利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

4 条记录 (耗时 0.014 秒)

    半導體裝置及其製造方法
    1.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201707052A

    公开(公告)日：2017-02-16

    申请号：TW105107825

    申请日：2016-03-14

    申请人： 漢民科技股份有限公司 ,  HERMES-EPITEK CORP.

    发明人： 小林隆 ,  KOBAYASHI, TAKASHI ,  林伯融 ,  LIN, PO-JUNG ,  陳哲霖 ,  CHEN, CHE-LIN

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

    CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7786

    摘要： 一種半導體裝置包含：一基板、一緩衝層、及一裝置層。緩衝層沉積於基板上，且包括至少一氮化鎵磊晶層及沉積於氮化鎵磊晶層上的至少一插入層，其中一電子捕捉元素被摻雜入氮化鎵磊晶層的一區域，該區域係為鄰近該氮化鎵磊晶層及其上的插入層之間的一介面。裝置層則形成於緩衝層之上。藉由上述結構，氮化鎵磊晶層的電子被捕捉，而降低電子遷移率，並使得來自緩衝層漏電流被抑制，因此半導體裝置的性能也就被提升。本發明亦揭露一種製造上述半導體裝置的方法。

    简体摘要： 一种半导体设备包含：一基板、一缓冲层、及一设备层。缓冲层沉积于基板上，且包括至少一氮化镓磊晶层及沉积于氮化镓磊晶层上的至少一插入层，其中一电子捕捉元素被掺杂入氮化镓磊晶层的一区域，该区域系为邻近该氮化镓磊晶层及其上的插入层之间的一界面。设备层则形成于缓冲层之上。借由上述结构，氮化镓磊晶层的电子被捕捉，而降低电子迁移率，并使得来自缓冲层漏电流被抑制，因此半导体设备的性能也就被提升。本发明亦揭露一种制造上述半导体设备的方法。

    應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭
    3.
    发明专利
    應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭 审中-公开
    应用于化学气相沉积设备的气体分流喷头

    公开(公告)号：TW201738407A

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：TW105113169

    申请日：2016-04-27

    申请人： 漢民科技股份有限公司 ,  HERMES-EPITEK CORPORATION

    发明人： 林伯融 ,  LIN, PO-JUNG ,  陳哲霖 ,  CHEN, CHE-LIN ,  蔡長達 ,  TSAI, CHANG-DA ,  鍾步青 ,  CHUNG, BU-CHIN

    IPC分类号： C23C16/455 ,  B05B7/08

    CPC分类号： C23C16/45576 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45574

    摘要： 本發明相關於一種應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，該氣體分流噴頭包含至少一單層結構的氣體分流層，用以對各種氣體進行分流。此氣體分流層包含一圓盤狀主體、複數條第一氣體通道、複數條第二氣體通道、以及複數條第三氣體通道，其中，第一氣體通道、第二氣體通道、以及第三氣體通道以放射狀排列於圓盤狀主體中的同一水平面，用以供不同的氣體通過，而將不同的氣體經由不同的氣體通道於同一平面橫向注入化學氣相沈積裝置。藉此，本發明之氣體分流噴頭可以單層結構進行氣體分流。

    简体摘要： 本发明相关于一种应用于化学气相沉积设备的气体分流喷头，该气体分流喷头包含至少一单层结构的气体分流层，用以对各种气体进行分流。此气体分流层包含一圆盘状主体、复数条第一气体信道、复数条第二气体信道、以及复数条第三气体信道，其中，第一气体信道、第二气体信道、以及第三气体信道以放射状排列于圆盘状主体中的同一水平面，用以供不同的气体通过，而将不同的气体经由不同的气体信道于同一平面横向注入化学气相沉积设备。借此，本发明之气体分流喷头可以单层结构进行气体分流。