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    光電半導體晶片及製造光電半導體晶片之方法
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    发明专利
    光電半導體晶片及製造光電半導體晶片之方法 审中-公开
    光电半导体芯片及制造光电半导体芯片之方法

    公开(公告)号：TW201721901A

    公开(公告)日：2017-06-16

    申请号：TW105131311

    申请日：2016-09-29

    申请人： 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    发明人： 哈特曼 雷納 ,  HARTMANN, RAINER ,  曼戴 馬丁 ,  MANDL, MARTIN ,  卡茲 西緬 ,  KATZ, SIMEON ,  魯克爾 安德烈斯 ,  RUECKERL, ANDREAS

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44

    CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L31/00 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025

    摘要： 一種光電半導體晶片(1)，特別是薄膜晶片的形式，包括：一載體(5)；一晶片前側和一晶片後側；以及一配置在載體(5)上的半導體本體(2)，其具有半導體層序列。此半導體層序列包括一活性區(20)，其配置在第一半導體層(21)和第二半導體層(22)之間。活性區(20)用於產生或接收電磁輻射。第一半導體層(21)可導電地第一接觸區(41)連接，第一接觸區(41)形成在晶片前側，特別是形成在半導體本體(2)旁。第二半導體層(22)可導電地第二接觸區(42)連接且第二接觸區(42)形成在晶片前側，特別是形成在半導體本體(2)旁。電性絕緣用的隔離層(6)形成在電性連接層和載體(5)之間、載體中或載體的後側上。

    简体摘要： 一种光电半导体芯片(1)，特别是薄膜芯片的形式，包括：一载体(5)；一芯片前侧和一芯片后侧；以及一配置在载体(5)上的半导体本体(2)，其具有半导体层串行。此半导体层串行包括一活性区(20)，其配置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间。活性区(20)用于产生或接收电磁辐射。第一半导体层(21)可导电地第一接触区(41)连接，第一接触区(41)形成在芯片前侧，特别是形成在半导体本体(2)旁。第二半导体层(22)可导电地第二接触区(42)连接且第二接触区(42)形成在芯片前侧，特别是形成在半导体本体(2)旁。电性绝缘用的隔离层(6)形成在电性连接层和载体(5)之间、载体中或载体的后侧上。