公开(公告)号：TW200833608A

公开(公告)日：2008-08-16

申请号：TW096147581

申请日：2007-12-13

Applicant: 羅門哈斯電子材料有限公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS, L.L.C.

Inventor： 史薩克 伊德 SZOCS, EDIT ,  史區華德 服利克斯J SCHWAGER, FELIX J. ,  格薩克 湯瑪斯 GAETHKE, THOMAS ,  柏瑞斯 納斯尼爾E BRESE, NATHANIEL E. ,  圖本 麥可P TOBEN, MICHAEL P.

IPC: C01G ,  C09K

CPC classification number: C25D3/54 ,  C25D3/56 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係揭露包括氫抑制劑化合物之銦組成物及自此組成物電化學地將銦金屬沉積至基板上之方法。亦揭露以此銦組成物所製成之物件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露包括氢抑制剂化合物之铟组成物及自此组成物电化学地将铟金属沉积至基板上之方法。亦揭露以此铟组成物所制成之对象。