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1.发明专利具有改良場極板的半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING IMPROVED FIELD PLATES 审中-公开具有改良场极板的半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING IMPROVED FIELD PLATES
公开(公告)号：TW200727475A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095105652
申请日：2006-02-20
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/812 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316
摘要： 本發明揭示一種場效電晶體及其方法,此裝置具有源極和汲極電極以歐姆接觸一半導體。一閘極電極-場極板結構是配置於該源極與汲極電極之間。該閘極電極-場極板結構包括一介電質;一第一金屬以肖特基(Schottky)接觸該半導體;以及一第二金屬。該第二金屬具有一第一部分,配置於該第一金屬之一部分上方,並與其電連接;以及一第二部分,藉該介電質之一部分與該第一金屬之第二部分隔開,並且延伸越過該第一金屬的一邊緣至該第二金屬的一邊緣。該第一金屬的該邊緣是進一步來自該汲極電極,而不是該第二金屬的該邊緣,以提供一場極板於該場效電晶體。
简体摘要： 本发明揭示一种场效应管及其方法,此设备具有源极和汲极电极以欧姆接触一半导体。一闸极电极-场极板结构是配置于该源极与汲极电极之间。该闸极电极-场极板结构包括一介电质;一第一金属以肖特基(Schottky)接触该半导体;以及一第二金属。该第二金属具有一第一部分,配置于该第一金属之一部分上方,并与其电连接;以及一第二部分,藉该介电质之一部分与该第一金属之第二部分隔开,并且延伸越过该第一金属的一边缘至该第二金属的一边缘。该第一金属的该边缘是进一步来自该汲极电极,而不是该第二金属的该边缘,以提供一场极板于该场效应管。
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2.发明专利形成自動對準選擇性蝕刻雙凹部高電子移動率電晶體之方法 METHOD OF FORMING A SELF-ALIGNED, SELECTIVELY ETCHED, DOUBLE RECESS HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR 审中-公开形成自动对准选择性蚀刻双凹部高电子移动率晶体管之方法 METHOD OF FORMING A SELF-ALIGNED, SELECTIVELY ETCHED, DOUBLE RECESS HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200414325A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092129031
申请日：2003-10-20
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/28587 , H01L29/7785
摘要： 提供一種用以形成一自動對準，選擇性地蝕刻，雙凹部高電子移動率之電晶體。這方法包含提供一具有Ⅲ－Ⅴ族基底之半導體結構；一第一相當寬帶間隙層，一通道層，一第二相當寬帶間隙蕭特基層，一蝕刻中止層；一蝕刻中止層上之Ⅲ－Ⅴ族第三寬帶間隙層；以及一第三相當寬帶間隙層上之歐姆接觸層。一罩幕設有一閘極接觸孔，使歐姆接觸層之一閘極區曝光。使一第一濕式化學蝕刻劑與由閘極接觸孔所曝光之歐姆接觸部接觸。第一濕式化學劑選擇性地移除歐姆接觸層之曝光部位及第三相當寬帶間隙層之下層部位。蝕刻中止層禁止第一濕式化學蝕刻劑移除這種蝕刻中止層部位。接著，使第二濕式化學蝕刻劑與由第一濕式化學蝕刻劑所蝕刻之結構接觸。第二濕式化學蝕刻劑選擇性地移除歐姆接觸層之曝光部位而留下實質上未被蝕刻之第三相當寬帶間隙之曝光部位，蕭特基接觸層及蝕刻中止層。移除蝕刻中止層。將一金屬層沈積遍佈在罩幕之上並經由其間之閘極孔沈積在蕭特基接觸層上，並與蕭特基接觸層作蕭特基接觸。
简体摘要： 提供一种用以形成一自动对准，选择性地蚀刻，双凹部高电子移动率之晶体管。这方法包含提供一具有Ⅲ－Ⅴ族基底之半导体结构；一第一相当宽带间隙层，一信道层，一第二相当宽带间隙萧特基层，一蚀刻中止层；一蚀刻中止层上之Ⅲ－Ⅴ族第三宽带间隙层；以及一第三相当宽带间隙层上之欧姆接触层。一罩幕设有一闸极接触孔，使欧姆接触层之一闸极区曝光。使一第一湿式化学蚀刻剂与由闸极接触孔所曝光之欧姆接触部接触。第一湿式化学剂选择性地移除欧姆接触层之曝光部位及第三相当宽带间隙层之下层部位。蚀刻中止层禁止第一湿式化学蚀刻剂移除这种蚀刻中止层部位。接着，使第二湿式化学蚀刻剂与由第一湿式化学蚀刻剂所蚀刻之结构接触。第二湿式化学蚀刻剂选择性地移除欧姆接触层之曝光部位而留下实质上未被蚀刻之第三相当宽带间隙之曝光部位，萧特基接触层及蚀刻中止层。移除蚀刻中止层。将一金属层沉积遍布在罩幕之上并经由其间之闸极孔沉积在萧特基接触层上，并与萧特基接触层作萧特基接触。
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3.发明专利形成自動對準選擇性蝕刻雙凹部高電子移動率電晶體之方法 METHOD OF FORMING A SELF-ALIGNED, SELECTIVELY ETCHED, DOUBLE RECESS HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR 有权形成自动对准选择性蚀刻双凹部高电子移动率晶体管之方法 METHOD OF FORMING A SELF-ALIGNED, SELECTIVELY ETCHED, DOUBLE RECESS HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
公开(公告)号：TWI277145B
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：TW092129031
申请日：2003-10-20
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/28587 , H01L29/7785
摘要： 提供一種用以形成一自動對準，選擇性地蝕刻，雙凹部高電子移動率之電晶體。這方法包含提供一具有III-V族基底之半導體結構；一第一相當寬帶間隙層，一通道層，一第二相當寬帶間隙蕭特基層，一蝕刻中止層；一蝕刻中止層上之III-V族第三寬帶間隙層；以及一第三相當寬帶間隙層上之歐姆接觸層。一罩幕設有一閘極接觸孔，使歐姆接觸層之一閘極區曝光。使一第一濕式化學蝕刻劑與由閘極接觸孔所曝光之歐姆接觸部接觸。第一濕式化學劑選擇性地移除歐姆接觸層之曝光部位及第三相當寬帶間隙層之下層部位。蝕刻中止層禁止第一濕式化學蝕刻劑移除這種蝕刻中止層部位。接著，使第二濕式化學蝕刻劑與由第一濕式化學蝕刻劑所蝕刻之結構接觸。第二濕式化學蝕刻劑選擇性地移除歐姆接觸層之曝光部位而留下實質上未被蝕刻之第三相當寬帶間隙之曝光部位，蕭特基接觸層及蝕刻中止層。移除蝕刻中止層。將一金屬層沈積遍佈在罩幕之上並經由其間之閘極孔沈積在蕭特基接觸層上，並與蕭特基接觸層作蕭特基接觸。
简体摘要： 提供一种用以形成一自动对准，选择性地蚀刻，双凹部高电子移动率之晶体管。这方法包含提供一具有III-V族基底之半导体结构；一第一相当宽带间隙层，一信道层，一第二相当宽带间隙萧特基层，一蚀刻中止层；一蚀刻中止层上之III-V族第三宽带间隙层；以及一第三相当宽带间隙层上之欧姆接触层。一罩幕设有一闸极接触孔，使欧姆接触层之一闸极区曝光。使一第一湿式化学蚀刻剂与由闸极接触孔所曝光之欧姆接触部接触。第一湿式化学剂选择性地移除欧姆接触层之曝光部位及第三相当宽带间隙层之下层部位。蚀刻中止层禁止第一湿式化学蚀刻剂移除这种蚀刻中止层部位。接着，使第二湿式化学蚀刻剂与由第一湿式化学蚀刻剂所蚀刻之结构接触。第二湿式化学蚀刻剂选择性地移除欧姆接触层之曝光部位而留下实质上未被蚀刻之第三相当宽带间隙之曝光部位，萧特基接触层及蚀刻中止层。移除蚀刻中止层。将一金属层沉积遍布在罩幕之上并经由其间之闸极孔沉积在萧特基接触层上，并与萧特基接触层作萧特基接触。
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