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    發光元件
    4.
    发明专利
    發光元件 审中-公开
    发光组件

    公开(公告)号：TW201733407A

    公开(公告)日：2017-09-16

    申请号：TW106120797

    申请日：2013-10-15

    申请人： 晶元光電股份有限公司 ,  EPISTAR CORPORATION

    发明人： 廖文祿 ,  LIAO,WEN-LUH ,  鄭鴻達 ,  CHEN,HUNG-TA ,  張耀儒 ,  CHANG,YAO-RU ,  陳世益 ,  CHEN,SHIH-I ,  許嘉良 ,  HSU,CHIA-LIANG

    IPC分类号： H05B33/02

    摘要： 本發明提供一種發光元件。發光元件包含︰一發光疊層，包含一活性層； 一透明絕緣層位於發光疊層之上；及 一電極區，係包含一第一電極位於透明絕緣層之上； 一電接觸層，位於發光疊層之上且接觸透明絕緣層；其中電極區更包含一延伸電極包覆電接觸層，且部分透明絕緣層覆蓋於部分電接觸層之上。

    简体摘要： 本发明提供一种发光组件。发光组件包含︰一发光叠层，包含一活性层； 一透明绝缘层位于发光叠层之上；及 一电极区，系包含一第一电极位于透明绝缘层之上； 一电接触层，位于发光叠层之上且接触透明绝缘层；其中电极区更包含一延伸电极包复电接触层，且部分透明绝缘层覆盖于部分电接触层之上。

    發光元件及其製造方法
    5.
    发明专利
    發光元件及其製造方法 审中-公开
    发光组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW201818568A

    公开(公告)日：2018-05-16

    申请号：TW107104451

    申请日：2013-10-22

    申请人： 晶元光電股份有限公司 ,  EPISTAR CORPORATION

    发明人： 廖文祿 ,  LIAO,WEN LUH ,  呂志強 ,  LU,CHIH CHIANG ,  李世昌 ,  LEE,SHIH CHANG ,  鄭鴻達 ,  CHENG,HUNG TA ,  鍾昕展 ,  CHUNG,HSIN CHAN ,  林義傑 ,  LIN,YI CHIEH

    IPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/30

    摘要： 本發明係揭露一種發光元件及其製造方法。本發明所揭露之發光元件包含︰一發光疊層；以及一半導體層具有一第一表面鄰接上述發光疊層、一第二表面相對於上述第一表面，以及一孔洞，上述孔洞包含一底部接近上述第一表面及一開口位於上述第二表面，其中上述孔洞之底部具有一寬度大於上述開口之寬度。

    简体摘要： 本发明系揭露一种发光组件及其制造方法。本发明所揭露之发光组件包含︰一发光叠层；以及一半导体层具有一第一表面邻接上述发光叠层、一第二表面相对于上述第一表面，以及一孔洞，上述孔洞包含一底部接近上述第一表面及一开口位于上述第二表面，其中上述孔洞之底部具有一宽度大于上述开口之宽度。

    發光元件
    8.
    发明专利
    發光元件 审中-公开
    发光组件

    公开(公告)号：TW201515505A

    公开(公告)日：2015-04-16

    申请号：TW102137244

    申请日：2013-10-15

    申请人： 晶元光電股份有限公司 ,  EPISTAR CORPORATION

    发明人： 廖文祿 ,  LIAO, WEN LUH ,  鄭鴻達 ,  CHEN, HUNG TA ,  張耀儒 ,  CHANG, YAO RU ,  陳世益 ,  CHEN, SHIH I ,  許嘉良 ,  HSU, CHIA LIANG

    IPC分类号： H05B33/02

    CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/06 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

    摘要： 本發明揭露一發光元件，包含：一發光疊層，至少包含一活性層；一透明絕緣層位於發光疊層之上，透明絕緣層具有一邊緣；及一電極區，係包含一第一電極位於透明絕緣層之上，且第一電極具有一邊緣；其中第一電極遠離透明絕緣層的表面之表面積小於透明絕緣層遠離發光疊層之表面的表面積，且透明絕緣層之折射率係介於1至3.4之間，穿透率(T%)係大於80%。

    简体摘要： 本发明揭露一发光组件，包含：一发光叠层，至少包含一活性层；一透明绝缘层位于发光叠层之上，透明绝缘层具有一边缘；及一电极区，系包含一第一电极位于透明绝缘层之上，且第一电极具有一边缘；其中第一电极远离透明绝缘层的表面之表面积小于透明绝缘层远离发光叠层之表面的表面积，且透明绝缘层之折射率系介于1至3.4之间，穿透率(T%)系大于80%。