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    在2-D均勻網格VCSEL陣列上建立任意圖案
    3.
    发明专利
    在2-D均勻網格VCSEL陣列上建立任意圖案 审中-公开
    在2-D均匀网格VCSEL数组上创建任意图案

    公开(公告)号：TW202015105A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：TW108146208

    申请日：2018-08-27

    申请人： 美商蘋果公司 ,  APPLE INC.

    发明人： 林勁翰 ,  LIN, CHIN HAN ,  李 衛平 ,  LI, WEIPING ,  范 曉峰 ,  FAN, XIAOFENG

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/28

    摘要： 一種光電子裝置包括一半導體基材和形成在該半導體基材上的光電子單元之一陣列。該等單元包括第一磊晶層，該等第一磊晶層界定在下的一分布式布拉格反射器(DBR)堆疊；第二磊晶層，其等形成於在下之該DBR堆疊上方，該等第二磊晶層界定一量子井結構；第三磊晶層，其等形成在該量子井結構上方，該等第三磊晶層界定在上之一DBR堆疊；及電極，其等形成於在上之該DBR堆疊上方，該等電極可組態以將一激發電流注入至各光電子單元之該量子井結構中。一第一組光電子單元經組態以回應於該激發電流而發射雷射輻射。在與第一組交錯之一第二組光電子單元中，選自該等磊晶層及該等電極中之該等光電子單元之至少一元件經組態使得該第二組中的該等光電子單元不發射雷射輻射。

    简体摘要： 一种光电子设备包括一半导体基材和形成在该半导体基材上的光电子单元之一数组。该等单元包括第一磊晶层，该等第一磊晶层界定在下的一分布式布拉格反射器(DBR)堆栈；第二磊晶层，其等形成于在下之该DBR堆栈上方，该等第二磊晶层界定一量子井结构；第三磊晶层，其等形成在该量子井结构上方，该等第三磊晶层界定在上之一DBR堆栈；及电极，其等形成于在上之该DBR堆栈上方，该等电极可组态以将一激发电流注入至各光电子单元之该量子井结构中。一第一组光电子单元经组态以回应于该激发电流而发射激光辐射。在与第一组交错之一第二组光电子单元中，选自该等磊晶层及该等电极中之该等光电子单元之至少一组件经组态使得该第二组中的该等光电子单元不发射激光辐射。