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公开(公告)号：TWI617055B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW101119205
申请日：2012-05-29
Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
Inventor： 海特 傑若米 荃朵拉 , BHAT, JEROME CHANDRA , 雅克藍 沙爾曼 , AKRAM, SALMAN , 史帝格沃 丹尼爾 亞歷山卓 , STEIGERWALD, DANIEL ALEXANDER
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/94 , H01L33/0079 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0066 , H01S5/02256
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公开(公告)号：TW201807840A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106128118
申请日：2017-08-18
Applicant: 新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
Inventor： 丁紹瀅 , TING, SHAO-YING , 蘭彥廷 , LAN, YAN-TING , 黃靖恩 , HUANG, JING-EN , 黃逸儒 , HUANG, YI-RU
CPC classification number: H01L33/08 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2933/0016
Abstract: 一種微型發光二極體，包括磊晶疊層、第一電極以及第二電極。磊晶疊層包括第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層。磊晶疊層具有第一平台部以及第二平台部並各別形成一第一型導電區以及一第二型導電區。第一電極設置於第一平台部。第二電極設置於第二平台部。第二電極與位於第二平台部的第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層接觸。另，一種微型發光二極體的製造方法亦被提供。
Abstract in simplified Chinese: 一种微型发光二极管，包括磊晶叠层、第一电极以及第二电极。磊晶叠层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。磊晶叠层具有第一平台部以及第二平台部并各别形成一第一型导电区以及一第二型导电区。第一电极设置于第一平台部。第二电极设置于第二平台部。第二电极与位于第二平台部的第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层接触。另，一种微型发光二极管的制造方法亦被提供。
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公开(公告)号：TWI615942B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW106116029
申请日：2013-08-15
Applicant: 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
Inventor： 謝明勳 , HSIEH,MIN-HSUN , 劉欣茂 , LIU,HSIN-MAO
IPC: H01L25/075
CPC classification number: H01L27/156 , G09G3/32 , H01L27/15 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
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公开(公告)号：TWI607583B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105106571
申请日：2011-05-09
Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , 飛利浦露明光學公司 , PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
Inventor： 戴安那 佛瑞德瑞克S , DIANA, FREDERIC S. , 邱 亨利 廣興 , CHOY, HENRY KWONG-HIN , 莫慶偉 , MO, QINGWEI , 路達斯 塞吉L , RUDAZ, SERGE L. , 衛 法蘭克L , WEI, FRANK L. , 史坦格沃 丹尼爾A , STEIGERWALD, DANIEL A.
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/08 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2933/0025 , H01L2933/005
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公开(公告)号：TWI603503B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW105141162
申请日：2012-03-16
Applicant: 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
Inventor： 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201733157A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106121021
申请日：2013-11-04
Applicant: 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
Inventor： 王誌賢 , WANG,JHIH-SIAN , 張耀儒 , CHNAG,YAO-RU , 黃意雯 , HUANG,YI-WEN , 劉國進 , LIU,GUO-JIN
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 一種發光元件，包含:一發光結構；複數第一接觸部彼此分離地形成在發光結構上；以及複數反射部，其中由一剖面觀之，該些反射部彼此分離地形成在該些第一接觸部之間，且該複數第一接觸部與該複數反射部的數量不同。
Abstract in simplified Chinese: 一种发光组件，包含:一发光结构；复数第一接触部彼此分离地形成在发光结构上；以及复数反射部，其中由一剖面观之，该些反射部彼此分离地形成在该些第一接触部之间，且该复数第一接触部与该复数反射部的数量不同。
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公开(公告)号：TWI595686B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW104125623
申请日：2015-08-06
Applicant: 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Inventor： 富澤英之 , TOMIZAWA, HIDEYUKI , 小島章弘 , KOJIMA, AKIHIRO , 島田美代子 , SHIMADA, MIYOKO , 秋元陽介 , AKIMOTO, YOSUKE , 古山英人 , FURUYAMA, HIDETO , 杉崎吉昭 , SUGIZAKI, YOSHIAKI
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50
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公开(公告)号：TW201707232A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW104144308
申请日：2015-12-29
Applicant: 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Inventor： 小幡進 , OBATA, SUSUMU , 小島章弘 , KOJIMA, AKIHIRO
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/505 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 根據本發明之實施形態，提供一種包含半導體部、第1金屬柱、第2金屬柱、及絕緣層之半導體發光裝置。上述半導體部包含第1面、上述第1面之相反側之第2面、及發光層。上述第2面包含與上述發光層重疊之第1區域、及不與上述發光層重疊之第2區域。上述第1金屬柱與上述第2區域電性連接。上述第1金屬柱包含第1金屬層、及第2金屬層。上述第2金屬層之硬度較上述第1金屬層之硬度硬。上述第1金屬層設置於上述第2面與上述第2金屬層之至少一部分之間。上述第2金屬柱於第2方向上與上述第1金屬柱並排，並與上述第1區域電性連接，上述第2方向與自上述第1面朝向上述第2面之第1方向交叉。上述第2金屬柱包含第3金屬層、及第4金屬層。上述第4金屬層之硬度較上述第3金屬層之硬度硬。上述第3金屬層設置於上述第2面與上述第4金屬層之至少一部分之間。上述絕緣層設置於上述第1金屬柱與上述第2金屬柱之間。
Abstract in simplified Chinese: 根据本发明之实施形态，提供一种包含半导体部、第1金属柱、第2金属柱、及绝缘层之半导体发光设备。上述半导体部包含第1面、上述第1面之相反侧之第2面、及发光层。上述第2面包含与上述发光层重叠之第1区域、及不与上述发光层重叠之第2区域。上述第1金属柱与上述第2区域电性连接。上述第1金属柱包含第1金属层、及第2金属层。上述第2金属层之硬度较上述第1金属层之硬度硬。上述第1金属层设置于上述第2面与上述第2金属层之至少一部分之间。上述第2金属柱于第2方向上与上述第1金属柱并排，并与上述第1区域电性连接，上述第2方向与自上述第1面朝向上述第2面之第1方向交叉。上述第2金属柱包含第3金属层、及第4金属层。上述第4金属层之硬度较上述第3金属层之硬度硬。上述第3金属层设置于上述第2面与上述第4金属层之至少一部分之间。上述绝缘层设置于上述第1金属柱与上述第2金属柱之间。
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公开(公告)号：TW201705533A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105115907
申请日：2012-04-05
Applicant: 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
Inventor： 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 謝明勳 , HSIEH,MIN-HSUN , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一發光裝置具有一第一電極；一發光疊層位於第一電極之上；一第一接觸層位於發光疊層之上，其中第一接觸層具有一第一接觸鏈以及複數個第一接觸線與第一接觸鏈連接；一第一導電柱位於發光疊層之中，且電連接第一電極與第一接觸層；以及一保護層介於第一導電柱與發光疊層之間。
Abstract in simplified Chinese: 一发光设备具有一第一电极；一发光叠层位于第一电极之上；一第一接触层位于发光叠层之上，其中第一接触层具有一第一接触链以及复数个第一接触线与第一接触链连接；一第一导电柱位于发光叠层之中，且电连接第一电极与第一接触层；以及一保护层介于第一导电柱与发光叠层之间。
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公开(公告)号：TWI540758B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW101112159
申请日：2012-04-05
Applicant: 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
Inventor： 陳怡名 , CHEN, YI MING , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 許嘉良 , HSU, CHIA LIANG
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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