公开(公告)号：TWI566370B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：TW100139123

申请日：2011-10-27

申请人： 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： 鄭世泳 ,  JEONG, SE YOUNG ,  尹宣弼 ,  YOUN, SUN PIL ,  宋昊建 ,  SONG, HO GEON

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/108 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12708 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201622866A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW103144560

申请日：2014-12-19

申请人： 中原大學 ,  CHUNG-YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY.

发明人： 陳志吉 ,  CHEN, CHIH CHI ,  梁沅鎧 ,  LIANG, YUAN KAI

IPC分类号： B23K35/22 ,  B23K31/12

CPC分类号： B23K35/001 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3046 ,  B23K2201/36 ,  B23K2201/38 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  B32B15/01 ,  B32B15/043 ,  C22C19/07 ,  C23C10/28 ,  C23C10/60 ,  C23C26/00 ,  C23C26/02 ,  C23C28/00 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005 ,  H05K3/34 ,  H05K3/3457 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12917 ,  Y10T428/12931 ,  Y10T428/12937 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

摘要： 本發明提供一種銲接結構及其製造方法，該銲接結構包含一銲料和一擴散阻障層，該銲料和該擴散阻障層之介面具有一厚度小於10微米之錫鈷鐵介金屬相；其製造方法係在250~300℃之間進行反應使含錫銲料和由85~95wt%鈷和5~15wt%鐵所組成之合金的介面形成一厚度小於10微米之介金屬相。

简体摘要： 本发明提供一种焊接结构及其制造方法，该焊接结构包含一焊料和一扩散阻障层，该焊料和该扩散阻障层之界面具有一厚度小于10微米之锡钴铁介金属相；其制造方法系在250~300℃之间进行反应使含锡焊料和由85~95wt%钴和5~15wt%铁所组成之合金的界面形成一厚度小于10微米之介金属相。

公开(公告)号：TWI454332B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW100145581

申请日：2011-12-09

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 赤松俊也 ,  AKAMATSU, TOSHIYA ,  今泉延弘 ,  IMAIZUMI, NOBUHIRO ,  作山誠樹 ,  SAKUYAMA, SEIKI ,  上西啟介 ,  UENISHI, KEISUKE ,  中西徹洋 ,  NAKANISHI, TETSUHIRO

IPC分类号： B23K35/26 ,  H05K3/34 ,  C22C12/00

CPC分类号： H05K3/3463 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K2201/36 ,  B23K2201/40 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C30/04 ,  C22C30/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T428/12708 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

公开(公告)号：TWI449183B

公开(公告)日：2014-08-11

申请号：TW097120560

申请日：2008-06-03

申请人： 首德太陽能股份有限公司 ,  SCHOTT SOLAR AG

发明人： 伯恩 偉爾德佩納 ,  BERND WILDPANNER ,  希爾馬 坎普 ,  DR. HILMAR VON CAMPE ,  沃納 巴斯 ,  WERNER BUSS

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/042 ,  H01L23/482 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/12708

公开(公告)号：TWI367530B

公开(公告)日：2012-07-01

申请号：TW096149874

申请日：2007-12-25

申请人： 財團法人工業技術研究院

发明人： 鄭世裕 ,  林家欣 ,  林晉慶 ,  江美靜

IPC分类号： H01L

CPC分类号： C23C16/407 ,  Y10T428/12687 ,  Y10T428/12708

摘要： 一種摻雜氯、氟與鋰之透明導電薄膜包括：摻雜氯、氟與鋰之氧化錫，其中該摻雜氯、氟與鋰之氧化錫中之氯離子摻雜量不高於5%(原子百分比)、氟離子摻雜量不高於5%(原子百分比)以及鋰離子摻雜量不高於5%(原子百分比)，且該摻雜氯、氟與鋰之氧化錫中不含銦離子。

简体摘要： 一种掺杂氯、氟与锂之透明导电薄膜包括：掺杂氯、氟与锂之氧化锡，其中该掺杂氯、氟与锂之氧化锡中之氯离子掺杂量不高于5%(原子百分比)、氟离子掺杂量不高于5%(原子百分比)以及锂离子掺杂量不高于5%(原子百分比)，且该掺杂氯、氟与锂之氧化锡中不含铟离子。

公开(公告)号：TW201224206A

公开(公告)日：2012-06-16

申请号：TW100133007

申请日：2011-09-14

申请人： JFE鋼鐵股份有限公司

发明人： 鈴木威 ,  中村紀彥 ,  宮本友佳 ,  飛山洋一

IPC分类号： C23C ,  C25D ,  B32B ,  B65D

CPC分类号： C23C28/00 ,  B32B1/08 ,  B32B15/09 ,  B32B15/18 ,  B32B2250/03 ,  B32B2250/40 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/205 ,  B32B2255/26 ,  B32B2255/28 ,  B32B2439/66 ,  C23C22/00 ,  C23C22/05 ,  C23C22/34 ,  C23C22/36 ,  C23C22/83 ,  C23C28/32 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/3455 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005 ,  C25D5/12 ,  C25D5/505 ,  C25D9/08 ,  C25D11/00 ,  C25D11/36 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12556 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/12597 ,  Y10T428/12604 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/12944 ,  Y10T428/12958 ,  Y10T428/12972 ,  Y10T428/12979 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/264 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/27 ,  Y10T428/31678

摘要： 本發明的課題是提供薄膜密接性高的容器用鋼板。其解決手段為容器用鋼板，具有：在含Zr離子、F離子的溶液中，浸漬或電解處理鋼板所形成的附著量為金屬Zr量0.1~100mg/m 2 、F量0.1mg/m 2 以下的化學轉化處理膜，及在該化學轉化處理膜上，附著量為C量0.05~50mg/m 2 的羥基酸處理層。

简体摘要： 本发明的课题是提供薄膜密接性高的容器用钢板。其解决手段为容器用钢板，具有：在含Zr离子、F离子的溶液中，浸渍或电解处理钢板所形成的附着量为金属Zr量0.1~100mg/m 2 、F量0.1mg/m 2 以下的化学转化处理膜，及在该化学转化处理膜上，附着量为C量0.05~50mg/m 2 的羟基酸处理层。

公开(公告)号：TWI313506B

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：TW095122497

申请日：2006-06-22

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 作山誠樹 SAKUYAMA, SEIKI

IPC分类号： H01L ,  C25D

CPC分类号： C25D3/30 ,  B32B15/01 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： 由錫或錫合金所構成的錫電鍍薄膜係構成位在一基板之一前表面及一後表面上組成導線架。就錫合金而言,例如,能夠引用錫銅合金(銅含量:2質量百分比(mass%))、錫鉍合金(鉍含量:2質量百分比(mass%))以及相似物。基板,例如,係由銅合金或相似物所構成。錫電鍍薄膜中,複數晶粒係不規則地配置。再者,錫電鍍薄膜中存在有複數間隙部分。因於錫電鍍薄膜中存有間隙部分,所以即使接續地執行彎曲製程或相似製程亦能夠降低外應力。因此,能夠抑制伴隨有外應力的晶鬚成長。

简体摘要： 由锡或锡合金所构成的锡电镀薄膜系构成位在一基板之一前表面及一后表面上组成导线架。就锡合金而言,例如,能够引用锡铜合金(铜含量:2质量百分比(mass%))、锡铋合金(铋含量:2质量百分比(mass%))以及相似物。基板,例如,系由铜合金或相似物所构成。锡电镀薄膜中,复数晶粒系不守则地配置。再者,锡电镀薄膜中存在有复数间隙部分。因于锡电镀薄膜中存有间隙部分,所以即使接续地运行弯曲制程或相似制程亦能够降低外应力。因此,能够抑制伴随有外应力的晶须成长。

公开(公告)号：TWI265213B

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：TW092116061

申请日：2003-06-13

申请人： 日本紐克羅沐股份有限公司 NIHON NEW CHROME CO., ,  威可楷鈕扣日本有限公司 YKK SNAP FASTENERS JAPAN CO., LTD.

发明人： 浦田和也 KAZUYA URATA ,  北川和廣 KAZUHIRO KITAGAWA ,  小川幸雄 OGAWA, YUKIO ,  長谷川建二 KENJI HASEGAWA

IPC分类号： C23C ,  C25D ,  A44B

CPC分类号： A44B17/0088 ,  A44B17/00 ,  A44C27/003 ,  C25D7/00 ,  C25D7/005 ,  C25D7/02 ,  Y10S428/935 ,  Y10T24/10 ,  Y10T24/45047 ,  Y10T428/12514 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12903

摘要： 本發明乃關於，鍍敷中的氧含量為0.3at%至50at%，銅含量為20at%至80at%，錫含量為10at%至70at%之Cu-Sn-O系合金鍍敷。
本發明的目的在於提供，具有優良的鍍敷密合性及撳離卡合力的安定性之銅-錫合金，並提供不含限制使用的物質之具有黑色系的色澤之銅-錫-氧系合金鍍敷(以下稱為Cu-Sn-O系合金鍍敷)。

简体摘要： 本发明乃关于，镀敷中的氧含量为0.3at%至50at%，铜含量为20at%至80at%，锡含量为10at%至70at%之Cu-Sn-O系合金镀敷。 本发明的目的在于提供，具有优良的镀敷密合性及揿离卡合力的安定性之铜-锡合金，并提供不含限制使用的物质之具有黑色系的色泽之铜-锡-氧系合金镀敷(以下称为Cu-Sn-O系合金镀敷)。

公开(公告)号：TW200404918A

公开(公告)日：2004-04-01

申请号：TW092116061

申请日：2003-06-13

申请人： 日本紐克羅沐股份有限公司 NIHON NEW CHORME CO., ,  YKK紐瑪克斯股份有限公司 YKK NEWMAX CO., LTD.

发明人： 浦田和也 KAZUYA URATA ,  北川和廣 KAZUHIRO KITAGAWA ,  小川幸雄 OGAWA, YUKIO ,  長谷川建二 KENJI HASEGAWA

IPC分类号： C23C ,  C25D ,  A44B

CPC分类号： A44B17/0088 ,  A44B17/00 ,  A44C27/003 ,  C25D7/00 ,  C25D7/005 ,  C25D7/02 ,  Y10S428/935 ,  Y10T24/10 ,  Y10T24/45047 ,  Y10T428/12514 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12903

摘要： 本發明乃關於，鍍敷中的氧含量為0.3at％至50at％，銅含量為20at％至80at％，錫含量為10at％至70at％之Cu–Sn–O系合金鍍敷。本發明的目的在於提供，具有優良的鍍敷密合性及撳離卡合力的安定性之銅–錫合金，並提供不含限制使用的物質之具有黑色系的色澤之銅–錫–氧系合金鍍敷(以下稱為Cu–Sn–O系合金鍍敷)。

简体摘要： 本发明乃关于，镀敷中的氧含量为0.3at％至50at％，铜含量为20at％至80at％，锡含量为10at％至70at％之Cu–Sn–O系合金镀敷。本发明的目的在于提供，具有优良的镀敷密合性及揿离卡合力的安定性之铜–锡合金，并提供不含限制使用的物质之具有黑色系的色泽之铜–锡–氧系合金镀敷(以下称为Cu–Sn–O系合金镀敷)。

公开(公告)号：TW539770B

公开(公告)日：2003-07-01

申请号：TW091103019

申请日：2002-02-21

申请人： 新日本製鐵股份有限公司

发明人： 吉原良一 ,  白川時次 ,  三浦泰彥

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C23C22/22 ,  B23K35/004 ,  C23C2/02 ,  C23C2/26 ,  C23C26/00 ,  C23C28/321 ,  C23C28/3225 ,  C23C28/345 ,  C23C30/00 ,  C25D5/10 ,  C25D5/48 ,  C25D5/505 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/12792 ,  Y10T428/12799 ,  Y10T428/12937 ,  Y10T428/12972

摘要： 本發明係提供一種電子零件用表面處理鋼板，其係不含有環境負荷有害物質之鉛，特別是能同時滿足蒸餾處理後之焊料潤濕性、防鏽性及防晶鬚性者，且係一種具優異焊料潤濕性、防鏽性及防晶鬚性之符合環保型電子零件用表面處理鋼板，具有於鋼板或鍍鎳鋼板上，藉鍍Sn及Zn後熱擴散處理或鍍Sn-Zn合金所形成之Sn-Zn合金層，且電子零件用表面處理鋼板上，上述Sn-Zn合金層之附著量為3g/m2以上，Zn/Sn比率(重量比)為0.01~10，更佳者為0.01~0.1，且於該Sn-Zn合金層上具有以磷酸鎂為主體且P+Mg附著量為1~100mg/m2之無機薄膜。

简体摘要： 本发明系提供一种电子零件用表面处理钢板，其系不含有环境负荷有害物质之铅，特别是能同时满足蒸馏处理后之焊料润湿性、防锈性及防晶须性者，且系一种具优异焊料润湿性、防锈性及防晶须性之符合环保型电子零件用表面处理钢板，具有于钢板或镀镍钢板上，藉镀Sn及Zn后热扩散处理或镀Sn-Zn合金所形成之Sn-Zn合金层，且电子零件用表面处理钢板上，上述Sn-Zn合金层之附着量为3g/m2以上，Zn/Sn比率(重量比)为0.01~10，更佳者为0.01~0.1，且于该Sn-Zn合金层上具有以磷酸镁为主体且P+Mg附着量为1~100mg/m2之无机薄膜。