利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

25 records (took 0.017 seconds)

    電子點火裝置
    5.
    发明专利
    電子點火裝置 审中-公开
    电子点火设备

    公开(公告)号：TW201337180A

    公开(公告)日：2013-09-16

    申请号：TW102113924

    申请日：2009-05-22

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 楊遠超 ,  YANG, YUAN-CHAO ,  姜開利 ,  JIANG, KAI-LI ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

    IPC: F23Q3/00 ,  B82B1/00

    Abstract: 本發明涉及一種電子點火裝置，用於為一燃料點火，該電子點火裝置包括一電源、與該電源電連接之一放電極及與該放電極相對設置之一靶極，該放電極與靶極之間具有一間隙，該燃料於工作時被傳輸至該間隙，其改進在於，該放電極包括一奈米碳管線狀結構，該奈米碳管線狀結構靠近靶極的一端延伸出複數個尖端，且相鄰兩個尖端之間具有一定間隙。本發明提供之電子點火裝置，利用奈米碳管線狀結構末端之複數尖端作為放電極之放電端，使所述電子點火裝置於較低之工作電壓下就能夠產生火花。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种电子点火设备，用于为一燃料点火，该电子点火设备包括一电源、与该电源电连接之一放电极及与该放电极相对设置之一靶极，该放电极与靶极之间具有一间隙，该燃料于工作时被传输至该间隙，其改进在于，该放电极包括一奈米碳管线状结构，该奈米碳管线状结构靠近靶极的一端延伸出复数个尖端，且相邻两个尖端之间具有一定间隙。本发明提供之电子点火设备，利用奈米碳管线状结构末端之复数尖端作为放电极之放电端，使所述电子点火设备于较低之工作电压下就能够产生火花。

    金剛石薄膜的生長裝置 DIAMOND FILM GROWING DEVICE
    8.
    发明专利
    金剛石薄膜的生長裝置 DIAMOND FILM GROWING DEVICE 审中-公开
    金刚石薄膜的生长设备 DIAMOND FILM GROWING DEVICE

    公开(公告)号：TW201109463A

    公开(公告)日：2011-03-16

    申请号：TW098130456

    申请日：2009-09-09

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司

    Inventor： 楊遠超 ,  姜開利 ,  范守善

    IPC: C23C ,  C30B

    Abstract: 本發明涉及一種金剛石薄膜生長裝置,其包括:一反應室,該反應室包括一進氣口、一出氣口;一抽真空裝置,該抽真空裝置通過所述出氣口與所述反應室相連,用於對反應室抽真空;一底座,該底座設置於所述反應室內,且與所述進氣口相對設置;一熱絲裝置、該熱絲裝置設置於所述反應室內,且位於所述進氣口及所述底座之間。其中,該熱絲裝置包括至少一個加熱絲,該加熱絲為奈米碳管線,該奈米碳管線包括複數個奈米碳管。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种金刚石薄膜生长设备,其包括:一反应室,该反应室包括一进气口、一出气口;一抽真空设备,该抽真空设备通过所述出气口与所述反应室相连,用于对反应室抽真空;一底座,该底座设置于所述反应室内,且与所述进气口相对设置;一热丝设备、该热丝设备设置于所述反应室内,且位于所述进气口及所述底座之间。其中,该热丝设备包括至少一个加热丝,该加热丝为奈米碳管线,该奈米碳管线包括复数个奈米碳管。

    三極型場發射像素管 TRIODE FIELD EMISSION PIXEL TUBE
    9.
    发明专利
    三極型場發射像素管 TRIODE FIELD EMISSION PIXEL TUBE 有权
    三极型场发射像素管 TRIODE FIELD EMISSION PIXEL TUBE

    公开(公告)号：TWI321801B

    公开(公告)日：2010-03-11

    申请号：TW095129559

    申请日：2006-08-11

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司

    Inventor： 楊遠超 ,  魏洋 ,  劉亮 ,  姜開利 ,  范守善

    IPC: H01J

    Abstract: 本發明涉及一種三極型場發射像素管。該三極型場發射像素管包括一個中空殼體，一個螢光物質層，一個陽極層，一個陰極發射體及一個閘極體。該殼體具有一個出光部，該螢光物質層及陽極層依次形成於該出光部之內壁上，該陰極發射體設置於中空殼體內部與出光部相對之位置，該閘極體位於中空殼體內並靠近陰極發射體設置，其中，該陰極發射體包括一個奈米碳管線，該奈米碳管線作為電子發射源。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种三极型场发射像素管。该三极型场发射像素管包括一个中空壳体，一个萤光物质层，一个阳极层，一个阴极发射体及一个闸极体。该壳体具有一个出光部，该萤光物质层及阳极层依次形成于该出光部之内壁上，该阴极发射体设置于中空壳体内部与出光部相对之位置，该闸极体位于中空壳体内并靠近阴极发射体设置，其中，该阴极发射体包括一个奈米碳管线，该奈米碳管线作为电子发射源。

    二極型場發射像素管 AMBIPOLAR FIELD EMISSION PIXEL TUBE
    10.
    发明专利
    二極型場發射像素管 AMBIPOLAR FIELD EMISSION PIXEL TUBE 有权
    二极型场发射像素管 AMBIPOLAR FIELD EMISSION PIXEL TUBE

    公开(公告)号：TWI337370B

    公开(公告)日：2011-02-11

    申请号：TW095123817

    申请日：2006-06-30

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司

    Inventor： 楊遠超 ,  魏洋 ,  劉亮 ,  姜開利 ,  范守善

    IPC: H01J

    Abstract: 本發明涉及一種二極型場發射像素管。該場發射像素管包括：一個中空殼體，該殼體具有一個出光部，該出光部之內壁依次形成有螢光物質和陽極層。所述殼體內部係真空密封的，並且該殼體內部與該出光部相對處有一個陰極發射體，該陰極發射體之尖端為碳奈米線。該二極型場發射像素管利用碳奈米線之優異場發射性能和方便操作之機械特性，改善了場發射像素管之發光性能並簡化了製造難度。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种二极型场发射像素管。该场发射像素管包括：一个中空壳体，该壳体具有一个出光部，该出光部之内壁依次形成有萤光物质和阳极层。所述壳体内部系真空密封的，并且该壳体内部与该出光部相对处有一个阴极发射体，该阴极发射体之尖端为碳奈米线。该二极型场发射像素管利用碳奈米线之优异场发射性能和方便操作之机械特性，改善了场发射像素管之发光性能并简化了制造难度。

Patent Agency Ranking