-
公开(公告)号：TWI570854B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104125879
申请日：2015-08-10
发明人： 施政宏 , SHIH, CHENG-HUNG , 謝永偉 , HSIEH, YUNG-WEI , 林淑真 , LIN, SHU-CHEN , 何馥言 , HO, FU-YEN , 陳彥廷 , CHEN, YEN-TING
IPC分类号： H01L23/10
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/14179 , H01L2224/16245 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/165
-
公开(公告)号：TW201707152A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW104125879
申请日：2015-08-10
发明人： 施政宏 , SHIH, CHENG-HUNG , 謝永偉 , HSIEH, YUNG-WEI , 林淑真 , LIN, SHU-CHEN , 何馥言 , HO, FU-YEN , 陳彥廷 , CHEN, YEN-TING
IPC分类号： H01L23/10
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/14179 , H01L2224/16245 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/165
摘要： 一種具中空腔室之半導體封裝結構包含一下基板、一接合層及一上基板，該下基板具有一下底板及一下金屬層，該下金屬層形成於該下底板之一設置區，該下金屬層具有至少一角隅，該角隅具有一第一外側面、一第二外側面及一外連接面，該第一外側面之一第一端點延伸形成一第一延伸線，該第二外側面之一第二端點延伸形成一第二延伸線，該第一延伸線及該第二延伸線相交形成一相交點，該相交點、該第一端點及該第二端點形成之區域為該表面之一第一顯露區，該接合層形成於該下金屬層，該上基板連接該接合層，使該上基板及該下基板之間形成一中空腔室。
简体摘要： 一种具中空腔室之半导体封装结构包含一下基板、一接合层及一上基板，该下基板具有一下底板及一下金属层，该下金属层形成于该下底板之一设置区，该下金属层具有至少一角隅，该角隅具有一第一外侧面、一第二外侧面及一外连接面，该第一外侧面之一第一端点延伸形成一第一延伸线，该第二外侧面之一第二端点延伸形成一第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成一相交点，该相交点、该第一端点及该第二端点形成之区域为该表面之一第一显露区，该接合层形成于该下金属层，该上基板连接该接合层，使该上基板及该下基板之间形成一中空腔室。
-
公开(公告)号：TWM517908U
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW104212840
申请日：2015-08-10
发明人： 施政宏 , SHIH, CHENG-HUNG , 謝永偉 , HSIEH, YUNG-WEI , 林淑真 , LIN, SHU-CHEN , 何馥言 , HO, FU-YEN , 陳彥廷 , CHEN, YEN-TING
IPC分类号： H01L23/02
-
公开(公告)号：TW201640622A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104114011
申请日：2015-05-01
发明人： 施政宏 , SHIH, CHENG-HUNG , 謝永偉 , HSIEH, YUNG-WEI , 林淑真 , LIN, SHU-CHEN , 何馥言 , HO, FU-YEN , 陳彥廷 , CHEN, YEN-TING
IPC分类号： H01L23/043 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/10 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50
摘要： 一種具中空腔室之半導體封裝製程包含提供一下基板，該下基板具有一底板、一環牆及一凹槽，該環牆及該底板形成該凹槽，形成一球下金屬層於該環牆之一表面，設置複數個焊球於該球下金屬層之一表面，各該焊球具有一直徑，相鄰的兩個焊球之間具有一間距，對該些焊球進行迴焊，使該些焊球熔化且互相連接而形成一接合層，將一上基板與該下基板連接，該上基板密封該下基板之該凹槽而形成一中空腔室，該中空腔室用以容置一電子元件。
简体摘要： 一种具中空腔室之半导体封装制程包含提供一下基板，该下基板具有一底板、一环墙及一凹槽，该环墙及该底板形成该凹槽，形成一球下金属层于该环墙之一表面，设置复数个焊球于该球下金属层之一表面，各该焊球具有一直径，相邻的两个焊球之间具有一间距，对该些焊球进行回焊，使该些焊球熔化且互相连接而形成一接合层，将一上基板与该下基板连接，该上基板密封该下基板之该凹槽而形成一中空腔室，该中空腔室用以容置一电子组件。
-
公开(公告)号：TWI544580B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104114011
申请日：2015-05-01
发明人： 施政宏 , SHIH, CHENG-HUNG , 謝永偉 , HSIEH, YUNG-WEI , 林淑真 , LIN, SHU-CHEN , 何馥言 , HO, FU-YEN , 陳彥廷 , CHEN, YEN-TING
IPC分类号： H01L23/043 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/10 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.016 秒)
