公开(公告)号：TW201841257A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW107103936

申请日：2018-02-05

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 阿奈巴里 蘭卡拉歐 ,  ARNEPALLI, RANGA RAO ,  葛拉迪亞 皮耶納桑薩利亞 ,  GORADIA, PRERNA SONTHALIA ,  維瑟爾 羅伯特詹 ,  VISSER, ROBERT JAN ,  茵可 尼汀 ,  INGLE, NITIN ,  柯羅立克 米克海爾 ,  KOROLIK, MIKHAIL ,  畢斯瓦思 潔怡塔 ,  BISWAS, JAYEETA ,  洛德哈 莎賴柏 ,  LODHA, SAURABH

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 蝕刻半導體基板的系統和方法可包括使含氧前驅物流到半導體處理腔室的基板處理區域中。基板處理區域可容納半導體基板，且半導體基板可包括曝露的含金屬材料。方法可包括使含氮前驅物流到基板處理區域中。方法可進一步包括移除一定量的含金屬材料。

简体摘要： 蚀刻半导体基板的系统和方法可包括使含氧前驱物流到半导体处理腔室的基板处理区域中。基板处理区域可容纳半导体基板，且半导体基板可包括曝露的含金属材料。方法可包括使含氮前驱物流到基板处理区域中。方法可进一步包括移除一定量的含金属材料。

公开(公告)号：TW201911412A

公开(公告)日：2019-03-16

申请号：TW107126980

申请日：2018-08-03

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 柯羅立克 米克海爾 ,  KOROLIK, MIKHAIL ,  茵可 尼汀 ,  INGLE, NITIN ,  凱爾西斯 迪米崔 ,  KIOUSSIS, DIMITRI

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 用於蝕刻含鍺材料的示例性方法可以包括在半導體處理腔室的遠端電漿區域中形成含氟前驅物的電漿。方法可以包括：使含氟前驅物的流出物流過腔室部件中限定的孔。孔可以被塗覆有催化材料。方法可以包括用催化材料來降低電漿流出物中的氟自由基的濃度。方法還可包括將電漿流出物遞送到半導體處理腔室的處理區域。具有含鍺材料的暴露區域的基板可以被容置在處理區域內。方法還可包括蝕刻含鍺材料。

简体摘要： 用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子区域中形成含氟前驱物的等离子。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子流出物中的氟自由基的浓度。方法还可包括将等离子流出物递送到半导体处理腔室的处理区域。具有含锗材料的暴露区域的基板可以被容置在处理区域内。方法还可包括蚀刻含锗材料。

公开(公告)号：TW201921455A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW107129955

申请日：2018-08-28

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 吉田尚美 ,  YOSHIDA, NAOMI ,  董琳 ,  DONG, LIN ,  孫世宇 ,  SUN, SHIYU ,  金鳴淳 ,  KIM, MYUNGSUM ,  金男成 ,  KIM, NAM SUNG ,  凱爾西斯 迪米崔 ,  KIOUSSIS, DIMITRI ,  柯羅立克 米克海爾 ,  KOROLIK, MIKHAIL ,  桑托羅 葛塔諾 ,  SANTORO, GAETANO ,  佩納 凡奈莎 ,  PENA, VANESSA

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

摘要： 本揭示案提供用於形成水平環繞式閘極(horizontal gate-all-around; hGAA)結構元件的方法。在一個實例中，一種方法包括選擇性地及橫向地蝕刻多材料層中之第一層的第一組側壁，其中該多材料層包括重複成對的第一層與第二層，該第一及第二層分別具有第一組及第二組側壁，來自第一層之第一組側壁經由多材料層中界定之開口而曝露，及一組內部間隔物，其形成於來自第二層的第二組側壁頂部；自第一層之第一組側壁形成一凹槽，並界定自形成於第二層頂部的內部間隔物的外部垂直表面起向內的垂直壁；及自第一層之凹槽起形成磊晶矽層。

简体摘要： 本揭示案提供用于形成水平环绕式闸极(horizontal gate-all-around; hGAA)结构组件的方法。在一个实例中，一种方法包括选择性地及横向地蚀刻多材料层中之第一层的第一组侧壁，其中该多材料层包括重复成对的第一层与第二层，该第一及第二层分别具有第一组及第二组侧壁，来自第一层之第一组侧壁经由多材料层中界定之开口而曝露，及一组内部间隔物，其形成于来自第二层的第二组侧壁顶部；自第一层之第一组侧壁形成一凹槽，并界定自形成于第二层顶部的内部间隔物的外部垂直表面起向内的垂直壁；及自第一层之凹槽起形成磊晶硅层。

公开(公告)号：TW201729283A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105136349

申请日：2016-11-09

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 王 非 ,  WANG, FEI ,  柯羅立克 米克海爾 ,  KOROLIK, MIKHAIL ,  英格爾 尼汀K ,  INGLE, NITIN K. ,  王安川 ,  WANG, ANCHUAN ,  維瑟爾 羅伯特詹 ,  VISSER, ROBERT JAN

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144

摘要： 本文描述蝕刻氮化矽比蝕刻矽或氧化矽快的方法。亦描述將額外材料選擇性沉積至氮化矽上的方法。氮化矽與氧化矽的暴露部分可皆存在於圖案化基材上。自組裝單層（SAM）選擇性地沉積覆於氧化矽上但不在暴露的氮化矽上。自組裝單層的分子包括頭部基團與尾部基團，該頭部基團在該暴露的氧化矽部分上以OH基形成鍵結，而該尾部基團延伸遠離該圖案化基材。之後可使用後續對蝕刻劑或沉積前驅物的暴露，以選擇性移除氮化矽或於氮化矽上選擇性沉積額外材料。

简体摘要： 本文描述蚀刻氮化硅比蚀刻硅或氧化硅快的方法。亦描述将额外材料选择性沉积至氮化硅上的方法。氮化硅与氧化硅的暴露部分可皆存在于图案化基材上。自组装单层（SAM）选择性地沉积覆于氧化硅上但不在暴露的氮化硅上。自组装单层的分子包括头部基团与尾部基团，该头部基团在该暴露的氧化硅部分上以OH基形成键结，而该尾部基团延伸远离该图案化基材。之后可使用后续对蚀刻剂或沉积前驱物的暴露，以选择性移除氮化硅或于氮化硅上选择性沉积额外材料。