光電組件及製造光電組件的方法
    2.
    发明专利
    光電組件及製造光電組件的方法 审中-公开
    光电组件及制造光电组件的方法

    公开(公告)号:TW201712895A

    公开(公告)日:2017-04-01

    申请号:TW105123664

    申请日:2016-07-27

    IPC分类号: H01L33/38 H01L33/46

    摘要: 本發明提供一種光電組件(100),具有:一載體(1),其具有一電性絕緣的型體(5);一半導體本體(2);以及一多層結構(3),其中,在橫向中該型體(5)至少以區域方式包圍著該半導體本體(2)。該多層結構(3)在橫向中至少以區域方式配置在該半導體本體(2)和該型體(5)之間,且該多層結構具有一金屬層(30)和一非金屬的邊界層(32),其中-該邊界層(32)在橫向中配置在該半導體本體(2)和該金屬層(30)之間、至少以區域方式鄰接於該半導體本體(2)、橫向地覆蓋該活性層(23)且在與該半導體本體(2)比較下具有較小的折射率,且-該金屬層(30)係用於防止:該組件操作時產生的、經由該邊界層的電磁輻射入射至該型體(5)。 此外,本發明提供一種製造一個或多個上述組件的方法。

    简体摘要: 本发明提供一种光电组件(100),具有:一载体(1),其具有一电性绝缘的型体(5);一半导体本体(2);以及一多层结构(3),其中,在横向中该型体(5)至少以区域方式包围着该半导体本体(2)。该多层结构(3)在横向中至少以区域方式配置在该半导体本体(2)和该型体(5)之间,且该多层结构具有一金属层(30)和一非金属的边界层(32),其中-该边界层(32)在横向中配置在该半导体本体(2)和该金属层(30)之间、至少以区域方式邻接于该半导体本体(2)、横向地覆盖该活性层(23)且在与该半导体本体(2)比较下具有较小的折射率,且-该金属层(30)系用于防止:该组件操作时产生的、经由该边界层的电磁辐射入射至该型体(5)。 此外,本发明提供一种制造一个或多个上述组件的方法。