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公开(公告)号:TWI589029B
公开(公告)日:2017-06-21
申请号:TW105123664
申请日:2016-07-27
发明人: 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡斯普薩克沙布拉卡 安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 拉斐爾 克利斯汀 , RAFAEL, CHRISTINE , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
CPC分类号: H01L33/60 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
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公开(公告)号:TW201712895A
公开(公告)日:2017-04-01
申请号:TW105123664
申请日:2016-07-27
发明人: 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡斯普薩克沙布拉卡 安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 拉斐爾 克利斯汀 , RAFAEL, CHRISTINE , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
CPC分类号: H01L33/60 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
摘要: 本發明提供一種光電組件(100),具有:一載體(1),其具有一電性絕緣的型體(5);一半導體本體(2);以及一多層結構(3),其中,在橫向中該型體(5)至少以區域方式包圍著該半導體本體(2)。該多層結構(3)在橫向中至少以區域方式配置在該半導體本體(2)和該型體(5)之間,且該多層結構具有一金屬層(30)和一非金屬的邊界層(32),其中-該邊界層(32)在橫向中配置在該半導體本體(2)和該金屬層(30)之間、至少以區域方式鄰接於該半導體本體(2)、橫向地覆蓋該活性層(23)且在與該半導體本體(2)比較下具有較小的折射率,且-該金屬層(30)係用於防止:該組件操作時產生的、經由該邊界層的電磁輻射入射至該型體(5)。 此外,本發明提供一種製造一個或多個上述組件的方法。
简体摘要: 本发明提供一种光电组件(100),具有:一载体(1),其具有一电性绝缘的型体(5);一半导体本体(2);以及一多层结构(3),其中,在横向中该型体(5)至少以区域方式包围着该半导体本体(2)。该多层结构(3)在横向中至少以区域方式配置在该半导体本体(2)和该型体(5)之间,且该多层结构具有一金属层(30)和一非金属的边界层(32),其中-该边界层(32)在横向中配置在该半导体本体(2)和该金属层(30)之间、至少以区域方式邻接于该半导体本体(2)、横向地覆盖该活性层(23)且在与该半导体本体(2)比较下具有较小的折射率,且-该金属层(30)系用于防止:该组件操作时产生的、经由该边界层的电磁辐射入射至该型体(5)。 此外,本发明提供一种制造一个或多个上述组件的方法。
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