公开(公告)号：TWI664716B

公开(公告)日：2019-07-01

申请号：TW107107980

申请日：2018-03-09

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 布蘭帝尤巴耶 蘇迪 ,  BANDYOPADHYAY, SUDIP ,  周健華 ,  CHOW, KEEN WAH ,  達塔 達文西庫馬爾 ,  DATTA, DEVESH KUMAR ,  金達 阿努拉格 ,  JINDAL, ANURAG ,  依克納米 大衛 羅斯 ,  ECONOMY, DAVID ROSS ,  麥爾軍 約翰 馬克 ,  MELDRIM, JOHN MARK

IPC: H01L27/11582 ,  H01L23/532 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/528

公开(公告)号：TW201843819A

公开(公告)日：2018-12-16

申请号：TW107107980

申请日：2018-03-09

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 布蘭帝尤巴耶 蘇迪 ,  BANDYOPADHYAY, SUDIP ,  周健華 ,  CHOW, KEEN WAH ,  達塔 達文西庫馬爾 ,  DATTA, DEVESH KUMAR ,  金達 阿努拉格 ,  JINDAL, ANURAG ,  依克納米 大衛 羅斯 ,  ECONOMY, DAVID ROSS ,  麥爾軍 約翰 馬克 ,  MELDRIM, JOHN MARK

IPC: H01L27/11582 ,  H01L23/532 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/528

Abstract: 一些實施例包含一種記憶體總成，其具有緊接於一導電源極之記憶體單元。通道材料沿該等記憶體單元延伸且與該導電源極電耦合。該導電源極在一絕緣材料上方且包含直接靠著該絕緣材料之一黏著材料。該黏著材料包括金屬、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、金屬矽化物、金屬碳化物、金屬氧化物、金屬氮氧化物及金屬氮化物之一或多者。該導電源極包含在該黏著材料上方且直接靠著該黏著材料之含金屬材料。該含金屬材料基本上由金屬組成。該導電源極包含在該含金屬材料上方且直接靠著該含金屬材料之一含金屬及氮材料，且包含在該含金屬及氮材料上方之一導電摻雜半導體材料。

Abstract in simplified Chinese: 一些实施例包含一种内存总成，其具有紧接于一导电源极之内存单元。信道材料沿该等内存单元延伸且与该导电源极电耦合。该导电源极在一绝缘材料上方且包含直接靠着该绝缘材料之一黏着材料。该黏着材料包括金属、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、金属硅化物、金属碳化物、金属氧化物、金属氮氧化物及金属氮化物之一或多者。该导电源极包含在该黏着材料上方且直接靠着该黏着材料之含金属材料。该含金属材料基本上由金属组成。该导电源极包含在该含金属材料上方且直接靠着该含金属材料之一含金属及氮材料，且包含在该含金属及氮材料上方之一导电掺杂半导体材料。