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公开(公告)号：TWI671919B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106146670
申请日：2017-12-29
发明人： 邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 林雅雯 , LIN, YA-WEN
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公开(公告)号：TW201616671A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103136853
申请日：2014-10-24
发明人： 邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
摘要： 一種發光二極體封裝體的製造方法，包括如下步驟：提供磊晶結構其具有依次形成的第一導電基板上、N型氮化鎵層、多層量子井層、P型氮化鎵層；蝕刻磊晶結構的上部而形成多個交錯設置在第一導電基板上的且被第一通道間隔的第一半導體結構及第二半導體結構；形成第一絕緣層於第一通道的底端；將第二半導體結構蝕刻形成第三半導體結構；形成金屬層於所述第一半導體結構的周緣且電連接N型氮化鎵層及第一導電基板；去除第三半導體結構而形成多個晶粒於第一導電基板上；將晶粒分離；提供第二導電基板並將晶粒固定在第二導電基板上。
简体摘要： 一种发光二极管封装体的制造方法，包括如下步骤：提供磊晶结构其具有依次形成的第一导电基板上、N型氮化镓层、多层量子井层、P型氮化镓层；蚀刻磊晶结构的上部而形成多个交错设置在第一导电基板上的且被第一信道间隔的第一半导体结构及第二半导体结构；形成第一绝缘层于第一信道的底端；将第二半导体结构蚀刻形成第三半导体结构；形成金属层于所述第一半导体结构的周缘且电连接N型氮化镓层及第一导电基板；去除第三半导体结构而形成多个晶粒于第一导电基板上；将晶粒分离；提供第二导电基板并将晶粒固定在第二导电基板上。
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公开(公告)号：TWI531082B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW102111839
申请日：2013-04-02
发明人： 邱鏡學 , CHIU, CHING HSUEH , 林雅雯 , LIN, YA WEN , 凃博閔 , TU, PO MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH CHENG
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/10
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公开(公告)号：TW201613135A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103132870
申请日：2014-09-23
发明人： 邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/385
摘要： 一種發光二極體晶粒，包括一基板，依次設於基板一側之一預生長層、一第一絕緣層和一發光結構，其中，所述基板包括一第一電極，一第二電極和一絕緣部，所述第一電極包覆第二電極且與第二電極間隔設置，所述絕緣部設於所述第一電極和第二電極之間；發光二極體晶粒還包括設於所述預生長層側面週邊之一第二絕緣層和一金屬層。本發明還提供一種上述發光二極體晶粒之製造方法。
简体摘要： 一种发光二极管晶粒，包括一基板，依次设于基板一侧之一预生长层、一第一绝缘层和一发光结构，其中，所述基板包括一第一电极，一第二电极和一绝缘部，所述第一电极包覆第二电极且与第二电极间隔设置，所述绝缘部设于所述第一电极和第二电极之间；发光二极管晶粒还包括设于所述预生长层侧面周边之一第二绝缘层和一金属层。本发明还提供一种上述发光二极管晶粒之制造方法。
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公开(公告)号：TW201611334A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103133022
申请日：2014-09-24
发明人： 邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
CPC分类号： H01L33/22 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/00 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： 一種磊晶基板，可用於形成發光二極體，其包括透光基體、設置在透光基體上的第一緩衝層及第二緩衝層，所述透光基體包括第一表面及與第一表面相對的第二表面，多個凸起形成在所述透光基體的第一表面，所述第一緩衝層分別形成在所述多個凸起的表面，所述第二緩衝層填充凸起之間的凹槽且覆蓋所述第一緩衝層，所述第一緩衝層的折射率大於所述透光基體的折射率且小於所述第二緩衝層的折射率。本發明還涉及磊晶基板的製造方法以及採用該磊晶基板的發光二極體。
简体摘要： 一种磊晶基板，可用于形成发光二极管，其包括透光基体、设置在透光基体上的第一缓冲层及第二缓冲层，所述透光基体包括第一表面及与第一表面相对的第二表面，多个凸起形成在所述透光基体的第一表面，所述第一缓冲层分别形成在所述多个凸起的表面，所述第二缓冲层填充凸起之间的凹槽且覆盖所述第一缓冲层，所述第一缓冲层的折射率大于所述透光基体的折射率且小于所述第二缓冲层的折射率。本发明还涉及磊晶基板的制造方法以及采用该磊晶基板的发光二极管。
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公开(公告)号：TW201611333A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103133019
申请日：2014-09-24
发明人： 邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L2933/0016
摘要： 一種發光二極體，包括第一電極、第二電極以及磊晶結構，所述磊晶結構設置在所述第一電極上且分別與所述第一電極、第二電極電性連接，所述第二電極環繞所述磊晶結構的周緣側向，以將所述磊晶結構周緣側向的光線反射集中自磊晶結構的頂部出射。本發明還涉及這種發光二極體的製造方法。本發明的發光二極體及其製造方法，有效地解決了由於電極的反射而導致的發光二極體發光效率降低的問題。
简体摘要： 一种发光二极管，包括第一电极、第二电极以及磊晶结构，所述磊晶结构设置在所述第一电极上且分别与所述第一电极、第二电极电性连接，所述第二电极环绕所述磊晶结构的周缘侧向，以将所述磊晶结构周缘侧向的光线反射集中自磊晶结构的顶部出射。本发明还涉及这种发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管及其制造方法，有效地解决了由于电极的反射而导致的发光二极管发光效率降低的问题。
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公开(公告)号：TWI509830B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102117678
申请日：2013-05-20
发明人： 邱鏡學 , CHIU, CHING HSUEH , 林雅雯 , LIN, YA WEN , 凃博閔 , TU, PO MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH CHENG
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/007 , H01L33/06
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公开(公告)号：TW201515257A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW102133295
申请日：2013-09-13
发明人： 邱鏡學 , CHIU, CHING HSUEH , 林雅雯 , LIN, YA WEN , 凃博閔 , TU, PO MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH CHENG
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0083
摘要： 一種單光子光源組件製造方法，包括以下步驟：提供一前驅體，該前驅體包含一基板及在該基板上依次生長的一未摻雜的低溫GaN層、一未摻雜的高溫GaN層、一N型GaN層、一量子阱層和一結構層；蝕刻所述前驅體的結構層、量子阱層和N型GaN層並形成楔形結構的陣列和一平面區；蝕刻楔形結構為柱狀結構；在NH3 氣氛中對從以上步驟得到的半成品進行熱處理；在柱狀結構側面及柱狀結構之間的N型GaN層的上表面生長一高介電層；在柱狀結構的頂面所在平面之上依次生長一P型GaN層和一ITO層；在ITO層上和平面區上分別設置電極。
简体摘要： 一种单光子光源组件制造方法，包括以下步骤：提供一前驱体，该前驱体包含一基板及在该基板上依次生长的一未掺杂的低温GaN层、一未掺杂的高温GaN层、一N型GaN层、一量子阱层和一结构层；蚀刻所述前驱体的结构层、量子阱层和N型GaN层并形成楔形结构的数组和一平面区；蚀刻楔形结构为柱状结构；在NH3 气氛中对从以上步骤得到的半成品进行热处理；在柱状结构侧面及柱状结构之间的N型GaN层的上表面生长一高介电层；在柱状结构的顶面所在平面之上依次生长一P型GaN层和一ITO层；在ITO层上和平面区上分别设置电极。
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公开(公告)号：TWI566434B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW103141743
申请日：2014-12-02
发明人： 邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/12 , H01L2933/0083
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公开(公告)号：TWI560911B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104109258
申请日：2015-03-23
发明人： 邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
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