公开(公告)号：TWI591830B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW102110167

申请日：2013-03-22

Applicant: 獨立行政法人科學技術振興機構 ,  JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY

Inventor： 下田達也 ,  SHIMODA, TATSUYA ,  井上聰 ,  INOUE, SATOSHI ,  李金望 ,  LI, JINWANG ,  宮迫毅明 ,  MIYASAKO, TAKAAKI ,  潘 仲綏 ,  PHAN, TRONG TUE

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TW201342629A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：TW102110167

申请日：2013-03-22

Applicant: 獨立行政法人科學技術振興機構 ,  JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY

Inventor： 下田達也 ,  SHIMODA, TATSUYA ,  井上聰 ,  INOUE, SATOSHI ,  李金望 ,  LI, JINWANG ,  宮迫毅明 ,  MIYASAKO, TAKAAKI ,  潘 仲綏 ,  PHAN, TRONG TUE

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明之一薄膜電晶體係於閘極電極與通道之間具備有含有鑭與鋯之氧化物(可含不可避免之雜質。關於氧化物以下相同)的閘極絕緣層，通道係由含有銦與鋅且當銦為1時成為0.015以上0.075以下之原子數比的鋯(Zr)之第1氧化物、含有銦且含有當該銦(In)為1時成為0.055以上0.16以下之原子數比的鋯(Zr)之第2氧化物、或是含有銦且含有當該銦為1時成為0.055以上0.16以下之原子數比的鑭之第3氧化物所構成之通道用氧化物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之一薄膜晶体管系于闸极电极与信道之间具备有含有镧与锆之氧化物(可含不可避免之杂质。关于氧化物以下相同)的闸极绝缘层，信道系由含有铟与锌且当铟为1时成为0.015以上0.075以下之原子数比的锆(Zr)之第1氧化物、含有铟且含有当该铟(In)为1时成为0.055以上0.16以下之原子数比的锆(Zr)之第2氧化物、或是含有铟且含有当该铟为1时成为0.055以上0.16以下之原子数比的镧之第3氧化物所构成之信道用氧化物。