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公开(公告)号:TW201833049A
公开(公告)日:2018-09-16
申请号:TW106140335
申请日:2017-11-21
发明人: 鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA
IPC分类号: C03C3/085 , C03C3/091 , C03C3/093 , B32B17/00 , H01L21/683
摘要: 本發明的支撐玻璃基板用以支撐加工基板,且所述支撐玻璃基板的特徵在於:作為玻璃組成,以質量%計含有45%~70%的SiO2、超過10.5%~35%的Al2O3、0%~20%的B2O3、5%~25%的Na2O、0%~10%的K2O、1%~10%的MgO、以及0%~5%的ZnO,且裂紋阻力為500 gf以上。
简体摘要: 本发明的支撑玻璃基板用以支撑加工基板,且所述支撑玻璃基板的特征在于:作为玻璃组成,以质量%计含有45%~70%的SiO2、超过10.5%~35%的Al2O3、0%~20%的B2O3、5%~25%的Na2O、0%~10%的K2O、1%~10%的MgO、以及0%~5%的ZnO,且裂纹阻力为500 gf以上。
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公开(公告)号:TWI673836B
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:TW104140014
申请日:2015-12-01
发明人: 鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA , 高橋能弘 , TAKAHASHI, TAKAHIRO
IPC分类号: H01L23/15
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公开(公告)号:TWI701221B
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:TW105140524
申请日:2016-12-08
发明人: 鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA
IPC分类号: C03B32/00 , H01L21/683 , H01L23/12
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公开(公告)号:TWI641573B
公开(公告)日:2018-11-21
申请号:TW104107741
申请日:2015-03-11
发明人: 池田光 , IKEDA, HIKARU , 鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA
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公开(公告)号:TW201731783A
公开(公告)日:2017-09-16
申请号:TW105140524
申请日:2016-12-08
发明人: 鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA
IPC分类号: C03B32/00 , H01L21/683 , H01L23/12
CPC分类号: C03B32/00 , H01L21/683 , H01L23/12
摘要: 本發明的支持玻璃基板的製造方法為用於支持加工基板的支持玻璃基板的製造方法,所述支持玻璃基板的製造方法的特徵在於包括:成形步驟,將支持玻璃基板成形;以及熱處理步驟,對成形後的支持玻璃基板進行熱處理而使支持玻璃基板的熱膨脹係數發生變動。
简体摘要: 本发明的支持玻璃基板的制造方法为用于支持加工基板的支持玻璃基板的制造方法,所述支持玻璃基板的制造方法的特征在于包括:成形步骤,将支持玻璃基板成形;以及热处理步骤,对成形后的支持玻璃基板进行热处理而使支持玻璃基板的热膨胀系数发生变动。
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公开(公告)号:TW201630128A
公开(公告)日:2016-08-16
申请号:TW104140014
申请日:2015-12-01
发明人: 鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA , 高橋能弘 , TAKAHASHI, TAKAHIRO
IPC分类号: H01L23/15
摘要: 支持玻璃基板在20℃~200℃的溫度範圍的平均線熱膨脹係數超過110×10-7 /℃且為160×10-7 /℃以下。
简体摘要: 支持玻璃基板在20℃~200℃的温度范围的平均线热膨胀系数超过110×10-7 /℃且为160×10-7 /℃以下。
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公开(公告)号:TWI472500B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:TW102110206
申请日:2008-11-04
发明人: 馬屋原芳夫 , UMAYAHARA, YOSHIO , 鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA , 西川欣克 , NISHIKAWA, YOSHIKATSU , 池邊勝 , IKEBE, MASARU , 森弘樹 , MORI, HIROKI , 長谷川義德 , HASEGAWA, YOSHINORI
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公开(公告)号:TWI701223B
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:TW105140552
申请日:2016-12-08
发明人: 鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA , 村田哲哉 , MURATA, TETSUYA , 藤井美紅 , FUJII, MIKU
IPC分类号: C03C10/14 , H01L21/683
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公开(公告)号:TW201910285A
公开(公告)日:2019-03-16
申请号:TW107121248
申请日:2018-06-21
发明人: 村田哲哉 , MURATA, TETSUYA , 藤井美紅 , FUJII, MIKU , 鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA
IPC分类号: C03C3/087 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C3/095 , C09J7/20 , B32B17/06 , B32B7/12 , H01L21/60 , H01L21/683
摘要: 本發明係一種支持玻璃基板及使用此之層積基板係其特徵為在30~380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數為30×10-7/℃以上,且55×10-7/℃以下,而楊氏模量則為80 GPa以上者。
简体摘要: 本发明系一种支持玻璃基板及使用此之层积基板系其特征为在30~380℃之温度范围的平均线热膨胀系数为30×10-7/℃以上,且55×10-7/℃以下,而杨氏模量则为80 GPa以上者。
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公开(公告)号:TW201620849A
公开(公告)日:2016-06-16
申请号:TW104128245
申请日:2015-08-28
发明人: 鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA
摘要: 本發明的技術課題創作出不易產生加工基板的尺寸變化的支持基板及使用其的積層體,藉此有助於半導體封裝的高密度安裝。本發明的支持玻璃基板的特徵在於20℃~200℃的溫度範圍的平均線熱膨脹係數超過81×10-7 /℃且為110×10-7 /℃以下。
简体摘要: 本发明的技术课题创作出不易产生加工基板的尺寸变化的支持基板及使用其的积层体,借此有助于半导体封装的高密度安装。本发明的支持玻璃基板的特征在于20℃~200℃的温度范围的平均线热膨胀系数超过81×10-7 /℃且为110×10-7 /℃以下。
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