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    發光二極體結構
    3.
    发明专利
    發光二極體結構 审中-公开
    发光二极管结构

    公开(公告)号：TW201517309A

    公开(公告)日：2015-05-01

    申请号：TW102138494

    申请日：2013-10-24

    申请人： 隆達電子股份有限公司 ,  LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 許乃偉 ,  HSU, NAIWEI ,  王德忠 ,  WANG, TECHUNG ,  蔡宗良 ,  TSAI, TZONGLIANG

    IPC分类号： H01L33/36

    CPC分类号： H01L33/40

    摘要： 一種發光二極體結構包含基板、N型半導體層、發光層、P型半導體層、複合導電層、第一電極與第二電極。N型半導體層位於基板上。發光層位於部分N型半導體層上。P型半導體層位於發光層上。複合導電層具有依序堆疊的第一導電層、第二導電層與第三導電層，其中第一導電層接合於P型半導體層上，且第一導電層的阻值大於第三導電層的阻值。第一電極位於第三導電層上。第二電極位於未被發光層覆蓋的N型半導體層上。

    简体摘要： 一种发光二极管结构包含基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、复合导电层、第一电极与第二电极。N型半导体层位于基板上。发光层位于部分N型半导体层上。P型半导体层位于发光层上。复合导电层具有依序堆栈的第一导电层、第二导电层与第三导电层，其中第一导电层接合于P型半导体层上，且第一导电层的阻值大于第三导电层的阻值。第一电极位于第三导电层上。第二电极位于未被发光层覆盖的N型半导体层上。

    半導體發光結構
    5.
    发明专利
    半導體發光結構 审中-公开
    半导体发光结构

    公开(公告)号：TW201530812A

    公开(公告)日：2015-08-01

    申请号：TW103102448

    申请日：2014-01-23

    申请人： 隆達電子股份有限公司 ,  LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 湯明璋 ,  TANG, MING CHANG ,  許乃偉 ,  HSU, NAI WEI

    IPC分类号： H01L33/22

    CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/007

    摘要： 一種半導體發光結構，包括一基板、一圖案化結構、一第一半導體層、一主動層以及一第二半導體層。基板具有一第一表面以及一第二表面，第一表面與二表面相對。圖案化結構位於基板的第一表面，圖案化結構包括尺寸相異的複數個錐體結構。第一半導體層配置於第一表面上。主動層配置於第一半導體層上。第二半導體層配置於主動層上。

    简体摘要： 一种半导体发光结构，包括一基板、一图案化结构、一第一半导体层、一主动层以及一第二半导体层。基板具有一第一表面以及一第二表面，第一表面与二表面相对。图案化结构位于基板的第一表面，图案化结构包括尺寸相异的复数个锥体结构。第一半导体层配置于第一表面上。主动层配置于第一半导体层上。第二半导体层配置于主动层上。

    發光二極體晶片
    6.
    发明专利
    發光二極體晶片 审中-公开
    发光二极管芯片

    公开(公告)号：TW201526282A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：TW102148950

    申请日：2013-12-30

    申请人： 隆達電子股份有限公司 ,  LEXTAR ELECTRONICS CORP.

    发明人： 范文轅 ,  FAN, WEN YUAN ,  許乃偉 ,  HSU, NAI WEI

    IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/20

    CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/38

    摘要： 本發明提供一種發光二極體晶片，包括：一基板；一發光二極體堆疊層形成於基板上，其中發光二極體堆疊層包括：一第一型半導體層，形成於基板上；一主動層，部分覆蓋第一型半導體層，且裸露出部分第一型半導體層；及一第二型半導體層，形成於主動層上；一電流擴散層，形成於第二型半導體層上；一第一電極形成於裸露的第一型半導體層上；以及一第二電極形成於電流擴散層上；其中，電流擴散層包括：一第一部份，具有一第一厚度；及一第二部份，具有一第二厚度，且第二部份在第一型半導體層上的垂直投影圍繞部分第一電極在第一型半導體層上的垂直投影，且第一厚度大於第二厚度。

    简体摘要： 本发明提供一种发光二极管芯片，包括：一基板；一发光二极管堆栈层形成于基板上，其中发光二极管堆栈层包括：一第一型半导体层，形成于基板上；一主动层，部分覆盖第一型半导体层，且裸露出部分第一型半导体层；及一第二型半导体层，形成于主动层上；一电流扩散层，形成于第二型半导体层上；一第一电极形成于裸露的第一型半导体层上；以及一第二电极形成于电流扩散层上；其中，电流扩散层包括：一第一部份，具有一第一厚度；及一第二部份，具有一第二厚度，且第二部份在第一型半导体层上的垂直投影围绕部分第一电极在第一型半导体层上的垂直投影，且第一厚度大于第二厚度。

    半導體裝置之製造方法
    8.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201526287A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：TW102148949

    申请日：2013-12-30

    申请人： 隆達電子股份有限公司 ,  LEXTAR ELECTRONICS CORP.

    发明人： 池紋瑩 ,  CHIH, WEN YING ,  許乃偉 ,  HSU, NAI WEI ,  王德忠 ,  WANG, TE CHUNG

    IPC分类号： H01L33/36

    CPC分类号： H01L33/0095

    摘要： 本發明提供一種半導體裝置之製造方法，包括：提供一半導體結構，包括依序堆疊之一n型半導體層、一活性層及一p型半導體層；於半導體結構上形成一第一金屬層及一第二金屬層，第二金屬層位於第一金屬層上方；實施一熱處理步驟，使第一金屬層被氧化成一第一金屬氧化物層，並且使第二金屬層反轉以在第一金屬氧化物層與p型半導體層之間形成一第二金屬化合物層；移除第一金屬氧化物層與第二金屬化合物層；以及在該熱處理步驟之後，實施一平台蝕刻步驟，去除部份p型半導體層、部份活性層及部份n型半導體層，形成露出n型半導體層之另一部份之一平台。

    简体摘要： 本发明提供一种半导体设备之制造方法，包括：提供一半导体结构，包括依序堆栈之一n型半导体层、一活性层及一p型半导体层；于半导体结构上形成一第一金属层及一第二金属层，第二金属层位于第一金属层上方；实施一热处理步骤，使第一金属层被氧化成一第一金属氧化物层，并且使第二金属层反转以在第一金属氧化物层与p型半导体层之间形成一第二金属化合物层；移除第一金属氧化物层与第二金属化合物层；以及在该热处理步骤之后，实施一平台蚀刻步骤，去除部份p型半导体层、部份活性层及部份n型半导体层，形成露出n型半导体层之另一部份之一平台。

    發光二極體晶片
    9.
    发明专利
    發光二極體晶片 审中-公开
    发光二极管芯片

    公开(公告)号：TW201535778A

    公开(公告)日：2015-09-16

    申请号：TW103107843

    申请日：2014-03-07

    申请人： 隆達電子股份有限公司 ,  LEXTAR ELECTRONICS CORP.

    发明人： 許乃偉 ,  HSU, NAI WEI ,  王德忠 ,  WANG, TE CHUNG

    IPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/36

    CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/44

    摘要： 本發明揭示一種發光二極體晶片。發光二極體晶片包括一發光二極體以及位於發光二極體上的一電極層。電極層包括一反射金屬層。反射金屬層包括一第一成分與一第二成分，其中第一成分包括鋁或銀，且第二成分包括銅、矽、錫、鉑、金或上述組合。第二成分所佔的重量百分比大於0%且小於20%。

    简体摘要： 本发明揭示一种发光二极管芯片。发光二极管芯片包括一发光二极管以及位于发光二极管上的一电极层。电极层包括一反射金属层。反射金属层包括一第一成分与一第二成分，其中第一成分包括铝或银，且第二成分包括铜、硅、锡、铂、金或上述组合。第二成分所占的重量百分比大于0%且小于20%。

    發光元件結構
    10.
    发明专利
    發光元件結構 审中-公开
    发光组件结构

    公开(公告)号：TW201517296A

    公开(公告)日：2015-05-01

    申请号：TW102137630

    申请日：2013-10-18

    申请人： 隆達電子股份有限公司 ,  LEXTAR ELECTRONICS CORP.

    发明人： 湯明璋 ,  TANG, MING CHANG ,  周佳賢 ,  CHOU, CHIA HSIAN ,  許乃偉 ,  HSU, NAI WEI

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/20

    摘要： 本發明提供一種發光元件結構，包括一基板、一形成於基板上之平台狀發光二極體堆疊結構、以及形成於環繞前述發光二極體堆疊結構之基板上的複數道刻痕，其中前述發光二極體體堆疊結構包括一N型磊晶層、一發光層及一P型磊晶層，並有部分該N型磊晶層是裸露的。

    简体摘要： 本发明提供一种发光组件结构，包括一基板、一形成于基板上之平台状发光二极管堆栈结构、以及形成于环绕前述发光二极管堆栈结构之基板上的复数道刻痕，其中前述发光二极管体堆栈结构包括一N型磊晶层、一发光层及一P型磊晶层，并有部分该N型磊晶层是裸露的。