之間不斷變化之回轉電鍍之用途上亦能達成均勻處理而使不良品發生率低之焦磷酸浴及使用該焦磷酸浴所得之銅-錫合金電鍍膜。

    简体摘要: 本发明系关于一种无氰铜-锡合金电镀用焦磷酸浴,含有由胺衍生物、表卤醇及缩水甘油醚系化合物组成之添加物(A),该添加剂(A)之表卤醇及缩水甘油醚系化合物之比率对胺衍生物1莫耳使用表卤醇0.5~2莫耳,使用缩水甘油醚0.1~5莫耳,而该浴之pH值为3~9。另可视需要含有一种由有机磺酸及/或有机磺酸盐组成之添加剂(B)。本发明提供工业规模利用之无氰型铜-锡合金电镀用焦磷酸浴,即使通电状态会在高电流密度状态及低电流密度状态之间不断变化之回转电镀之用途上亦能达成均匀处理而使不良品发生率低之焦磷酸浴及使用该焦磷酸浴所得之铜-锡合金电镀膜。