公开(公告)号：TW201234543A

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：TW101102667

申请日：2012-01-20

申请人： 松下電器產業股份有限公司

发明人： 奧村真 ,  田浦巧 ,  中谷友洋 ,  友井田亮

IPC分类号： H01L

CPC分类号： B81C1/00365 ,  G01P15/00 ,  G01P15/125 ,  H01L23/057 ,  H01L23/10 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 埋入玻璃之矽基板之製造方法,具備:於矽基板(10)形成凹部(11)的步驟、於凹部(11)填充粉末狀、糊狀或者前驅體溶液之玻璃材料(20a)的步驟、加熱玻璃材料(20a)使其軟化的步驟、燒結使軟化的玻璃材料(20a)的步驟、在凹部(11)被填充玻璃材料(20a)的矽基板(10)的表背面使玻璃材料(20a)與矽基板(10)露出的步驟。

简体摘要： 埋入玻璃之硅基板之制造方法,具备:于硅基板(10)形成凹部(11)的步骤、于凹部(11)填充粉末状、煳状或者前驱体溶液之玻璃材料(20a)的步骤、加热玻璃材料(20a)使其软化的步骤、烧结使软化的玻璃材料(20a)的步骤、在凹部(11)被填充玻璃材料(20a)的硅基板(10)的表背面使玻璃材料(20a)与硅基板(10)露出的步骤。

公开(公告)号：TW201222629A

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：TW100110630

申请日：2011-03-28

申请人： 松下電器產業股份有限公司

发明人： 奧村真 ,  中谷友洋 ,  田浦巧 ,  友井田亮

IPC分类号： H01L

CPC分类号： B24B37/042 ,  B81C1/00507 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831 ,  G01P2015/088 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/15 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755

摘要： 本發明提供埋設玻璃的矽基板之製造方法，其係抑制由矽與玻璃之研磨率差異引起的研磨面落差。本發明之埋設玻璃的矽基板之製造方法，包含：第1步驟，在具有相反的第1及第2主面之矽基板的第1主面，形成在頂上部具備第1金屬膜的凸部；第2步驟，將具有相反的第3及第4主面之玻璃基板的第3主面疊合至矽基板的第1主面；第3步驟，將玻璃基板加熱使其軟化，並將玻璃基板的一部分埋設於矽基板凸部周圍；第4步驟，冷卻玻璃基板；以及第5步驟，均勻地削除玻璃基板的第4主面直到第1金屬膜露出於玻璃基板的第4主面；並且在第5步驟中至少實施伴隨有由研磨劑或研磨液所致化學性作用的機械性研磨。

简体摘要： 本发明提供埋设玻璃的硅基板之制造方法，其系抑制由硅与玻璃之研磨率差异引起的研磨面落差。本发明之埋设玻璃的硅基板之制造方法，包含：第1步骤，在具有相反的第1及第2主面之硅基板的第1主面，形成在顶上部具备第1金属膜的凸部；第2步骤，将具有相反的第3及第4主面之玻璃基板的第3主面叠合至硅基板的第1主面；第3步骤，将玻璃基板加热使其软化，并将玻璃基板的一部分埋设于硅基板凸部周围；第4步骤，冷却玻璃基板；以及第5步骤，均匀地削除玻璃基板的第4主面直到第1金属膜露出于玻璃基板的第4主面；并且在第5步骤中至少实施伴随有由研磨剂或研磨液所致化学性作用的机械性研磨。

公开(公告)号：TW201240025A

公开(公告)日：2012-10-01

申请号：TW100110632

申请日：2011-03-28

申请人： 松下電器產業股份有限公司

发明人： 田浦巧 ,  奧村真 ,  中谷友洋

IPC分类号： H01L

摘要： 本發明提供具有高可靠度之配線部52a的埋設矽配線之玻璃基板。埋設矽配線之玻璃基板包含:玻璃基板54,具有反方向之第1主面SF1與第2主面SF2;及矽構件(52a、55),配置於玻璃基板54之內部。又,矽構件(52a、55)包含:配線部52a,貫通於玻璃基板54的第1主面SF1與第2主面SF2之間;及包圍部55,在與第1主面SF1之法線垂直的方向上,包圍著配線部52a。

简体摘要： 本发明提供具有高可靠度之配线部52a的埋设硅配线之玻璃基板。埋设硅配线之玻璃基板包含:玻璃基板54,具有反方向之第1主面SF1与第2主面SF2;及硅构件(52a、55),配置于玻璃基板54之内部。又,硅构件(52a、55)包含:配线部52a,贯通于玻璃基板54的第1主面SF1与第2主面SF2之间;及包围部55,在与第1主面SF1之法线垂直的方向上,包围着配线部52a。

公开(公告)号：TW201246501A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW101102669

申请日：2012-01-20

申请人： 松下電器產業股份有限公司

发明人： 穗積潤一 ,  田浦巧 ,  奧村真 ,  中谷友洋 ,  友井田亮

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00301 ,  C03C15/00 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0834 ,  H01L21/486 ,  H01L23/057 ,  H01L23/10 ,  H01L23/15 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1461 ,  H05K1/0306 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 附貫穿電極基板之製造方法，係具備：於矽基板(51)及玻璃基板(54)中之任一方之基板形成凹部(21)或貫通孔(21B)之製程；於另一方之基板形成凸部(52)之製程；以使凸部(52)插入凹部(21)或貫通孔(21B)之狀態，使矽基板(51)與玻璃基板(54)重疊之製程；以及進行矽基板(51)與玻璃基板(54)之接合的製程。

简体摘要： 附贯穿电极基板之制造方法，系具备：于硅基板(51)及玻璃基板(54)中之任一方之基板形成凹部(21)或贯通孔(21B)之制程；于另一方之基板形成凸部(52)之制程；以使凸部(52)插入凹部(21)或贯通孔(21B)之状态，使硅基板(51)与玻璃基板(54)重叠之制程；以及进行硅基板(51)与玻璃基板(54)之接合的制程。

公开(公告)号：TW201234013A

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：TW101102866

申请日：2012-01-30

申请人： 松下電器產業股份有限公司

发明人： 田浦巧 ,  中谷友洋 ,  奧村真 ,  江田和夫 ,  後藤浩嗣 ,  屋地秀一

IPC分类号： G01P ,  B81C

CPC分类号： G01P15/125 ,  B81C1/00182 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0831 ,  G01P2015/0845

摘要： 將以露出於固定側基板(2a)之兩面的方式使矽貫穿所形成的貫穿矽(23a、23b、24a、24b)作為固定電極(20a、20b、21a、21b)，將金屬膜(25)成膜在貫穿矽(23a、23b、24a、24b)的外側露出面，並且在固定側基板(2a)的表面中的貫穿矽(23a、23b、24a、24b)的外側露出面以外的部位，以與金屬膜(25)分離的方式形成金屬膜(26)。接著，在將可動體基板(1)與固定側基板(2a)進行陽極接合時，使用金屬膜(25、26)，在固定側基板(2a)與可動體基板(1)之間設置電位差，另一方面使貫穿矽(23a、23b、24a、24b)與可動體基板(1)成為同電位。

简体摘要： 将以露出于固定侧基板(2a)之两面的方式使硅贯穿所形成的贯穿硅(23a、23b、24a、24b)作为固定电极(20a、20b、21a、21b)，将金属膜(25)成膜在贯穿硅(23a、23b、24a、24b)的外侧露出面，并且在固定侧基板(2a)的表面中的贯穿硅(23a、23b、24a、24b)的外侧露出面以外的部位，以与金属膜(25)分离的方式形成金属膜(26)。接着，在将可动体基板(1)与固定侧基板(2a)进行阳极接合时，使用金属膜(25、26)，在固定侧基板(2a)与可动体基板(1)之间设置电位差，另一方面使贯穿硅(23a、23b、24a、24b)与可动体基板(1)成为同电位。