利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

25 条记录 (耗时 0.021 秒)

    發光元件
    4.
    发明专利
    發光元件 审中-公开
    发光组件

    公开(公告)号：TW201828500A

    公开(公告)日：2018-08-01

    申请号：TW107101738

    申请日：2018-01-17

    申请人： 晶元光電股份有限公司 ,  EPISTAR CORPORATION

    发明人： 陳昭興 ,  CHEN, CHAO-HSING ,  王佳琨 ,  WANG, JIA-KUEN ,  曾咨耀 ,  TSENG, TZU-YAO ,  莊文宏 ,  CHUANG, WEN-HUNG ,  呂政霖 ,  LU, CHENG-LIN

    IPC分类号： H01L33/48

    摘要： 一發光元件包含一半導體結構，其包含一第一半導體層，一第二半導體層，及一活性層位於第一半導體層和第二半導體層之間；一環繞部位於半導體結構上及/或環繞半導體結構以露出第一半導體層的一表面；一第一絕緣結構位於半導體結構上，包含複數個凸出部以覆蓋第一半導體層的表面的一部分及複數個凹陷部以露出第一半導體層的表面的其它部分；一第一接觸部分形成於環繞部上，並藉由複數個凹陷部以接觸第一半導體層的表面的其它部分；一第一焊墊形成在半導體結構上；以及一第二焊墊形成在半導體結構上。

    简体摘要： 一发光组件包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部位于半导体结构上及/或环绕半导体结构以露出第一半导体层的一表面；一第一绝缘结构位于半导体结构上，包含复数个凸出部以覆盖第一半导体层的表面的一部分及复数个凹陷部以露出第一半导体层的表面的其它部分；一第一接触部分形成于环绕部上，并借由复数个凹陷部以接触第一半导体层的表面的其它部分；一第一焊垫形成在半导体结构上；以及一第二焊垫形成在半导体结构上。

    發光裝置
    6.
    发明专利
    發光裝置 审中-公开
    发光设备

    公开(公告)号：TW201714326A

    公开(公告)日：2017-04-16

    申请号：TW104132582

    申请日：2015-10-02

    申请人： 晶元光電股份有限公司 ,  EPISTAR CORPORATION

    发明人： 謝明勳 ,  HSIEH, MIN-HSUN ,  陳昭興 ,  CHEN, CHAO-HSING

    IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/38

    摘要： 一種發光裝置，包含一發光二極體晶片、一第一延伸電極、一第二延伸電極與一通孔。發光二極體晶片包含一發光層、一第一電極、一與第一電極不同形狀的第二電極、及一側壁。此外，第一延伸電極與第二延伸電極的形狀與第一電極及第二電極的形狀不同。通孔延伸自發光二極體晶片，並接觸發光層與第二電極。

    简体摘要： 一种发光设备，包含一发光二极管芯片、一第一延伸电极、一第二延伸电极与一通孔。发光二极管芯片包含一发光层、一第一电极、一与第一电极不同形状的第二电极、及一侧壁。此外，第一延伸电极与第二延伸电极的形状与第一电极及第二电极的形状不同。通孔延伸自发光二极管芯片，并接触发光层与第二电极。

    發光元件及其製造方法
    7.
    发明专利
    發光元件及其製造方法 审中-公开
    发光组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW201818562A

    公开(公告)日：2018-05-16

    申请号：TW105136453

    申请日：2016-11-09

    申请人： 晶元光電股份有限公司 ,  EPISTAR CORPORATION

    发明人： 柯竣騰 ,  KO, CHUN-TENG ,  陳昭興 ,  CHEN, CHAO-HSING ,  王佳琨 ,  WANG, JIA-KUEN ,  郭彥良 ,  KUO, YEN-LIANG ,  陳誌濠 ,  CHEN, CHIH-HAO ,  鍾偉榮 ,  CHUNG, WEI-JUNG ,  王志銘 ,  WANG, CHIH-MING ,  彭韋智 ,  PENG, WEI-CHIH ,  洪詳竣 ,  HON, SCHANG-JING ,  林予堯 ,  LIN, YU-YAO

    IPC分类号： H01L33/02

    摘要： 一發光元件，包含：一半導體疊層具有一第一半導體層，一第二半導體層，以及一活性層位於第一半導體層及第二半導體層之間；一環繞暴露區，位於半導體疊層之週圍，暴露出第一半導體層之一表面；一導電層，位於第二半導體層上，具有一第一導電區延伸接觸環繞暴露區內之表面；一電極層，位於環繞暴露區上環繞半導體疊層並接觸導電層，包含一電極墊與半導體疊層不重疊；一外側絕緣層，覆蓋導電層之一部份及電極層，且包含一第一開口暴露導電層之另一部份；一接合層，覆蓋外側絕緣層，並經由第一開口與導電層之另一部份電性連接；以及一導電基板，其中半導體疊層位於接合層之一側，導電基板位於接合層相對於半導體疊層之另一側。

    简体摘要： 一发光组件，包含：一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一环绕暴露区，位于半导体叠层之周围，暴露出第一半导体层之一表面；一导电层，位于第二半导体层上，具有一第一导电区延伸接触环绕暴露区内之表面；一电极层，位于环绕暴露区上环绕半导体叠层并接触导电层，包含一电极垫与半导体叠层不重叠；一外侧绝缘层，覆盖导电层之一部份及电极层，且包含一第一开口暴露导电层之另一部份；一接合层，覆盖外侧绝缘层，并经由第一开口与导电层之另一部份电性连接；以及一导电基板，其中半导体叠层位于接合层之一侧，导电基板位于接合层相对于半导体叠层之另一侧。