公开(公告)号：TW202022157A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：TW108136976

申请日：2019-10-15

Applicant: 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 權炳錫 ,  KWON, BYUNG SEOK ,  庫許魯須薩 派瑞尚特庫馬 ,  KULSHRESHTHA, PRASHANT KUMAR ,  李 光德道格拉斯 ,  LEE, KWANGDUK DOUGLAS ,  博貝克 莎拉蜜雪兒 ,  BOBEK, SARAH MICHELLE

IPC: C23C16/54 ,  B08B7/00 ,  H01L21/67 ,  H01J37/317

Abstract: 提供了一種清潔半導體處理腔室的部件的方法。該方法包含將部件中的殘留物曝露於含有含氮氣體和含氧氣體的處理電漿。部件中的殘留物經歷化學反應而清潔部件。清潔了部件，將部件恢復到運行處理化學反應之前的條件。

Abstract in simplified Chinese: 提供了一种清洁半导体处理腔室的部件的方法。该方法包含将部件中的残留物曝露于含有含氮气体和含氧气体的处理等离子。部件中的残留物经历化学反应而清洁部件。清洁了部件，将部件恢复到运行处理化学反应之前的条件。

公开(公告)号：TW202027217A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108144046

申请日：2019-12-03

Applicant: 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 克哈嘉 艾比杜亞西斯 ,  KHAJA, ABDUL AZIZ ,  帕瑞米 芬卡塔莎瑞特山卓 ,  PARIMI, VENKATA SHARAT CHANDRA ,  博貝克 莎拉蜜雪兒 ,  BOBEK, SARAH MICHELLE ,  庫許魯須薩 派瑞尚特庫馬 ,  KULSHRESHTHA, PRASHANT KUMAR ,  普拉博哈卡爾 維納K ,  PRABHAKAR, VINAY K.

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: 本揭示案的態樣涉及用於處理腔室的基板支撐件的一或多個實現方式。在一實現方式中，一種基板支撐件包括：主體，該主體具有中心；以及支撐表面，該支撐表面在該主體上，該支撐表面經配置為至少部分地支撐基板。該基板支撐件包括：第一成角度壁，該第一成角度壁從該支撐表面向上且徑向向外延伸；以及第一上表面，該第一上表面設置在該支撐表面上方。該基板支撐件還包括第二成角度壁，該第二成角度壁從該第一上表面向上且徑向向外延伸，該第一上表面在該第一成角度壁與該第二成角度壁之間延伸。該基板支撐件還包括第二上表面，該第二上表面從該第二成角度壁延伸。該第二上表面設置在該第一上表面上方。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示案的态样涉及用于处理腔室的基板支撑件的一或多个实现方式。在一实现方式中，一种基板支撑件包括：主体，该主体具有中心；以及支撑表面，该支撑表面在该主体上，该支撑表面经配置为至少部分地支撑基板。该基板支撑件包括：第一成角度壁，该第一成角度壁从该支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，该第一上表面设置在该支撑表面上方。该基板支撑件还包括第二成角度壁，该第二成角度壁从该第一上表面向上且径向向外延伸，该第一上表面在该第一成角度壁与该第二成角度壁之间延伸。该基板支撑件还包括第二上表面，该第二上表面从该第二成角度壁延伸。该第二上表面设置在该第一上表面上方。