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    透明導電薄膜處理腔室的原位清潔
    2.
    发明专利
    透明導電薄膜處理腔室的原位清潔 审中-公开
    透明导电薄膜处理腔室的原位清洁

    公开(公告)号：TW201410914A

    公开(公告)日：2014-03-16

    申请号：TW102131891

    申请日：2013-09-04

    申请人： 曼瑟森三汽油公司 ,  MATHESON TRI-GAS, INC.

    发明人： 衛斯 蓋里 ,  WYSE, CARRIE ,  米歇爾 葛藍 ,  MITCHELL, GLENN ,  托雷斯二世 羅伯特 ,  TORRES, JR., ROBERT ,  薩布拉瑪里昂 拉酷瑪 ,  SUBRAMANIAN, RAMKUMAR ,  神力學 ,  SHINRIKI, MANABU

    IPC分类号： C23C16/455

    CPC分类号： B08B7/00 ,  C11D11/0041 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4405

    摘要： 本發明所揭露的一種新型腔室清潔化學物質，可於低溫、氣相、原位進行氟摻雜二氧化錫薄膜的移除。該些新型腔室清潔化學物質使太陽能玻璃及低輻射玻璃的製造商能夠提升氟摻雜二氧化錫薄膜的品質，並同時降低成需藉由人力清潔的成本。本發明之功效在於提升產出量以及較佳品質的氟摻雜二氧化錫薄膜。其係藉由應用氣相、原位清潔分子，例如但不限於碘化氫、碘甲烷以及溴化氫，於氟摻雜二氧化錫薄膜沉積腔室的壁上以及設備，移除不必要的氟摻雜二氧化錫薄膜沉積物。應用原位清潔方式處理氟摻雜二氧化錫的透明導電薄膜相關的分子及技術，可為使用者可觀的收益及好處。

    简体摘要： 本发明所揭露的一种新型腔室清洁化学物质，可于低温、气相、原位进行氟掺杂二氧化锡薄膜的移除。该些新型腔室清洁化学物质使太阳能玻璃及低辐射玻璃的制造商能够提升氟掺杂二氧化锡薄膜的品质，并同时降低成需借由人力清洁的成本。本发明之功效在于提升产出量以及较佳品质的氟掺杂二氧化锡薄膜。其系借由应用气相、原位清洁分子，例如但不限于碘化氢、碘甲烷以及溴化氢，于氟掺杂二氧化锡薄膜沉积腔室的壁上以及设备，移除不必要的氟掺杂二氧化锡薄膜沉积物。应用原位清洁方式处理氟掺杂二氧化锡的透明导电薄膜相关的分子及技术，可为用户可观的收益及好处。

    原位產生碳醯氟化物或其任何變異體之分子蝕刻劑之方法及其應用
    3.
    发明专利
    原位產生碳醯氟化物或其任何變異體之分子蝕刻劑之方法及其應用 失效
    原位产生碳酰氟化物或其任何变异体之分子蚀刻剂之方法及其应用

    公开(公告)号：TW201410646A

    公开(公告)日：2014-03-16

    申请号：TW102120735

    申请日：2013-06-11

    申请人： 曼瑟森三汽油公司 ,  MATHESON TRI-GAS, INC.

    发明人： 米歇爾 葛藍 ,  MITCHELL, GLENN ,  薩布拉瑪里昂 拉酷瑪 ,  SUBRAMANIAN, RAMKUMAR ,  衛斯 蓋里L ,  WYSE, CARRIE L. ,  托雷斯二世 羅伯特 ,  TORRES, JR., ROBERT

    IPC分类号： C07C45/32 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： B01J19/087 ,  B01J19/081 ,  B01J19/088 ,  B01J19/123 ,  B01J19/125 ,  B01J19/126 ,  B01J19/127 ,  B01J19/128 ,  B01J19/129 ,  B01J2219/0883 ,  B01J2219/0892 ,  C01B31/00 ,  C01B32/00 ,  C01B32/80 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/31116 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

    摘要： 根據本發明，分子蝕刻劑碳醯氟化物COF2係提供以作為增加蝕刻及/或清潔及/或移除材料(例如在基板或加工腔室的腔室壁及其他元件上不要的薄膜及/或沉積物，以下簡稱「材料」)的效率。本發明之方法涉及激發與維持一電漿，無論其係遠端或原位，藉由逐步方式加入添加物，例如但不限於，飽和、不飽和、或部分不飽和且具有分子式CyFz之全氟碳化合物及/或碳氧化物(COx)至三氟化氮電漿，進入一化學氣相沉積腔室之中，進而產生碳醯氟化物COF2。三氟化氮可在化學氣相沉積腔室中的電漿之中進行激發，或是在距該化學氣相沉積腔室上游的一電漿遠端區域內進行激發。該(或該些)添加物可於該遠端電漿之上遊或下游進行導入，使得在清潔時，三氟化氮與該(或該些)添加物(以及任何電漿所生之流出物)均存在於化學氣相沉積腔室之中。

    简体摘要： 根据本发明，分子蚀刻剂碳酰氟化物COF2系提供以作为增加蚀刻及/或清洁及/或移除材料(例如在基板或加工腔室的腔室壁及其他组件上不要的薄膜及/或沉积物，以下简称“材料”)的效率。本发明之方法涉及激发与维持一等离子，无论其系远程或原位，借由逐步方式加入添加物，例如但不限于，饱和、不饱和、或部分不饱和且具有分子式CyFz之全氟碳化合物及/或碳氧化物(COx)至三氟化氮等离子，进入一化学气相沉积腔室之中，进而产生碳酰氟化物COF2。三氟化氮可在化学气相沉积腔室中的等离子之中进行激发，或是在距该化学气相沉积腔室上游的一等离子远程区域内进行激发。该(或该些)添加物可于该远程等离子之上游或下游进行导入，使得在清洁时，三氟化氮与该(或该些)添加物(以及任何等离子所生之流出物)均存在于化学气相沉积腔室之中。