公开(公告)号：TW201525207A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW103140267

申请日：2014-11-20

Applicant: 韓化石油化學公司 ,  HANWHA CHEMICAL CORPORATION

Inventor： 朴奎學 ,  PARK, KYU HAK ,  朴成殷 ,  PARK, SUNG EUN ,  朴濟城 ,  PARK, JEA SUNG ,  李熙東 ,  LEE, HEE DONG

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/12

CPC classification number: C01B33/035 ,  B01J19/087 ,  B01J2219/0809 ,  B01J2219/0815 ,  B01J2219/0828 ,  B01J2219/0837

Abstract: 提供一種使用化學氣相沉積而用於製造多晶矽的裝置。用於製造多晶矽的裝置包括：包括基底和反應器蓋的反應室；經由絕緣元件穿過基底而設置並與電源連接的至少一對電極；與電極對經由電極夾盤耦合且上端相互連接的至少一對極絲；以及蓋組件，其包括位在基底上圍繞電極對中各自的一側和上表面的電極蓋，與覆蓋電極蓋上表面的遮蓋。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种使用化学气相沉积而用于制造多晶硅的设备。用于制造多晶硅的设备包括：包括基底和反应器盖的反应室；经由绝缘组件穿过基底而设置并与电源连接的至少一对电极；与电极对经由电极夹盘耦合且上端相互连接的至少一对极丝；以及盖组件，其包括位在基底上围绕电极对中各自的一侧和上表面的电极盖，与覆盖电极盖上表面的遮盖。

公开(公告)号：TWI435844B

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：TW100143672

申请日：2011-11-29

Applicant: 東芝三菱電機產業系統股份有限公司 ,  TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION

Inventor： 中村紀幸 ,  NAKAMURA, NORIYUKI ,  田畑要一郎 ,  TABATA, YOICHIRO

IPC: C01B13/10

CPC classification number: B01J19/087 ,  B01J2219/0803 ,  B01J2219/0892 ,  C01B13/11 ,  C01B2201/20 ,  C01B2201/32 ,  C01B2201/70

公开(公告)号：TW201247532A

公开(公告)日：2012-12-01

申请号：TW101106848

申请日：2012-03-02

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司

Inventor： 日方威 ,  大久保總一郎

IPC: C01B ,  B82Y

CPC classification number: C01B31/0206 ,  B01J4/001 ,  B01J19/087 ,  B01J23/745 ,  B01J35/0033 ,  B01J35/06 ,  B01J37/34 ,  B01J37/348 ,  B01J2208/00415 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/162 ,  Y10S977/891

Abstract: 獲得一種可使奈米碳結構體長條化或形狀穩定化之奈米碳結構體之製造裝置及奈米碳結構體之製造方法。奈米碳結構體之製造裝置（1）具備使奈米碳結構體（20）成長之觸媒構件（4）、原料氣體供給部（11）及原料氣體供給管（5）、線圈（7、8）、及加熱器（6）。原料氣體供給部（11）及原料氣體供給管（5）將用以構成奈米碳管（20）之碳供給至觸媒構件（4）。線圈（7、8）施加磁場強度自觸媒構件（4）之一表面朝向與該一表面對向之另一表面逐漸變高的梯度磁場（例如由磁通線（9、10）所示之會切磁場（cusp magnetic field））。加熱器（6）對觸媒構件（4）進行加熱。

Abstract in simplified Chinese: 获得一种可使奈米碳结构体长条化或形状稳定化之奈米碳结构体之制造设备及奈米碳结构体之制造方法。奈米碳结构体之制造设备（1）具备使奈米碳结构体（20）成长之触媒构件（4）、原料气体供给部（11）及原料气体供给管（5）、线圈（7、8）、及加热器（6）。原料气体供给部（11）及原料气体供给管（5）将用以构成奈米碳管（20）之碳供给至触媒构件（4）。线圈（7、8）施加磁场强度自触媒构件（4）之一表面朝向与该一表面对向之另一表面逐渐变高的梯度磁场（例如由磁通线（9、10）所示之会切磁场（cusp magnetic field））。加热器（6）对触媒构件（4）进行加热。

公开(公告)号：TW200723659A

公开(公告)日：2007-06-16

申请号：TW095130091

申请日：2006-08-16

Applicant: MKS儀器公司 MKS INSTRUMENTS, INC.

Inventor： 艾傑 亞肯 ELKIN, IGOR ,  亞倫 米勒恩 MILLNER, ALAN ,  肯 崔恩 TRAN, KEN ,  瑪胡瓦提 喬許 JOSHI, MADHUWANTI

IPC: H02M ,  B01J

CPC classification number: B01J19/087 ,  C01B13/115 ,  H02M5/4585 ,  H02M7/537 ,  Y02B70/1441 ,  Y02B70/145 ,  Y02P20/121

Abstract: 本發明揭示一種用以產生臭氧之無變壓式電源供應器。該電源供應器較有利地降低成本並增加臭氧產生器之可靠性。該電源供應器將來自一電源之一第一交流電壓提供至一共振電路,而該共振電路將一第二交流電壓提供至該臭氧產生單元,該第二交流電壓大於該第一交流電壓。用於該電源供應器之一控制器調適該電路之共振以提供對該電路之高品質(high Q)電路組件値之一寬廣容限之控制。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用以产生臭氧之无变压式电源供应器。该电源供应器较有利地降低成本并增加臭氧产生器之可靠性。该电源供应器将来自一电源之一第一交流电压提供至一共振电路,而该共振电路将一第二交流电压提供至该臭氧产生单元,该第二交流电压大于该第一交流电压。用于该电源供应器之一控制器调适该电路之共振以提供对该电路之高品质(high Q)电路组件値之一宽广容限之控制。

公开(公告)号：TW200609371A

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：TW094116105

申请日：2005-05-18

Applicant: 阿肯色大學理事會 BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ARKANSAS

Inventor： 比利 亞力山大 拉度 BIRIS, ALEXANDRU RADU ,  盧普 丹 LUPU, DAN ,  比利 亞力山大 索尼 BIRIS, ALEXANDRU SORIN ,  威肯 喬 戈登尼 WILKES, JON GARDNER ,  布札度 丹 亞力山大 BUZATU, DAN ALEXANDER ,  米勒 德懷特 韋恩 MILLER, DWIGHT WAYNE ,  達西 傑利 DARSEY, JERRY A.

IPC: C23C

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B01J19/087 ,  B01J23/44 ,  B01J23/755 ,  B01J23/88 ,  B01J2219/0875 ,  B01J2219/0892 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C23C16/46 ,  D01F9/127 ,  H05B6/108 ,  H05B2214/04

Abstract: 一種用於製造奈米結構之裝置與方法。在一實施例中，此裝置具有製程室，其具有：反應區；導電基座，具有設置於反應區中之催化劑；裝置，用於在反應區中提供隨時間改變之電磁場，而在導電基座中感應電流以產生熱流；以及裝置，用於在一組條件下將含碳氣體供應至反應區與催化劑反應，以允許形成奈米結構。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于制造奈米结构之设备与方法。在一实施例中，此设备具有制程室，其具有：反应区；导电基座，具有设置于反应区中之催化剂；设备，用于在反应区中提供随时间改变之电磁场，而在导电基座中感应电流以产生热流；以及设备，用于在一组条件下将含碳气体供应至反应区与催化剂反应，以允许形成奈米结构。

公开(公告)号：TWI532084B

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW099145807

申请日：2010-12-24

Applicant: 日產化學工業股份有限公司 ,  NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

Inventor： 古性均 ,  FURUSHO, HITOSHI ,  野原雄貴 ,  NOHARA, YUKI ,  渡邊久幸 ,  WATANABE, HISAYUKI ,  後藤裕一 ,  GOTO, YUICHI

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/46

CPC classification number: C08J3/28 ,  B01J19/081 ,  B01J19/087 ,  C08J2383/16 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/182 ,  H01L31/20 ,  H05H2245/123 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TWI516444B

公开(公告)日：2016-01-11

申请号：TW103110261

申请日：2014-03-19

Applicant: 瓦克化學公司 ,  WACKER CHEMIE AG

Inventor： 克勞斯 亨士 ,  KRAUS, HEINZ ,  海根 安卓亞斯 ,  HEGEN, ANDREAS ,  庫薩 克里斯汀 ,  KUTZA, CHRISTIAN

IPC: C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509

CPC classification number: B01J19/0073 ,  B01J19/087 ,  B01J2219/0807 ,  B01J2219/0837 ,  B01J2219/0875 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32513 ,  Y02P20/149

公开(公告)号：TW201524906A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW103126971

申请日：2014-08-06

Applicant: GTAT股份有限公司 ,  GTAT CORPORATION

Inventor： 利斯 麥可 哈洛 ,  LIESE, MICHAEL HARRO ,  弗爾曼 威爾弗瑞 ,  VOLLMAR, WILFRIED ,  沃恩納斯 凱西 麥可 ,  WORNATH, CASEY MICHAEL

IPC: C01B33/021 ,  B01J19/08

CPC classification number: C01B33/021 ,  B01J19/087 ,  B01J2219/0803 ,  B01J2219/0879 ,  C01B33/035 ,  H05B1/0233

Abstract: 本發明揭示一種為了矽生產點火一或多個絲之方法及系統，其包含使用與該一或多個絲連接之一變壓器將一輸出電壓施加至該一或多個絲。另外，該方法包含與該輸出電壓之該施加組合，經由一扼流圈而將一電流供應至該變壓器之一初級繞組以限制該電流至一第一預定電流臨限值範圍。該經供應電流與該經施加輸出電壓之該組合容許自起始要求點火該一或多個絲之一電力供應裝置產生之一預定輸出範圍。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种为了硅生产点火一或多个丝之方法及系统，其包含使用与该一或多个丝连接之一变压器将一输出电压施加至该一或多个丝。另外，该方法包含与该输出电压之该施加组合，经由一扼流圈而将一电流供应至该变压器之一初级绕组以限制该电流至一第一预定电流临限值范围。该经供应电流与该经施加输出电压之该组合容许自起始要求点火该一或多个丝之一电力供应设备产生之一预定输出范围。

公开(公告)号：TW201410646A

公开(公告)日：2014-03-16

申请号：TW102120735

申请日：2013-06-11

Applicant: 曼瑟森三汽油公司 ,  MATHESON TRI-GAS, INC.

Inventor： 米歇爾 葛藍 ,  MITCHELL, GLENN ,  薩布拉瑪里昂 拉酷瑪 ,  SUBRAMANIAN, RAMKUMAR ,  衛斯 蓋里L ,  WYSE, CARRIE L. ,  托雷斯二世 羅伯特 ,  TORRES, JR., ROBERT

IPC: C07C45/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B01J19/087 ,  B01J19/081 ,  B01J19/088 ,  B01J19/123 ,  B01J19/125 ,  B01J19/126 ,  B01J19/127 ,  B01J19/128 ,  B01J19/129 ,  B01J2219/0883 ,  B01J2219/0892 ,  C01B31/00 ,  C01B32/00 ,  C01B32/80 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/31116 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 根據本發明，分子蝕刻劑碳醯氟化物COF2係提供以作為增加蝕刻及/或清潔及/或移除材料(例如在基板或加工腔室的腔室壁及其他元件上不要的薄膜及/或沉積物，以下簡稱「材料」)的效率。本發明之方法涉及激發與維持一電漿，無論其係遠端或原位，藉由逐步方式加入添加物，例如但不限於，飽和、不飽和、或部分不飽和且具有分子式CyFz之全氟碳化合物及/或碳氧化物(COx)至三氟化氮電漿，進入一化學氣相沉積腔室之中，進而產生碳醯氟化物COF2。三氟化氮可在化學氣相沉積腔室中的電漿之中進行激發，或是在距該化學氣相沉積腔室上游的一電漿遠端區域內進行激發。該(或該些)添加物可於該遠端電漿之上遊或下游進行導入，使得在清潔時，三氟化氮與該(或該些)添加物(以及任何電漿所生之流出物)均存在於化學氣相沉積腔室之中。

Abstract in simplified Chinese: 根据本发明，分子蚀刻剂碳酰氟化物COF2系提供以作为增加蚀刻及/或清洁及/或移除材料(例如在基板或加工腔室的腔室壁及其他组件上不要的薄膜及/或沉积物，以下简称“材料”)的效率。本发明之方法涉及激发与维持一等离子，无论其系远程或原位，借由逐步方式加入添加物，例如但不限于，饱和、不饱和、或部分不饱和且具有分子式CyFz之全氟碳化合物及/或碳氧化物(COx)至三氟化氮等离子，进入一化学气相沉积腔室之中，进而产生碳酰氟化物COF2。三氟化氮可在化学气相沉积腔室中的等离子之中进行激发，或是在距该化学气相沉积腔室上游的一等离子远程区域内进行激发。该(或该些)添加物可于该远程等离子之上游或下游进行导入，使得在清洁时，三氟化氮与该(或该些)添加物(以及任何等离子所生之流出物)均存在于化学气相沉积腔室之中。

公开(公告)号：TW200734029A

公开(公告)日：2007-09-16

申请号：TW095141716

申请日：2006-11-10

Applicant: 奈米專賣股份有限公司 NANO-PROPRIETARY, INC.

Inventor： 詹姆斯 諾瓦克 NOVAK, JAMES ,  立維 亞尼夫 YANIV, ZVI ,  里查 芬克 FINK, RICHARD ,  伊格爾 帕夫洛夫斯基 PAVLOVSKY, IGOR

IPC: B01D ,  B01J

CPC classification number: B01J8/0285 ,  B01J19/087 ,  B01J21/063 ,  B01J21/066 ,  B01J23/002 ,  B01J23/06 ,  B01J23/14 ,  B01J23/22 ,  B01J23/31 ,  B01J35/0033 ,  B01J35/004 ,  B01J37/342 ,  B01J2208/00398 ,  B01J2208/00415 ,  B01J2208/00884 ,  B01J2208/025 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/00853 ,  B01J2219/00873 ,  B01J2219/0892 ,  B01J2523/00 ,  B01J2523/36 ,  B01J2523/47 ,  B01J2523/48 ,  B01J2523/55 ,  B01J2523/54 ,  B01J2523/68 ,  B01J2523/31

Abstract: 經由使用一施加電壓來提高費米能階能量(Fermi-level energy)因而增密傳導帶及可能的反應帶來提高觸媒的有效性。

Abstract in simplified Chinese: 经由使用一施加电压来提高费米能阶能量(Fermi-level energy)因而增密传导带及可能的反应带来提高触媒的有效性。