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    凹部之充填方法及處理裝置
    2.
    发明专利
    凹部之充填方法及處理裝置 审中-公开
    凹部之充填方法及处理设备

    公开(公告)号：TW201707050A

    公开(公告)日：2017-02-16

    申请号：TW105104371

    申请日：2016-02-16

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 千葉洋一郎 ,  CHIBA, YOUICHIROU ,  入宇田啟樹 ,  IRIUDA, HIROKI ,  鈴木大介 ,  SUZUKI, DAISUKE

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768

    CPC分类号： C30B1/023 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/3247

    摘要： 本發明係一種被處理體的凹部之充填方法，該被處理體具備半導體基板及設在該半導體基板上的絕緣膜，前述凹部貫穿前述絕緣膜而延伸至前述半導體基板的內部為止，且該方法包括： (a)步驟，沿著劃定前述凹部的壁面形成實質上不含雜質的半導體材料之第一薄膜； (b)步驟，將前述被處理體在容器的內側退火，藉以由朝前述凹部的底端移動之前述第一薄膜的半導體材料，形成相應於前述半導體基板的結晶之磊晶區域； (c)步驟，將殘留在前述凹部的前述壁面之前述第一薄膜加以蝕刻； (d)步驟，對前述磊晶區域進行氣相摻雜； (e)步驟，沿著劃定前述凹部之壁面形成實質上不含雜質之半導體材料之第二薄膜； (f)步驟，將前述被處理體在前述容器內退火，藉以由朝前述凹部的底端移動之前述第二薄膜的半導體材料，進一步形成磊晶區域；以及(h)步驟，對殘留在前述凹部的前述壁面之前述第二薄膜及前述磊晶區域進行氣相摻雜。

    简体摘要： 本发明系一种被处理体的凹部之充填方法，该被处理体具备半导体基板及设在该半导体基板上的绝缘膜，前述凹部贯穿前述绝缘膜而延伸至前述半导体基板的内部为止，且该方法包括： (a)步骤，沿着划定前述凹部的壁面形成实质上不含杂质的半导体材料之第一薄膜； (b)步骤，将前述被处理体在容器的内侧退火，借以由朝前述凹部的底端移动之前述第一薄膜的半导体材料，形成相应于前述半导体基板的结晶之磊晶区域； (c)步骤，将残留在前述凹部的前述壁面之前述第一薄膜加以蚀刻； (d)步骤，对前述磊晶区域进行气相掺杂； (e)步骤，沿着划定前述凹部之壁面形成实质上不含杂质之半导体材料之第二薄膜； (f)步骤，将前述被处理体在前述容器内退火，借以由朝前述凹部的底端移动之前述第二薄膜的半导体材料，进一步形成磊晶区域；以及(h)步骤，对残留在前述凹部的前述壁面之前述第二薄膜及前述磊晶区域进行气相掺杂。

    凹部之充填方法及處理裝置
    3.
    发明专利
    凹部之充填方法及處理裝置 审中-公开
    凹部之充填方法及处理设备

    公开(公告)号：TW201703117A

    公开(公告)日：2017-01-16

    申请号：TW105104370

    申请日：2016-02-16

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 千葉洋一郎 ,  CHIBA, YOUICHIROU ,  山田匠 ,  YAMADA, TAKUMI ,  鈴木大介 ,  SUZUKI, DAISUKE

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22

    CPC分类号： H01L29/401 ,  C30B25/00 ,  H01L21/223 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/3247

    摘要： 本發明係一種被處理體的凹部之充填方法，該被處理體具備半導體基板及設在該半導體基板上的絕緣膜，前述凹部貫穿前述絕緣膜而延伸至前述半導體基板的內部為止，且該方法包括： (a)步驟，沿著劃分出前述凹部的壁面而形成半導體材料之第一薄膜； (b)步驟，氣相摻雜前述第一薄膜； (c)步驟，將前述被處理體在容器內退火，藉以不使經氣相摻雜的前述第一薄膜移動而沿著劃分出前述凹部之前述半導體基板的面，由前述第一薄膜的半導體材料形成相應於前述半導體基板的結晶之磊晶區域； (d)步驟，沿著劃分出前述凹部之壁面而形成半導體材料之第二薄膜；以及 (e)步驟，將前述被處理體在前述容器內退火，藉以由朝前述凹部的底部移動之前述第二薄膜的半導體材料，進一步形成磊晶區域。

    简体摘要： 本发明系一种被处理体的凹部之充填方法，该被处理体具备半导体基板及设在该半导体基板上的绝缘膜，前述凹部贯穿前述绝缘膜而延伸至前述半导体基板的内部为止，且该方法包括： (a)步骤，沿着划分出前述凹部的壁面而形成半导体材料之第一薄膜； (b)步骤，气相掺杂前述第一薄膜； (c)步骤，将前述被处理体在容器内退火，借以不使经气相掺杂的前述第一薄膜移动而沿着划分出前述凹部之前述半导体基板的面，由前述第一薄膜的半导体材料形成相应于前述半导体基板的结晶之磊晶区域； (d)步骤，沿着划分出前述凹部之壁面而形成半导体材料之第二薄膜；以及 (e)步骤，将前述被处理体在前述容器内退火，借以由朝前述凹部的底部移动之前述第二薄膜的半导体材料，进一步形成磊晶区域。

    凹部充填方法及處理裝置
    4.
    发明专利
    凹部充填方法及處理裝置 审中-公开
    凹部充填方法及处理设备

    公开(公告)号：TW201539657A

    公开(公告)日：2015-10-16

    申请号：TW103144686

    申请日：2014-12-22

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 柿本明修 ,  KAKIMOTO, AKINOBU ,  千葉洋一郎 ,  CHIBA, YOUICHIROU ,  山田匠 ,  YAMADA, TAKUMI ,  鈴木大介 ,  SUZUKI, DAISUKE

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67

    CPC分类号： H01L21/76877 ,  C30B1/023 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28531 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76879

    摘要： 一種被處理體之凹部充填方法，該被處理體具有半導體基板及設於該半導體基板上之絕緣膜，該凹部貫穿該絕緣膜俾使延伸至該半導體基板為止，該方法包含：沿著區隔該凹部之壁面形成摻雜雜質之第1半導體層之步驟，該第1半導體層包含沿著區隔該凹部之側壁面而延伸之第1非晶系半導體區域；於該第1半導體層上形成第2半導體層之步驟，該第2半導體層具有較該第1半導體層之雜質濃度為低之雜質濃度，且具有較該第1半導體層之膜厚為小之膜厚，該第2半導體層包含形成於該第1非晶系半導體區域上之第2非晶系半導體區域；將被處理體退火之步驟，於該凹部之底部，從該第1半導體層及該第2半導體層形成對應於該半導體基板之結晶之磊晶區；及蝕刻該第1非晶系半導體區域及該第2非晶系半導體區域之步驟。

    简体摘要： 一种被处理体之凹部充填方法，该被处理体具有半导体基板及设于该半导体基板上之绝缘膜，该凹部贯穿该绝缘膜俾使延伸至该半导体基板为止，该方法包含：沿着区隔该凹部之壁面形成掺杂杂质之第1半导体层之步骤，该第1半导体层包含沿着区隔该凹部之侧壁面而延伸之第1非晶系半导体区域；于该第1半导体层上形成第2半导体层之步骤，该第2半导体层具有较该第1半导体层之杂质浓度为低之杂质浓度，且具有较该第1半导体层之膜厚为小之膜厚，该第2半导体层包含形成于该第1非晶系半导体区域上之第2非晶系半导体区域；将被处理体退火之步骤，于该凹部之底部，从该第1半导体层及该第2半导体层形成对应于该半导体基板之结晶之磊晶区；及蚀刻该第1非晶系半导体区域及该第2非晶系半导体区域之步骤。

    凹部內之結晶成長方法及處理裝置與記錄媒體
    10.
    发明专利
    凹部內之結晶成長方法及處理裝置與記錄媒體 审中-公开
    凹部内之结晶成长方法及处理设备与记录媒体

    公开(公告)号：TW201801152A

    公开(公告)日：2018-01-01

    申请号：TW106106311

    申请日：2017-02-24

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 千葉洋一郎 ,  CHIBA, YOICHIRO ,  鈴木大介 ,  SUZUKI, DAISUKE ,  長谷部一秀 ,  HASEBE, KAZUHIDE

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/20 ,  H01L21/285 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C30B29/06

    CPC分类号： C30B1/026 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/52 ,  C30B29/68

    摘要： 本發明提供凹部內之結晶成長方法，其係對於具有已在表面形成凹部之絕緣膜之被處理基板，在該凹部內使結晶成長，其具有以下步驟：在該絕緣膜的表面，以不完全埋入該凹部的程度之厚度，而使第1膜成膜；接著，以蝕刻氣體對該第1膜進行蝕刻，而使該第1膜僅殘存於該凹部內之底部；接著，對該被處理基板施以退火，以使殘存於該凹部內之底部之第1膜成為結晶性層；繼而，在該絕緣膜的表面及該結晶性層的表面，以不完全埋入該凹部的程度之厚度，使該第2膜成膜；繼而，對該被處理基板施以退火，藉由固態磊晶成長方式，自該凹部內之底部使該第2膜結晶成長，而形成磊晶結晶層；接著，以蝕刻氣體以蝕刻方式而去除所殘存之該第2膜。

    简体摘要： 本发明提供凹部内之结晶成长方法，其系对于具有已在表面形成凹部之绝缘膜之被处理基板，在该凹部内使结晶成长，其具有以下步骤：在该绝缘膜的表面，以不完全埋入该凹部的程度之厚度，而使第1膜成膜；接着，以蚀刻气体对该第1膜进行蚀刻，而使该第1膜仅残存于该凹部内之底部；接着，对该被处理基板施以退火，以使残存于该凹部内之底部之第1膜成为结晶性层；继而，在该绝缘膜的表面及该结晶性层的表面，以不完全埋入该凹部的程度之厚度，使该第2膜成膜；继而，对该被处理基板施以退火，借由固态磊晶成长方式，自该凹部内之底部使该第2膜结晶成长，而形成磊晶结晶层；接着，以蚀刻气体以蚀刻方式而去除所残存之该第2膜。