公开(公告)号：TW201812760A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106128403

申请日：2017-08-22

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 德奈 史考特 J ,  DERNER, SCOTT J. ,  川村 克里斯多福 J ,  KAWAMURA, CHRISTOPHER J.

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/24 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C11/221 ,  G11C11/2253 ,  G11C11/2257 ,  G11C11/2259 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/2293 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11514 ,  H01L28/55 ,  H01L28/90

Abstract: 本發明揭示包含鐵電記憶體單元之裝置及方法。一例示性鐵電記憶體單元包含兩個電晶體及兩個電容器。另一例示性鐵電記憶體單元包含三個電晶體及兩個電容器。另一例示性鐵電記憶體單元包含四個電晶體及兩個電容器。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示包含铁电内存单元之设备及方法。一例示性铁电内存单元包含两个晶体管及两个电容器。另一例示性铁电内存单元包含三个晶体管及两个电容器。另一例示性铁电内存单元包含四个晶体管及两个电容器。

公开(公告)号：TWI608477B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW105127856

申请日：2016-08-30

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 尼可拉斯 史帝芬 C ,  NICHOLES, STEVEN C. ,  查文 亞許尼塔 A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  洛克萊 馬修 N ,  ROCKLEIN, MATTHEW N.

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/76

CPC classification number: G11C11/225 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/2297 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/047 ,  G11C14/00 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

公开(公告)号：TW201520187A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW103134884

申请日：2014-10-07

Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

Inventor： 藤井順 ,  FUJII, JUN ,  桜井英章 ,  SAKURAI, HIDEAKI ,  曽山信幸 ,  SOYAMA, NOBUYUKI

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/624 ,  H01L21/208 ,  H01B1/06 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01L27/11502 ,  C09D5/24 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L37/02 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/29

Abstract: 本發明之課題在於針孔的產生極少，能均勻地成膜，而抑制LaNiO3前驅物之析出(沈澱)的產生，進而抑制於燒成後的LaNiO3薄膜產生裂痕。 本發明之解決手段在於：LaNiO3薄膜形成用組成物，其係包含LaNiO3前驅物、有機溶劑與安定化劑。又，相對於LaNiO3前驅物、有機溶劑與安定化劑的合計100質量%而言，LaNiO3前驅物的混合比例以氧化物換算計為1~20質量%。進而，前述有機溶劑之HSP值的分散成分dD、分極成分dP，及氫鍵成分dH，係分別滿足14

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于针孔的产生极少，能均匀地成膜，而抑制LaNiO3前驱物之析出(沈淀)的产生，进而抑制于烧成后的LaNiO3薄膜产生裂痕。 本发明之解决手段在于：LaNiO3薄膜形成用组成物，其系包含LaNiO3前驱物、有机溶剂与安定化剂。又，相对于LaNiO3前驱物、有机溶剂与安定化剂的合计100质量%而言，LaNiO3前驱物的混合比例以氧化物换算计为1~20质量%。进而，前述有机溶剂之HSP值的分散成分dD、分极成分dP，及氢键成分dH，系分别满足14

公开(公告)号：TWI318438B

公开(公告)日：2009-12-11

申请号：TW094115735

申请日：2005-05-16

Applicant: 海力士半導體股份有限公司

Inventor： 楊永鎬

IPC: H01L

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: 本發明提供一種製造半導體裝置中電容器之方法，其包括以下步驟：為底部電極形成一第一貴金屬薄膜；在該第一金屬薄膜上形成一鐵電薄膜；在該鐵電薄膜形成之處的所得結構上執行一第一熱製程；在經過該第一熱製程之所得結構上執行一離子植入製程；在經過該離子植入製程之所得結構上執行一第二熱製程；在經過該第二熱製程之所得結構中的鐵電薄膜上，為頂部電極形成一第二貴金屬層；及在該所得結構上執行一第三熱製程。 【創作特點】 本發明針對解決該問題，提供一種製造半導體裝置中電容器之方法，該方法在製造由底部電極之金屬薄膜－鐵電薄膜－頂部之金屬薄膜之結構所建構之電容器時，由調節鐵電薄膜之結晶度及晶粒均勻性至使其均勻來增強電容器薄膜之資料儲存能力。
本發明之一態樣係提供一種製造半導體裝置中電容器之方法，其包括以下步驟：形成一第一金屬薄膜；在該第一金屬薄膜上形成一鐵電薄膜；在該鐵電薄膜形成之處的所得結構上，執行一第一熱製程；在經過該第一熱製程之所得結構上執行一離子植入製程；在經過該離子植入製程之所得結構上執行一第二熱製程；在經過該第二熱製程之所得結構中的鐵電薄膜上，形成一第二金屬層；及在該所得結構上執行一第三熱製程。
較佳地，第一金屬層係由Ru、Pt、ir、IrOx、Re、Rh、TiN及其化合物中之一者形成。第二金屬層係由Ru、Pt、ir、IrOx、Re、Rh、TiN及其化合物中之一者形成。
較佳地，使用SBT、PZT、SBTN、BLT、經摻雜之SBT、經摻雜之PZT、經摻雜之SBTN、經摻雜之BLT、經改質之SBT、經改質之PZT、經改質之SBTN及經改質之BLT中之一者，以50至2000之厚度形成鐵電薄膜。
較佳地，第一熱製程為一溫度為300℃至800℃的氧化退火製程。離子植入製程所使用之來源較佳為(Ti)或(Ta)可分離之金屬。
較佳地，第二熱製程為一溫度為300℃至1000℃的氧化退火製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种制造半导体设备中电容器之方法，其包括以下步骤：为底部电极形成一第一贵金属薄膜；在该第一金属薄膜上形成一铁电薄膜；在该铁电薄膜形成之处的所得结构上运行一第一热制程；在经过该第一热制程之所得结构上运行一离子植入制程；在经过该离子植入制程之所得结构上运行一第二热制程；在经过该第二热制程之所得结构中的铁电薄膜上，为顶部电极形成一第二贵金属层；及在该所得结构上运行一第三热制程。 【创作特点】 本发明针对解决该问题，提供一种制造半导体设备中电容器之方法，该方法在制造由底部电极之金属薄膜－铁电薄膜－顶部之金属薄膜之结构所建构之电容器时，由调节铁电薄膜之结晶度及晶粒均匀性至使其均匀来增强电容器薄膜之数据存储能力。 本发明之一态样系提供一种制造半导体设备中电容器之方法，其包括以下步骤：形成一第一金属薄膜；在该第一金属薄膜上形成一铁电薄膜；在该铁电薄膜形成之处的所得结构上，运行一第一热制程；在经过该第一热制程之所得结构上运行一离子植入制程；在经过该离子植入制程之所得结构上运行一第二热制程；在经过该第二热制程之所得结构中的铁电薄膜上，形成一第二金属层；及在该所得结构上运行一第三热制程。 较佳地，第一金属层系由Ru、Pt、ir、IrOx、Re、Rh、TiN及其化合物中之一者形成。第二金属层系由Ru、Pt、ir、IrOx、Re、Rh、TiN及其化合物中之一者形成。 较佳地，使用SBT、PZT、SBTN、BLT、经掺杂之SBT、经掺杂之PZT、经掺杂之SBTN、经掺杂之BLT、经改质之SBT、经改质之PZT、经改质之SBTN及经改质之BLT中之一者，以50至2000之厚度形成铁电薄膜。 较佳地，第一热制程为一温度为300℃至800℃的氧化退火制程。离子植入制程所使用之来源较佳为(Ti)或(Ta)可分离之金属。 较佳地，第二热制程为一温度为300℃至1000℃的氧化退火制程。

公开(公告)号：TWI305041B

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：TW094117254

申请日：2005-05-26

Applicant: 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION

Inventor： 木島健 KIJIMA, TAKESHI ,  濱田泰彰 HAMADA, YASUAKI ,  上野真由美 UENO, MAYUMI

IPC: H01L

CPC classification number: C04B35/493 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C01G25/00 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/761 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 本發明提供一種在液態法中組合控制性佳,且鉛等金屬成分可再利用之强電介質形成用之前驅體組合物、該前驅體組合物之製造方法、及使用前驅體組合物之强電介質膜之製造方法。前驅體組合物包含形成强電介質用之前驅體,前述强電介質以一般式AB1-xCxO3表示,A元素至少包含鉛,B元素包含鋯、鈦、釩、鎢及鉿之至少一種,C元素包含鈮及鉭之至少一種,前述前驅體至少包含前述B元素及C元素,且一部分中具有酯鍵。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种在液态法中组合控制性佳,且铅等金属成分可再利用之强电介质形成用之前驱体组合物、该前驱体组合物之制造方法、及使用前驱体组合物之强电介质膜之制造方法。前驱体组合物包含形成强电介质用之前驱体,前述强电介质以一般式AB1-xCxO3表示,A元素至少包含铅,B元素包含锆、钛、钒、钨及铪之至少一种,C元素包含铌及钽之至少一种,前述前驱体至少包含前述B元素及C元素,且一部分中具有酯键。

公开(公告)号：TWI277138B

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：TW092104501

申请日：2003-03-04

Applicant: 羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.

Inventor： 西山憲和 NORIKAZU NISHIYAMA ,  奧良彰 YOSHIAKI OKU ,  田中俊輔 SHUNSUKE TANAKA ,  上山惟一 KOREKAZU UEYAMA

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  H01L27/11507

Abstract: 本發明之目的在於提供一種空孔度較高、且優越機械強度、生產性佳的強介電質薄膜，乃包含有：在欲形成低介電率薄膜的基板表面上，形成含CTAB界面活性劑之膜的 CTAB界面活性劑膜形成步驟；使此基板與含氧化矽衍生物的氣體相進行接觸，而形成含氧化矽衍生物之薄膜的氣相沉積步驟；以及對已形成上述薄膜的基板進行燒結，俾分解去除上述CTAB界面活性劑的步驟；依此而形成薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种空孔度较高、且优越机械强度、生产性佳的强介电质薄膜，乃包含有：在欲形成低介电率薄膜的基板表面上，形成含CTAB界面活性剂之膜的 CTAB界面活性剂膜形成步骤；使此基板与含氧化硅衍生物的气体相进行接触，而形成含氧化硅衍生物之薄膜的气相沉积步骤；以及对已形成上述薄膜的基板进行烧结，俾分解去除上述CTAB界面活性剂的步骤；依此而形成薄膜。

公开(公告)号：TWI270178B

公开(公告)日：2007-01-01

申请号：TW092133146

申请日：2003-11-26

Applicant: 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.

Inventor： 權純容 KWEON, SOON-YONG

IPC: H01L

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/75

Abstract: 本發明係使用一種用於製造其內含有合併式頂部電極板線(MTP)結構的鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)電容器的方法，以防止在FeRAM上產生有害的衝擊並確保製造出可靠的FeRAM裝置，此方法包括下列步驟：藉由預定程序製備一主動式矩陣；於該主動式矩陣上依序形成一第一導電層、一介電層及一第二導電層；於該第二導電層之預定位置上形成一硬式遮罩；藉由使用該硬式遮罩為該第一導電層、介電層及第二導電層施行圖案製作，因此形成一直立式電容器堆疊，使得該電容器堆疊的寬度比該儲存節點的寬度大非常多；形成一第二ILD圍住該電容器堆疊；為該第二ILD施行平坦化直到露出該硬式遮罩的頂面為止；移除該硬式遮罩以便在該頂部電極上方形成一開口；以及形成一板線，使其寬度大於該電容器堆疊之寬度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系使用一种用于制造其内含有合并式顶部电极板线(MTP)结构的铁电随机存取内存(FeRAM)电容器的方法，以防止在FeRAM上产生有害的冲击并确保制造出可靠的FeRAM设备，此方法包括下列步骤：借由预定进程制备一主动式矩阵；于该主动式矩阵上依序形成一第一导电层、一介电层及一第二导电层；于该第二导电层之预定位置上形成一硬式遮罩；借由使用该硬式遮罩为该第一导电层、介电层及第二导电层施行图案制作，因此形成一直立式电容器堆栈，使得该电容器堆栈的宽度比该存储节点的宽度大非常多；形成一第二ILD围住该电容器堆栈；为该第二ILD施行平坦化直到露出该硬式遮罩的顶面为止；移除该硬式遮罩以便在该顶部电极上方形成一开口；以及形成一板线，使其宽度大于该电容器堆栈之宽度。

公开(公告)号：TWI267188B

公开(公告)日：2006-11-21

申请号：TW094101569

申请日：2005-01-19

Applicant: 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION

Inventor： 木島健 KIJIMA, TAKESHI ,  宮澤弘 MIYAZAWA, HIROMU ,  濱田泰彰 HAMADA, YASUAKI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/11507 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/1216 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 本發明乃有關鐵電體膜、鐵電記憶體、及壓電元件，其課題乃提供可得高可靠性之鐵電體裝置之鐵電體膜，其解決手段乃以ABO3所表示之鈣鈦礦構造鐵電體所構成之鐵電體膜中，做為A側添加離子，包含Si2+、Ge2+以及 Sn2+中最少一種以上，做為B側添加離子至少包含Nb+5。

Abstract in simplified Chinese: 本发明乃有关铁电体膜、铁电内存、及压电组件，其课题乃提供可得高可靠性之铁电体设备之铁电体膜，其解决手段乃以ABO3所表示之钙钛矿构造铁电体所构成之铁电体膜中，做为A侧添加离子，包含Si2+、Ge2+以及 Sn2+中最少一种以上，做为B侧添加离子至少包含Nb+5。

公开(公告)号：TWI266309B

公开(公告)日：2006-11-11

申请号：TW094113100

申请日：2005-04-25

Applicant: 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.

Inventor： 姜熙福 KANG, HEE BOK ,  安進弘 AHN, JIN HONG ,  李在真 LEE, JAE JIN

IPC: G11C

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7841

Abstract: 本發明係提供一非揮發性鐵電記憶體裝置，以便使用由鐵電材料的極性狀態所區別之記憶胞的通道電阻，來控制非揮發性記憶胞的讀取/寫入操作。在記憶體裝置中，一絕緣層在一底部字線上形成，並且在該絕緣層上形成包括一N型汲極區、P型通道區以及N型源極區的浮動通道層。然後，一鐵電層在該浮動通道層上形成，而且一字線在該鐵電層上形成。結果，依照該鐵電層的極性來控制感應到通道區的電阻狀態，藉以調節該記憶胞陣列的讀取/寫入操作。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一非挥发性铁电内存设备，以便使用由铁电材料的极性状态所区别之记忆胞的信道电阻，来控制非挥发性记忆胞的读取/写入操作。在内存设备中，一绝缘层在一底部字在线形成，并且在该绝缘层上形成包括一N型汲极区、P型信道区以及N型源极区的浮动信道层。然后，一铁电层在该浮动信道层上形成，而且一字线在该铁电层上形成。结果，依照该铁电层的极性来控制感应到信道区的电阻状态，借以调节该记忆胞数组的读取/写入操作。

公开(公告)号：TW200612464A

公开(公告)日：2006-04-16

申请号：TW094110312

申请日：2005-03-31

Applicant: 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION

Inventor： 慕可 雷納維卡 RENAVIKAR, MUKUL P. ,  古比容格 歐斯卡多特 OSKARSDOTTIR, GUDBJORG H.

IPC: H01L

CPC classification number: G11C11/22 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/101 ,  H01L27/11502

Abstract: 本發明一具體實例為減低聚合物鐵電記憶體裝置中的聚合物鐵電層所引起的損壞，包括在金屬電極與聚合物鐵電層之間的絕緣性金屬氮化物層及／或金屬氧化物層中作出過量的電洞。該金屬氮化物及／或金屬氧化物中的過量電洞可將在AC偏壓下由金屬電極所發射出會損壞聚合物的鐵電層之電子予以捕捉。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一具体实例为减低聚合物铁电内存设备中的聚合物铁电层所引起的损坏，包括在金属电极与聚合物铁电层之间的绝缘性金属氮化物层及／或金属氧化物层中作出过量的电洞。该金属氮化物及／或金属氧化物中的过量电洞可将在AC偏压下由金属电极所发射出会损坏聚合物的铁电层之电子予以捕捉。