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公开(公告)号：TW201628207A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104133784
申请日：2015-10-15
发明人： 黒澤悟史 , KUROSAWA, SATOSHI , 澤木琢 , SAWAKI, TAKU , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/055
CPC分类号： H01L31/048 , H01L31/055 , Y02E10/52
摘要： 波長轉換型太陽電池模組依序積層有受光面保護材、第一密封材、太陽電池元件、第二密封材及背面保護材，所述第一密封材及所述第二密封材含有分散介質樹脂，所述第一密封材進一步含有螢光物質，所述第一密封材及所述第二密封材中至少所述第二密封材進一步含有紫外線吸收劑。而且第一密封材中的紫外線吸收劑的含有率比第二密封材中的紫外線吸收劑的含有率少。
简体摘要： 波长转换型太阳电池模块依序积层有受光面保护材、第一密封材、太阳电池组件、第二密封材及背面保护材，所述第一密封材及所述第二密封材含有分散介质树脂，所述第一密封材进一步含有萤光物质，所述第一密封材及所述第二密封材中至少所述第二密封材进一步含有紫外线吸收剂。而且第一密封材中的紫外线吸收剂的含有率比第二密封材中的紫外线吸收剂的含有率少。
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公开(公告)号：TW201626588A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104135879
申请日：2015-10-30
发明人： 佐藤鉄也 , SATO, TETSUYA , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 芦沢寅之助 , ASHIZAWA, TORANOSUKE , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 清水麻理 , SHIMIZU, MARI , 佐藤英一 , SATOU, EIICHI
IPC分类号： H01L31/0256 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本發明是一種n型擴散層形成組成物、以及使用該n型擴散層形成組成物的n型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法，所述n型擴散層形成組成物含有玻璃粉末及分散介質，所述玻璃粉末包含施體元素且粒徑d90為0.1 μm～1.5 μm。
简体摘要： 本发明是一种n型扩散层形成组成物、以及使用该n型扩散层形成组成物的n型扩散层的制造方法及太阳电池组件的制造方法，所述n型扩散层形成组成物含有玻璃粉末及分散介质，所述玻璃粉末包含施体元素且粒径d90为0.1 μm～1.5 μm。
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公开(公告)号：TW201528531A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103144506
申请日：2014-12-19
发明人： 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 芦沢寅之助 , ASHIZAWA, TORANOSUKE , 町井洋一 , MACHII, YOICHI , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 佐藤英一 , SATOU, EIICHI , 清水麻理 , SHIMIZU, MARI , 佐藤鉄也 , SATO, TETSUYA
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L21/38
CPC分类号： H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/0684 , H01L31/1804
摘要： 本發明提供一種具有擴散層的半導體基板的製造方法，包括：於半導體基板的至少一部分上，於各不相同的區域中賦予n型擴散層形成組成物及p型擴散層形成組成物的步驟，其中所述n型擴散層形成組成物含有含施體元素的玻璃粒子及分散介質，所述p型擴散層形成組成物含有含受體元素的玻璃粒子及分散介質；以及藉由進行熱處理而形成n型擴散層，且形成p型擴散層的步驟。
简体摘要： 本发明提供一种具有扩散层的半导体基板的制造方法，包括：于半导体基板的至少一部分上，于各不相同的区域中赋予n型扩散层形成组成物及p型扩散层形成组成物的步骤，其中所述n型扩散层形成组成物含有含施体元素的玻璃粒子及分散介质，所述p型扩散层形成组成物含有含受体元素的玻璃粒子及分散介质；以及借由进行热处理而形成n型扩散层，且形成p型扩散层的步骤。
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公开(公告)号：TW201444158A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102116965
申请日：2013-05-13
发明人： 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 栗原祥晃 , KURIHARA, YOSHIAKI , 加藤 彦 , KATO, TAKAHIKO
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/60 , H01M14/00 , H01L31/0224
摘要： 本發明的電極形成用組成物含有：含磷的銅合金粒子、含錫的粒子、含有特定金屬元素M的粒子、玻璃粒子、溶劑、及樹脂，其中M為選自由Li、Be、Na、Mg、K、Ca、Rb、Sr、Cs、Ba、Fr、Ra、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Pd、Ag、Cd、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Al、Ga、Ge、In、Sb、Tl、Pb、Bi及Po所組成的組群中的至少1種。
简体摘要： 本发明的电极形成用组成物含有：含磷的铜合金粒子、含锡的粒子、含有特定金属元素M的粒子、玻璃粒子、溶剂、及树脂，其中M为选自由Li、Be、Na、Mg、K、Ca、Rb、Sr、Cs、Ba、Fr、Ra、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Pd、Ag、Cd、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Al、Ga、Ge、In、Sb、Tl、Pb、Bi及Po所组成的组群中的至少1种。
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公开(公告)号：TW201411862A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102126000
申请日：2013-07-19
发明人： 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 田中徹 , TANAKA, TOORU , 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO , 早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI , 服部孝司 , HATTORI, TAKASHI , 松村三江子 , MATSUMURA, MIEKO , 渡邉敬司 , WATANABE, KEIJI , 森下真年 , MORISHITA, MASATOSHI , 濱村浩孝 , HAMAMURA, HIROTAKA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本發明提供一種太陽電池元件，其含有：半導體基板，具有受光面及與上述受光面相反側的背面，且於上述背面具有含有p型雜質的p型擴散區域及含有n型雜質的n型擴散區域；鈍化層，設置於上述半導體基板的背面的一部分或全部的區域，含有選自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2所組成的組群中的一種以上；第一金屬電極，設置於上述p型擴散區域的至少一部分；以及第二金屬電極，設置於上述n型擴散區域的至少一部分。
简体摘要： 本发明提供一种太阳电池组件，其含有：半导体基板，具有受光面及与上述受光面相反侧的背面，且于上述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域；钝化层，设置于上述半导体基板的背面的一部分或全部的区域，含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2所组成的组群中的一种以上；第一金属电极，设置于上述p型扩散区域的至少一部分；以及第二金属电极，设置于上述n型扩散区域的至少一部分。
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公开(公告)号：TW201409731A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102125999
申请日：2013-07-19
发明人： 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 田中徹 , TANAKA, TOORU , 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO , 早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI , 服部孝司 , HATTORI, TAKASHI , 松村三江子 , MATSUMURA, MIEKO , 渡邉敬司 , WATANABE, KEIJI , 森下真年 , MORISHITA, MASATOSHI , 濱村浩孝 , HAMAMURA, HIROTAKA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本發明提供一種太陽電池元件，其具有：半導體基板，具有受光面及與上述受光面為相反側的背面；第一雜質擴散區域，配置於上述受光面的一部分上，且擴散有雜質；第二雜質擴散區域，配置於上述受光面上，且雜質濃度低於第一雜質擴散區域；受光面電極，配置於上述第一雜質擴散區域的至少一部分上；背面電極，配置於上述背面上；以及鈍化層，配置於上述受光面及背面的至少一個面上，且含有選自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2所組成的組群中的一種以上。
简体摘要： 本发明提供一种太阳电池组件，其具有：半导体基板，具有受光面及与上述受光面为相反侧的背面；第一杂质扩散区域，配置于上述受光面的一部分上，且扩散有杂质；第二杂质扩散区域，配置于上述受光面上，且杂质浓度低于第一杂质扩散区域；受光面电极，配置于上述第一杂质扩散区域的至少一部分上；背面电极，配置于上述背面上；以及钝化层，配置于上述受光面及背面的至少一个面上，且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2所组成的组群中的一种以上。
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7.发明专利鈍化層形成用組成物、帶有鈍化層的半導體基板、帶有鈍化層的半導體基板的製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法及太陽電池 审中-公开钝化层形成用组成物、带有钝化层的半导体基板、带有钝化层的半导体基板的制造方法、太阳电池组件、太阳电池组件的制造方法及太阳电池
公开(公告)号：TW201408676A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102126034
申请日：2013-07-19
发明人： 早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 田中徹 , TANAKA, TOORU , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO , 服部孝司 , HATTORI, TAKASHI , 松村三江子 , MATSUMURA, MIEKO , 渡邉敬司 , WATANABE, KEIJI , 森下真年 , MORISHITA, MASATOSHI , 濱村浩孝 , HAMAMURA, HIROTAKA
IPC分类号： C07F5/00 , C07F7/00 , C07F9/00 , C07F5/06 , H01L31/0248 , H01L31/04 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本發明提供一種鈍化層形成用組成物，其含有通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物與選自由脂肪酸醯胺、聚烯烴二醇化合物及有機填料所組成的組群中的至少一種。M含有選自由Nb、Ta、V、Y及Hf所組成的組群中的至少一種金屬元素。R1分別獨立地表示碳數1~8的烷基或碳數6~14的芳基。m表示1~5的整數。
简体摘要： 本发明提供一种钝化层形成用组成物，其含有通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物与选自由脂肪酸酰胺、聚烯烃二醇化合物及有机填料所组成的组群中的至少一种。M含有选自由Nb、Ta、V、Y及Hf所组成的组群中的至少一种金属元素。R1分别独立地表示碳数1~8的烷基或碳数6~14的芳基。m表示1~5的整数。
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公开(公告)号：TW201406768A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102125996
申请日：2013-07-19
发明人： 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 田中徹 , TANAKA, TOORU , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 早坂剛 , HAYASAKA, TSUYOSHI , 服部孝司 , HATTORI, TAKASHI , 松村三江子 , MATSUMURA, MIEKO , 渡邉敬司 , WATANABE, KEIJI , 森下真年 , MORISHITA, MASATOSHI , 濱村浩孝 , HAMAMURA, HIROTAKA
CPC分类号： H01L31/02167 , C08G77/58 , C08K5/05 , C08L83/02 , C09D183/02 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本發明提供一種鈍化層形成用組成物，其含有：通式(I)所表示的烷醇鹽的至少一種，選自由鈦化合物、鋯化合物及烷醇矽所組成的組群中的至少一種化合物，溶劑以及樹脂。M(OR1)m (I) 通式(I)中，M含有選自由Nb、Ta、V、Y及Hf所組成的組群中的至少一種金屬元素。R1表示碳數1~8的烷基或碳數6~14的芳基。m表示1~5的整數。
简体摘要： 本发明提供一种钝化层形成用组成物，其含有：通式(I)所表示的烷醇盐的至少一种，选自由钛化合物、锆化合物及烷醇硅所组成的组群中的至少一种化合物，溶剂以及树脂。M(OR1)m (I) 通式(I)中，M含有选自由Nb、Ta、V、Y及Hf所组成的组群中的至少一种金属元素。R1表示碳数1~8的烷基或碳数6~14的芳基。m表示1~5的整数。
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公开(公告)号：TW201332897A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW102100929
申请日：2013-01-10
发明人： 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 町井洋一 , MACHII, YOICHI , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 清水麻理 , SHIMIZU, MARI , 佐藤鉄也 , SATO, TETSUYA , 芦沢寅之助 , ASHIZAWA, TORANOSUKE
IPC分类号： C01F11/18 , H01L21/22 , H01L21/30 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L21/2254 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本發明提供一種阻擋層形成用組成物，包含：含有鹼土金屬或鹼金屬的金屬化合物、分散介質及觸變劑。
简体摘要： 本发明提供一种阻挡层形成用组成物，包含：含有碱土金属或碱金属的金属化合物、分散介质及触变剂。
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10.发明专利形成ｎ型擴散層的組成物、ｎ型擴散層的形成方法、附ｎ型擴散層的半導體基板的製造方法以及太陽電池元件的製造方法 有权形成ｎ型扩散层的组成物、ｎ型扩散层的形成方法、附ｎ型扩散层的半导体基板的制造方法以及太阳电池组件的制造方法
公开(公告)号：TWI664742B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW103129439
申请日：2014-08-27
发明人： 佐藤鉄也 , SATO, TETSUYA , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 芦沢寅之助 , ASHIZAWA, TORANOSUKE , 町井洋一 , MACHII, YOICHI , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 清水麻理 , SHIMIZU, MARI , 佐藤英一 , SATOU, EIICHI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L21/225
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