薄且均勻之銀奈米線、合成方法及由該等奈米線形成之透明導電膜
    2.
    发明专利
    薄且均勻之銀奈米線、合成方法及由該等奈米線形成之透明導電膜 审中-公开
    薄且均匀之银奈米线、合成方法及由该等奈米线形成之透明导电膜

    公开(公告)号:TW202003868A

    公开(公告)日:2020-01-16

    申请号:TW108136063

    申请日:2018-12-06

    摘要: 本發明描述一種高度均勻且薄的銀奈米線,其具有低於20奈米的平均直徑以及低的直徑標準差。該等銀奈米線具有高的高寬比。該等銀奈米線之特徵可在於:具有大於18奈米之直徑且在稀溶液中具有藍移之窄吸收光譜的少量奈米線。本發明還描述一種可合成窄且均勻之銀奈米線的方法。由薄且均勻之銀奈米線形成的透明導電膜可具有非常低程度的霧度及低的△L*值(漫射發光度),使得該透明導電膜可提供黑色背景之外觀的少量改變。

    简体摘要: 本发明描述一种高度均匀且薄的银奈米线,其具有低于20奈米的平均直径以及低的直径标准差。该等银奈米线具有高的高宽比。该等银奈米线之特征可在于:具有大于18奈米之直径且在稀溶液中具有蓝移之窄吸收光谱的少量奈米线。本发明还描述一种可合成窄且均匀之银奈米线的方法。由薄且均匀之银奈米线形成的透明导电膜可具有非常低程度的雾度及低的△L*值(漫射发光度),使得该透明导电膜可提供黑色背景之外观的少量改变。