公开(公告)号：TW201820328A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106128402

申请日：2017-08-22

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  川村 克里斯多福 J ,  KAWAMURA, CHRISTOPHER J.

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/11502

Abstract: 本發明揭示包含鐵電記憶體及用於存取鐵電記憶體之裝置及方法。一種實例性方法包含：增大一電容器之一第一單元極板之一電壓以改變該電容器之一第二單元極板、一第二數位線及一第二感測節點之電壓。該第二單元極板及該第二數位線之電壓經減小以改變該第一單元極板、一第一數位線及一第一感測節點之電壓。回應於該第一節點之電壓大於該第二節點而將該第一節點驅動至一第一電壓且將該第二節點驅動至一第二電壓。回應於該第一節點之電壓小於該第二節點而將該第一節點驅動至該第二電壓且將該第二節點驅動至該第一電壓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示包含铁电内存及用于存取铁电内存之设备及方法。一种实例性方法包含：增大一电容器之一第一单元极板之一电压以改变该电容器之一第二单元极板、一第二数码线及一第二传感节点之电压。该第二单元极板及该第二数码线之电压经减小以改变该第一单元极板、一第一数码线及一第一传感节点之电压。回应于该第一节点之电压大于该第二节点而将该第一节点驱动至一第一电压且将该第二节点驱动至一第二电压。回应于该第一节点之电压小于该第二节点而将该第一节点驱动至该第二电压且将该第二节点驱动至该第一电压。

公开(公告)号：TWI663597B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：TW107114137

申请日：2018-04-26

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  沃 胡伊 T ,  VO, HUY T. ,  穆勒基 派翠克 ,  MULLARKEY, PATRICK ,  萊特 傑佛瑞 P ,  WRIGHT, JEFFREY P. ,  索爾 麥克 A ,  SHORE, MICHAEL A.

IPC: G11C11/4072 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094

公开(公告)号：TWI668687B

公开(公告)日：2019-08-11

申请号：TW106128402

申请日：2017-08-22

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  川村 克里斯多福 J ,  KAWAMURA, CHRISTOPHER J.

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/11502

公开(公告)号：TW201824274A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106128514

申请日：2017-08-23

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  川村 克里斯多福 J ,  KAWAMURA, CHRISTOPHER J.

IPC: G11C11/403 ,  G11C11/409 ,  G11C7/06 ,  G11C7/18 ,  G11C8/16

Abstract: 本發明揭露包含二電晶體一電容器之記憶體及用於存取此記憶體的裝置及方法。一種實例性裝置包含經耦合至第一選擇組件及第二選擇組件之一電容器。該裝置進一步包含一第一數位線及經組態以將該電容器之一第一極板耦合至該第一數位線之該第一選擇組件，且亦包含一第二數位線及經組態以將該第二極板耦合至該第二數位線之該第二選擇組件。一感測放大器經耦合至該第二數位線且經組態以放大經耦合至該第二數位線之一電壓與參考電壓之間的一電壓差。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露包含二晶体管一电容器之内存及用于存取此内存的设备及方法。一种实例性设备包含经耦合至第一选择组件及第二选择组件之一电容器。该设备进一步包含一第一数码线及经组态以将该电容器之一第一极板耦合至该第一数码线之该第一选择组件，且亦包含一第二数码线及经组态以将该第二极板耦合至该第二数码线之该第二选择组件。一传感放大器经耦合至该第二数码线且经组态以放大经耦合至该第二数码线之一电压与参考电压之间的一电压差。

公开(公告)号：TWI651720B

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：TW106128514

申请日：2017-08-23

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  川村 克里斯多福 J ,  KAWAMURA, CHRISTOPHER J.

IPC: G11C11/403 ,  G11C11/409 ,  G11C7/06 ,  G11C7/18 ,  G11C8/16

公开(公告)号：TWI650751B

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：TW106128400

申请日：2017-08-22

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  川村 克里斯多福 J ,  KAWAMURA, CHRISTOPHER J.

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/24

公开(公告)号：TW201812760A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106128403

申请日：2017-08-22

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  川村 克里斯多福 J ,  KAWAMURA, CHRISTOPHER J.

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/24 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C11/221 ,  G11C11/2253 ,  G11C11/2257 ,  G11C11/2259 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/2293 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11514 ,  H01L28/55 ,  H01L28/90

Abstract: 本發明揭示包含鐵電記憶體單元之裝置及方法。一例示性鐵電記憶體單元包含兩個電晶體及兩個電容器。另一例示性鐵電記憶體單元包含三個電晶體及兩個電容器。另一例示性鐵電記憶體單元包含四個電晶體及兩個電容器。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示包含铁电内存单元之设备及方法。一例示性铁电内存单元包含两个晶体管及两个电容器。另一例示性铁电内存单元包含三个晶体管及两个电容器。另一例示性铁电内存单元包含四个晶体管及两个电容器。

公开(公告)号：TWI681544B

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：TW107124056

申请日：2018-07-12

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  索爾 麥克 A ,  SHORE, MICHAEL A.

IPC: H01L27/11514 ,  H01L27/11597 ,  H01L27/11556

公开(公告)号：TWI667651B

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：TW106128403

申请日：2017-08-22

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  川村 克里斯多福 J ,  KAWAMURA, CHRISTOPHER J.

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/24 ,  H01L21/8239

公开(公告)号：TW201907399A

公开(公告)日：2019-02-16

申请号：TW107114137

申请日：2018-04-26

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  沃 胡伊 T ,  VO, HUY T. ,  穆勒基 派翠克 ,  MULLARKEY, PATRICK ,  萊特 傑佛瑞 P ,  WRIGHT, JEFFREY P. ,  索爾 麥克 A ,  SHORE, MICHAEL A.

IPC: G11C11/4072 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094

Abstract: 本發明提供用於實施一陣列重設模式之系統及方法。一種例示性系統包含經組態以啟用一陣列重設模式之至少一個模式暫存器、包含一或多個感測放大器之一記憶體胞陣列及控制邏輯。該一或多個感測放大器之各者可至少包含耦合至一第一位元線之一第一端子及耦合至一第二位元線之一第二端子。該控制邏輯可經耦合至該記憶體胞陣列且與該至少一個模式暫存器通信。該控制邏輯可經組態以回應於所啟用之陣列重設模式而將該感測放大器之該第一端子及該第二端子之各者驅動至一位元線預充電電壓，該位元線預充電電壓對應於待寫入至與該第一位元線及該第二位元線之各者相關聯之各自記憶體胞之一位元值。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于实施一数组重设模式之系统及方法。一种例示性系统包含经组态以激活一数组重设模式之至少一个模式寄存器、包含一或多个传感放大器之一内存胞数组及控制逻辑。该一或多个传感放大器之各者可至少包含耦合至一第一比特线之一第一端子及耦合至一第二比特线之一第二端子。该控制逻辑可经耦合至该内存胞数组且与该至少一个模式寄存器通信。该控制逻辑可经组态以回应于所激活之数组重设模式而将该传感放大器之该第一端子及该第二端子之各者驱动至一比特线预充电电压，该比特线预充电电压对应于待写入至与该第一比特线及该第二比特线之各者相关联之各自内存胞之一比特值。