公开(公告)号：TW201813142A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW107102025

申请日：2014-08-25

Applicant: 美商瓦里安半導體設備公司 ,  VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

Inventor： 王康妮 P. ,  WANG,CONNIE P. ,  沙利文保羅 ,  SULLIVAN,PAUL ,  墨菲保羅 ,  MURPHY,PAUL ,  特拉斯狄克可賽格D. ,  TEKLETSADIK,KASEGN D. ,  雷馬克利斯那巴拉特哇 ,  RAMAKRISHNAN,BHARATWAJ

IPC: H01L39/14 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/248 ,  H01B12/06 ,  H01L39/16 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本發明提供一種超導帶及其形成方法。在一實施例中，超導帶包括：基底，其包括多個層；定向超導層，位在基底上；以及合金塗層，位在超導層上，合金塗層包括一層或更多層的金屬層，其中至少一層金屬層包括金屬合金。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种超导带及其形成方法。在一实施例中，超导带包括：基底，其包括多个层；定向超导层，位在基底上；以及合金涂层，位在超导层上，合金涂层包括一层或更多层的金属层，其中至少一层金属层包括金属合金。

公开(公告)号：TWI666795B

公开(公告)日：2019-07-21

申请号：TW107102025

申请日：2014-08-25

Applicant: 美商瓦里安半導體設備公司 ,  VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

Inventor： 王康妮 P. ,  WANG,CONNIE P. ,  沙利文保羅 ,  SULLIVAN,PAUL ,  墨菲保羅 ,  MURPHY,PAUL ,  特拉斯狄克可賽格D. ,  TEKLETSADIK,KASEGN D. ,  雷馬克利斯那巴拉特哇 ,  RAMAKRISHNAN,BHARATWAJ

IPC: H01L39/14 ,  H01L39/24