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公开(公告)号：TWI624759B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW101134490
申请日：2012-09-20
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 拉馬努金 拉傑K , RAMANUJAN, RAJ K. , 亞加沃 拉傑特 , AGARWAL, RAJAT , 鄭凱 , CHENG, KAI , 波里皮迪 塔林耶 , POLEPEDDI, TAARINYA , 雷德 卡蜜兒C , RAAD, CAMILLE C. , 茲梅爾曼 大衛J , ZIMMERMAN, DAVID J. , 史瓦米那森 木蘇庫瑪P , SWAMINATHAN, MUTHUKUMAR P. , 札可斯 戴米崔歐斯 , ZIAKAS, DIMITRIOS , 庫瑪 摩漢J , KUMAR, MOHAN J.
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公开(公告)号：TW201626383A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104127728
申请日：2015-08-25
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 普拉卡許 瑪尼 , PRAKASH, MANI , 佩頓 愛德華L , PAYTON, EDWARD L. , 格魯姆斯 約翰K , GROOMS, JOHN K. , 札可斯 戴米崔歐斯 , ZIAKAS, DIMITRIOS , 亞拉法 摩漢德 , ARAFA, MOHAMED , 拉馬努金 拉傑K , RAMANUJAN, RAJ K. , 王東 , WANG, DONG
IPC分类号： G11C11/406 , G11C14/00 , G11C7/10
CPC分类号： G11C14/0018 , G11C5/04 , G11C7/1072 , G11C11/40615
摘要： 本案描述記憶體裝置、控制器及包含記憶體裝置之電子裝置。在一實施例中，記憶體模組包括：一非揮發性記憶體及至一揮發性記憶體匯流排之介面、接收來自主機平臺之電能之至少一個輸入電能軌，及控制器，該控制器包括邏輯，該邏輯至少部分地包含硬體邏輯，該控制器將來自輸入電能軌之電能自輸入電壓轉換至不同於輸入電壓之至少一個輸出電壓。本案亦揭示且主張其他實施例。
简体摘要： 本案描述内存设备、控制器及包含内存设备之电子设备。在一实施例中，内存模块包括：一非挥发性内存及至一挥发性内存总线之界面、接收来自主机平台之电能之至少一个输入电能轨，及控制器，该控制器包括逻辑，该逻辑至少部分地包含硬件逻辑，该控制器将来自输入电能轨之电能自输入电压转换至不同于输入电压之至少一个输出电压。本案亦揭示且主张其他实施例。
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公开(公告)号：TW201508483A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103119398
申请日：2014-06-04
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 拉馬努金 拉傑K , RAMANUJAN, RAJ K.
CPC分类号： G11C14/0009 , G06F12/00 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0851 , G06F12/0868 , G06F2212/311 , G06F2212/7203 , Y02D10/13
摘要： 本案描述記憶體裝置、控制器及包含記憶體裝置之電子裝置。在一實施例中，一種記憶體裝置包含一依電性記憶體、一非依電性記憶體及一控制器，該控制器包含一記憶體緩衝器及邏輯，該邏輯用以回應於來自一應用程式之請求而經由該記憶體緩衝器在該非依電性記憶體與該依電性記憶體之間傳送資料，其中該記憶體緩衝器中之資料為該應用程式可存取的。本發明亦揭示且主張其他實施例。
简体摘要： 本案描述内存设备、控制器及包含内存设备之电子设备。在一实施例中，一种内存设备包含一依电性内存、一非依电性内存及一控制器，该控制器包含一内存缓冲器及逻辑，该逻辑用以回应于来自一应用进程之请求而经由该内存缓冲器在该非依电性内存与该依电性内存之间发送数据，其中该内存缓冲器中之数据为该应用进程可存取的。本发明亦揭示且主张其他实施例。
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公开(公告)号：TWI587312B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104132429
申请日：2012-09-27
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 拿里 比爾 , NALE, BILL , 拉馬努金 拉傑K , RAMANUJAN, RAJ K. , 史瓦米那森 木蘇庫瑪 , SWAMINATHAN, MUTHUKUMAR , 湯瑪斯 泰希爾 , THOMAS, TESSIL , 波里皮迪 塔林耶 , POLEPEDDI, TAARINYA
CPC分类号： G06F13/1694 , G06F9/467 , G06F11/1064 , G06F12/0238 , G06F12/0802 , G06F12/0804 , G06F12/0811 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/1668 , G06F13/4068 , G06F13/42 , G06F13/4234 , G06F2212/1008 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/2024 , G06F2212/7203 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/151
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公开(公告)号：TWI550406B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW103132277
申请日：2014-09-18
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 亞特曼 亞薛M , ALTMAN, ASHER M. , 雅普 柯克S , YAP, KIRK S. , 拉馬努金 拉傑K , RAMANUJAN, RAJ K.
CPC分类号： G06F12/1408 , G06F21/602 , G06F21/79 , G06F2212/1052 , G06F2221/2143
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公开(公告)号：TW201342378A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101150130
申请日：2012-12-26
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 普西耶達斯 里那K , PUTHIYEDATH, LEENA K. , 喬恩斯 馬克T , JONES, MARC T. , 特翠克 R 史考克 , TETRICK, R. SCOTT , 羅伊 小羅伯特J , ROYER, JR., ROBERT J. , 拉馬努金 拉傑K , RAMANUJAN, RAJ K. , 哈帝 法蘭克T , HADY, FRANK T. , 法柏 羅伯特W , FABER, ROBERT W. , 興頓 格倫J , HINTON, GLENN J. , 范甯 布萊斯 , FANNING, BLAISE , 吉汀斯 羅伯特S , GITTINS, ROBERT S. , 士米塞爾 馬克A , SCHMISSEUR, MARK A.
CPC分类号： G11C16/3431 , G06F11/1048 , G06F12/0246 , G11C13/0004 , G11C14/0045
摘要： 本案描述了關於用於PCMS(相變記憶體與開關)裝置之元資料管理及/或支援技術的方法及設備。在一實施例中，一PCMS控制器基於元資料而允許取用一PCMS裝置。如在本揭示中所論述，該元資料可用於提供有效性、耐久性、錯誤校正等。本發明亦揭示且主張其他實施例。
简体摘要： 本案描述了关于用于PCMS(相变内存与开关)设备之元数据管理及/或支持技术的方法及设备。在一实施例中，一PCMS控制器基于元数据而允许取用一PCMS设备。如在本揭示中所论述，该元数据可用于提供有效性、耐久性、错误校正等。本发明亦揭示且主张其他实施例。
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公开(公告)号：TW201337733A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101148370
申请日：2012-12-19
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 可漢 賈瓦德B , KHAN, JAWAD B. , 謝乃德 , XIE, NINGDE , 拉馬努金 拉傑K , RAMANUJAN, RAJ K. , 普西耶達斯 里那K , PUTHIYEDATH, LEENA K.
IPC分类号： G06F7/22 , G06F15/167
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/0608 , G06F3/0641 , G06F3/0679 , G06F12/0802 , G06F2212/304
摘要： 一種裝置可包括一非依電性隨機存取記憶體以儲存資料及耦接至該非依電性隨機存取記憶體的一處理器。該裝置可進一步包括可在該處理器上操作的一資料去除重複模組以讀取輸入資料之一簽章，比較該簽章與於該非依電性隨機存取記憶體中的第一資料，及當該簽章指示匹配該第一資料時將該輸入資料標示旗標以便拋棄。揭示且請求其它實施例之專利。
简体摘要： 一种设备可包括一非依电性随机存取内存以存储数据及耦接至该非依电性随机存取内存的一处理器。该设备可进一步包括可在该处理器上操作的一数据去除重复模块以读取输入数据之一签章，比较该签章与于该非依电性随机存取内存中的第一数据，及当该签章指示匹配该第一数据时将该输入数据标示旗标以便抛弃。揭示且请求其它实施例之专利。
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公开(公告)号：TWI594182B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW101131847
申请日：2012-08-31
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 拉馬努金 拉傑K , RAMANUJAN, RAJ K. , 札可斯 戴米崔歐斯 , ZIAKAS, DIMITRIOS , 茲梅爾曼 大衛J , ZIMMERMAN, DAVID J. , 庫瑪 摩漢J , KUMAR, MOHAN J. , 史瓦米那森 木蘇庫瑪P , SWAMINATHAN, MUTHUKUMAR P. , 柯瑞 巴森N , COURY, BASSAM N.
CPC分类号： G06F12/0811 , G06F12/0238 , G06F12/08 , G06F12/0802 , G06F12/0848 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F13/1684 , G06F2212/2024 , G06F2212/304
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公开(公告)号：TW201329710A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101134490
申请日：2012-09-20
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 拉馬努金 拉傑K , RAMANUJAN, RAJ K. , 亞加沃 拉傑特 , AGARWAL, RAJAT , 鄭凱 , CHENG, KAI , 波里皮迪 塔林耶 , POLEPEDDI, TAARINYA , 雷德 卡蜜兒C , RAAD, CAMILLE C. , 茲梅爾曼 大衛J , ZIMMERMAN, DAVID J. , 史瓦米那森 木蘇庫瑪P , SWAMINATHAN, MUTHUKUMAR P. , 札可斯 戴米崔歐斯 , ZIAKAS, DIMITRIOS , 庫瑪 摩漢J , KUMAR, MOHAN J.
CPC分类号： G06F12/0811 , G06F12/0895 , G06F12/0897 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G11C11/40615 , G11C14/009 , Y02D10/13
摘要： 描述用以將包括一非依電性記憶體層的一記憶體與儲存裝置階層整合於一電腦系統內部之系統及方法。於一個實施例中，PCMS記憶體裝置係用作為該階層裡的一層，偶爾稱作為「遠記憶體」。較效能記憶體裝置諸如DRAM設置於該遠記憶體前方且係用以遮罩該遠記憶體的效能極限中之部分。此等較效能記憶體裝置係稱作為「近記憶體」。
简体摘要： 描述用以将包括一非依电性内存层的一内存与存储设备阶层集成于一电脑系统内部之系统及方法。于一个实施例中，PCMS内存设备系用作为该阶层里的一层，偶尔称作为“远内存”。较性能内存设备诸如DRAM设置于该远内存前方且系用以遮罩该远内存的性能极限中之部分。此等较性能内存设备系称作为“近内存”。
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公开(公告)号：TWI578226B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW101148370
申请日：2012-12-19
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 可漢 賈瓦德B , KHAN, JAWAD B. , 謝乃德 , XIE, NINGDE , 拉馬努金 拉傑K , RAMANUJAN, RAJ K. , 普西耶達斯 里那K , PUTHIYEDATH, LEENA K.
IPC分类号： G06F7/22 , G06F15/167
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/0608 , G06F3/0641 , G06F3/0679 , G06F12/0802 , G06F2212/304
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