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1.发明专利選擇性磊晶含矽材料且置換性摻雜結晶含矽材料之方法及裝置 METHODS AND APPARATUS FOR SELECTIVE EPITAXY OF SI-CONTAINING MATERIALS AND SUBSTITUTIONALLY DOPED CRYSTALLINE SI-CONTAINING MATERIAL 审中-公开选择性磊晶含硅材料且置换性掺杂结晶含硅材料之方法及设备 METHODS AND APPARATUS FOR SELECTIVE EPITAXY OF SI-CONTAINING MATERIALS AND SUBSTITUTIONALLY DOPED CRYSTALLINE SI-CONTAINING MATERIAL
公开(公告)号：TW201214526A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100122054
申请日：2011-06-23
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/30 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02529 , H01L21/02573 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636
摘要： 本發明揭露一種磊晶矽薄膜之形成方法，其係利用一改良式化學氣相沈積(mCVD)條件，並將設置在一腔室中的一基板暴露於具有相對較高流速之承載氣體及具有相對較低流速之矽前驅物中，在550℃以下之溫度及10 mTorr至200 Torr之壓力下進行沈積製程；此外，可以在結晶矽中以在內摻雜加入高等級之置換碳，其係藉由此改良式化學氣相沈積條件，以較高流速之矽源及碳源進行沈積製程，其中，矽源係為四矽烷，碳源係為十二甲基環己矽烷或四甲基二矽烷。
简体摘要： 本发明揭露一种磊晶硅薄膜之形成方法，其系利用一改良式化学气相沉积(mCVD)条件，并将设置在一腔室中的一基板暴露于具有相对较高流速之承载气体及具有相对较低流速之硅前驱物中，在550℃以下之温度及10 mTorr至200 Torr之压力下进行沉积制程；此外，可以在结晶硅中以在内掺杂加入高等级之置换碳，其系借由此改良式化学气相沉积条件，以较高流速之硅源及碳源进行沉积制程，其中，硅源系为四硅烷，碳源系为十二甲基环己硅烷或四甲基二硅烷。
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2.发明专利薄膜及利用環己矽烷之薄膜製造方法 THIN FILMS AND METHODS OF MAKING THEM USING CYCLOHEXASILANE 审中-公开薄膜及利用环己硅烷之薄膜制造方法 THIN FILMS AND METHODS OF MAKING THEM USING CYCLOHEXASILANE
公开(公告)号：TW201213599A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100122053
申请日：2011-06-23
申请人： 曼瑟森三汽油公司
发明人： 托雷斯二世 羅伯特 , 弗朗西斯 泰利 亞瑟 , 羽坂聰史 , 伯雷斑 保羅 大衛
CPC分类号： H01L21/02529 , C23C16/24 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要： 本發明揭露一種利用環己矽烷進行化學氣相沈積之方法，以便在基板上沈積形成磊晶含矽薄膜，本發明之方法係用於半導體製造中，其優點在於：可以均勻地沈積於異質表面，高沈積速率，及高製造良率。另外，當利用環己矽烷為矽源，並使用含碳氣體(如十二甲基環己矽烷或四甲基二矽烷)，同時以高流速改良化學氣相沈積製程條件時，藉由在內摻雜方式，結晶矽可以包含有高等級之置換碳。
简体摘要： 本发明揭露一种利用环己硅烷进行化学气相沉积之方法，以便在基板上沉积形成磊晶含硅薄膜，本发明之方法系用于半导体制造中，其优点在于：可以均匀地沉积于异质表面，高沉积速率，及高制造良率。另外，当利用环己硅烷为硅源，并使用含碳气体(如十二甲基环己硅烷或四甲基二硅烷)，同时以高流速改良化学气相沉积制程条件时，借由在内掺杂方式，结晶硅可以包含有高等级之置换碳。
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