公开(公告)号：TW201707050A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105104371

申请日：2016-02-16

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 千葉洋一郎 ,  CHIBA, YOUICHIROU ,  入宇田啟樹 ,  IRIUDA, HIROKI ,  鈴木大介 ,  SUZUKI, DAISUKE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768

CPC classification number: C30B1/023 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/3247

Abstract: 本發明係一種被處理體的凹部之充填方法，該被處理體具備半導體基板及設在該半導體基板上的絕緣膜，前述凹部貫穿前述絕緣膜而延伸至前述半導體基板的內部為止，且該方法包括： (a)步驟，沿著劃定前述凹部的壁面形成實質上不含雜質的半導體材料之第一薄膜； (b)步驟，將前述被處理體在容器的內側退火，藉以由朝前述凹部的底端移動之前述第一薄膜的半導體材料，形成相應於前述半導體基板的結晶之磊晶區域； (c)步驟，將殘留在前述凹部的前述壁面之前述第一薄膜加以蝕刻； (d)步驟，對前述磊晶區域進行氣相摻雜； (e)步驟，沿著劃定前述凹部之壁面形成實質上不含雜質之半導體材料之第二薄膜； (f)步驟，將前述被處理體在前述容器內退火，藉以由朝前述凹部的底端移動之前述第二薄膜的半導體材料，進一步形成磊晶區域；以及(h)步驟，對殘留在前述凹部的前述壁面之前述第二薄膜及前述磊晶區域進行氣相摻雜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种被处理体的凹部之充填方法，该被处理体具备半导体基板及设在该半导体基板上的绝缘膜，前述凹部贯穿前述绝缘膜而延伸至前述半导体基板的内部为止，且该方法包括： (a)步骤，沿着划定前述凹部的壁面形成实质上不含杂质的半导体材料之第一薄膜； (b)步骤，将前述被处理体在容器的内侧退火，借以由朝前述凹部的底端移动之前述第一薄膜的半导体材料，形成相应于前述半导体基板的结晶之磊晶区域； (c)步骤，将残留在前述凹部的前述壁面之前述第一薄膜加以蚀刻； (d)步骤，对前述磊晶区域进行气相掺杂； (e)步骤，沿着划定前述凹部之壁面形成实质上不含杂质之半导体材料之第二薄膜； (f)步骤，将前述被处理体在前述容器内退火，借以由朝前述凹部的底端移动之前述第二薄膜的半导体材料，进一步形成磊晶区域；以及(h)步骤，对残留在前述凹部的前述壁面之前述第二薄膜及前述磊晶区域进行气相掺杂。

公开(公告)号：TWI624858B

公开(公告)日：2018-05-21

申请号：TW105104371

申请日：2016-02-16

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 千葉洋一郎 ,  CHIBA, YOUICHIROU ,  入宇田啟樹 ,  IRIUDA, HIROKI ,  鈴木大介 ,  SUZUKI, DAISUKE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768

公开(公告)号：TWI544105B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW101110843

申请日：2012-03-28

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 遠藤篤史 ,  ENDO, ATSUSHI ,  黑川昌毅 ,  KUROKAWA, MASAKI ,  入宇田啟樹 ,  IRIUDA, HIROKI

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/54 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67309 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI540657B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW101110840

申请日：2012-03-28

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 遠藤篤史 ,  ENDO, ATSUSHI ,  黑川昌毅 ,  KUROKAWA, MASAKI ,  入宇田啟樹 ,  IRIUDA, HIROKI

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271

公开(公告)号：TW201250904A

公开(公告)日：2012-12-16

申请号：TW101110840

申请日：2012-03-28

Applicant: 東京威力科創股份有限公司

Inventor： 遠藤篤史 ,  黑川昌毅 ,  入宇田啟樹

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271

Abstract: 一種直立批次式薄膜形成設備,包含:處理室,對複數處理目標共同進行薄膜形成處理;加熱裝置,加熱容納該複數處理目標;排放裝置,排空該處理室的內部;容納容器,容納該處理室;氣體供應機構,將處理中用的氣體供應至該容納容器中;及複數氣體導入孔,設置在該處理室的側壁中。該處理中用的氣體係藉由該複數氣體導入孔以平行該複數處理目標之處理表面的平行流的方式供應至該處理室中,且在不設定該處理室中之爐內溫度梯度的方式針對該複數處理目標共同進行該薄膜形成處理。

Abstract in simplified Chinese: 一种直立批次式薄膜形成设备,包含:处理室,对复数处理目标共同进行薄膜形成处理;加热设备,加热容纳该复数处理目标;排放设备,排空该处理室的内部;容纳容器,容纳该处理室;气体供应机构,将处理中用的气体供应至该容纳容器中;及复数气体导入孔,设置在该处理室的侧壁中。该处理中用的气体系借由该复数气体导入孔以平行该复数处理目标之处理表面的平行流的方式供应至该处理室中,且在不设置该处理室中之炉内温度梯度的方式针对该复数处理目标共同进行该薄膜形成处理。

公开(公告)号：TW201250045A

公开(公告)日：2012-12-16

申请号：TW101110843

申请日：2012-03-28

Applicant: 東京威力科創股份有限公司

Inventor： 遠藤篤史 ,  黑川昌毅 ,  入宇田啟樹

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67309 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種氧化矽薄膜與氮化矽薄膜的沉積方法，包含在基板上沉積氧化矽薄膜與氮化矽薄膜，且形成氮化矽薄膜的氣體中更包含硼。

Abstract in simplified Chinese: 一种氧化硅薄膜与氮化硅薄膜的沉积方法，包含在基板上沉积氧化硅薄膜与氮化硅薄膜，且形成氮化硅薄膜的气体中更包含硼。