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    三維成形用導電性薄片
    1.
    发明专利
    三維成形用導電性薄片 审中-公开
    三维成形用导电性薄片

    公开(公告)号：TW201834504A

    公开(公告)日：2018-09-16

    申请号：TW106141357

    申请日：2017-11-28

    Applicant: 美商美國琳得科股份有限公司 ,  LINTEC OF AMERICA, INC. ,  日商琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

    Inventor： 伊藤雅春 ,  ITO, MASAHARU ,  井上閑山 ,  INOUE, KANZAN

    IPC: H05B3/20 ,  H05B3/10

    Abstract: 本發明係一種三維成形用導電性薄片，其係具有： 　　於一方向延伸之複數的導電性線狀體具有間隔而排列的類似薄片構造體，且導電性線狀體為含有具有波長λ1及振幅A1之波形狀的第一部位與、具有與前述第一部位之波長λ1及振幅A1之至少一者不同之波長λ2及振幅A2之波形狀的第二部位之線狀體的類似薄片構造體，及設置於前述類似薄片構造體之表面上的樹脂保護層。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种三维成形用导电性薄片，其系具有： 　　于一方向延伸之复数的导电性线状体具有间隔而排列的类似薄片构造体，且导电性线状体为含有具有波长λ1及振幅A1之波形状的第一部位与、具有与前述第一部位之波长λ1及振幅A1之至少一者不同之波长λ2及振幅A2之波形状的第二部位之线状体的类似薄片构造体，及设置于前述类似薄片构造体之表面上的树脂保护层。

    三維成形用導電性薄片
    2.
    发明专利
    三維成形用導電性薄片 审中-公开
    三维成形用导电性薄片

    公开(公告)号：TW201833272A

    公开(公告)日：2018-09-16

    申请号：TW106141356

    申请日：2017-11-28

    Applicant: 美商美國琳得科股份有限公司 ,  LINTEC OF AMERICA, INC. ,  日商琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

    Inventor： 伊藤雅春 ,  ITO, MASAHARU ,  井上閑山 ,  INOUE, KANZAN

    IPC: C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01B5/14 ,  H05B3/20

    Abstract: 本發明係一種三維成形用導電性薄片，其係具有： 　　於一方向延伸之複數的導電性線狀體具有0.3mm~12.0 mm之間隔，相鄰之導電性線狀體之距離保持一定而排列的類似薄片構造體， 　　設置於前述類似薄片構造體之一表面上的樹脂保護層，及 　　設置於前述類似薄片構造體與前述樹脂保護層之間的接著劑層。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种三维成形用导电性薄片，其系具有： 　　于一方向延伸之复数的导电性线状体具有0.3mm~12.0 mm之间隔，相邻之导电性线状体之距离保持一定而排列的类似薄片构造体， 　　设置于前述类似薄片构造体之一表面上的树脂保护层，及 　　设置于前述类似薄片构造体与前述树脂保护层之间的接着剂层。

    三維成形用發熱薄片及表面發熱物品
    5.
    发明专利
    三維成形用發熱薄片及表面發熱物品 审中-公开
    三维成形用发热薄片及表面发热物品

    公开(公告)号：TW201832614A

    公开(公告)日：2018-09-01

    申请号：TW106141355

    申请日：2017-11-28

    Applicant: 美商美國琳得科股份有限公司 ,  LINTEC OF AMERICA, INC. ,  日商琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

    Inventor： 伊藤雅春 ,  ITO, MASAHARU ,  井上閑山 ,  INOUE, KANZAN

    IPC: H05B3/20

    Abstract: 本發明係一種三維成形用發熱薄片，其係具有： 　　於一方向延伸之複數的導電性線狀體具有間隔而排列的類似薄片構造體，且前述導電性線狀體之直徑為7μm~75μm的類似薄片構造體；及 　　設置於前述類似薄片構造體之一表面的樹脂保護層， 　　設置於具有前述樹脂保護層之側之前述類似薄片(pseudo sheet)構造體之表面上之層的合計厚度為前述導電性線狀體之直徑之1.5倍~80倍。利用該發熱薄片的表面發熱物品。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种三维成形用发热薄片，其系具有： 　　于一方向延伸之复数的导电性线状体具有间隔而排列的类似薄片构造体，且前述导电性线状体之直径为7μm~75μm的类似薄片构造体；及 　　设置于前述类似薄片构造体之一表面的树脂保护层， 　　设置于具有前述树脂保护层之侧之前述类似薄片(pseudo sheet)构造体之表面上之层的合计厚度为前述导电性线状体之直径之1.5倍~80倍。利用该发热薄片的表面发热物品。

    碳奈米管薄片構造體及層積體
    6.
    发明专利
    碳奈米管薄片構造體及層積體 审中-公开
    碳奈米管薄片构造体及层积体

    公开(公告)号：TW201805232A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：TW106113789

    申请日：2017-04-25

    Applicant: 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION ,  美國琳得科股份有限公司 ,  LINTEC OF AMERICA, INC.

    Inventor： 加太章生 ,  KABUTO, AKIO ,  伊藤雅春 ,  ITO, MASAHARU ,  井上閑山 ,  INOUE, KANZAN

    IPC: B82B1/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/158

    CPC classification number: B82B1/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/158

    Abstract: 本發明係一種碳奈米管薄片構造體及層積體，其中，碳奈米管薄片構造體(1)係包含：碳奈米管薄片(20)，和具有與碳奈米管薄片(20)對向之第一基材面(11)之第一基材(10)，和使碳奈米管薄片(20)與第一基材(10)離間之第一墊片部(30)；第一基材(10)之第一基材面(11)係具有：形成有第一墊片部(30)之第一範圍(11a)，和未形成有第一墊片部(30)之第二範圍(11b)；第一基材(10)係在第一基材面(11)之第二範圍(11b)中，與碳奈米管薄片(20)離間。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种碳奈米管薄片构造体及层积体，其中，碳奈米管薄片构造体(1)系包含：碳奈米管薄片(20)，和具有与碳奈米管薄片(20)对向之第一基材面(11)之第一基材(10)，和使碳奈米管薄片(20)与第一基材(10)离间之第一垫片部(30)；第一基材(10)之第一基材面(11)系具有：形成有第一垫片部(30)之第一范围(11a)，和未形成有第一垫片部(30)之第二范围(11b)；第一基材(10)系在第一基材面(11)之第二范围(11b)中，与碳奈米管薄片(20)离间。

    碳奈米管薄片之改質方法、經改質之碳奈米管薄片、黏著薄片之製造方法、及黏著薄片
    8.
    发明专利
    碳奈米管薄片之改質方法、經改質之碳奈米管薄片、黏著薄片之製造方法、及黏著薄片 审中-公开
    碳奈米管薄片之改质方法、经改质之碳奈米管薄片、黏着薄片之制造方法、及黏着薄片

    公开(公告)号：TW201808797A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：TW106114405

    申请日：2017-05-01

    Applicant: 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION ,  美國琳得科股份有限公司 ,  LINTEC OF AMERICA, INC.

    Inventor： 植田貴洋 ,  UEDA, TAKAHIRO ,  伊藤雅春 ,  ITO, MASAHARU ,  井上閑山 ,  INOUE, KANZAN

    IPC: C01B32/168 ,  C09J7/02

    CPC classification number: C01B32/168 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

    Abstract: 本發明之碳奈米管薄片之改質方法包含：於結構體上載置一或複數個碳奈米管薄片的步驟、與將前述結構體上之碳奈米管薄片暴露於常溫下為液體之物質的蒸氣或粒子的步驟，前述碳奈米管薄片具有複數個碳奈米管在薄片面內之一方向上優先整列的結構，前述結構體具有載置前述碳奈米管薄片的載置部，前述載置部具有與前述碳奈米管薄片不接觸的非接觸部及與前述碳奈米管薄片接觸的接觸部，當將前述非接觸部和前述接觸部之邊界、與在載置部之俯視觀察時與前述碳奈米管之整列方向平行且跨非接觸部的直線之於非接觸部的交點間之最長距離設為L1，並將前述非接觸部和前述接觸部之邊界、與在載置部之俯視觀察時與前述碳奈米管之整列方向交叉且跨非接觸部的直線之於非接觸部的交點間之最長距離設為L2時，在L1大於L2的情況，至少L2為超過0mm、未達10mm，在L1小於L2的情況，至少L1為超過0mm、未達10mm，在L1與L2相等的情況，L1及L2為超過0mm、未達10mm。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之碳奈米管薄片之改质方法包含：于结构体上载置一或复数个碳奈米管薄片的步骤、与将前述结构体上之碳奈米管薄片暴露于常温下为液体之物质的蒸气或粒子的步骤，前述碳奈米管薄片具有复数个碳奈米管在薄片面内之一方向上优先整列的结构，前述结构体具有载置前述碳奈米管薄片的载置部，前述载置部具有与前述碳奈米管薄片不接触的非接触部及与前述碳奈米管薄片接触的接触部，当将前述非接触部和前述接触部之边界、与在载置部之俯视观察时与前述碳奈米管之整列方向平行且跨非接触部的直线之于非接触部的交点间之最长距离设为L1，并将前述非接触部和前述接触部之边界、与在载置部之俯视观察时与前述碳奈米管之整列方向交叉且跨非接触部的直线之于非接触部的交点间之最长距离设为L2时，在L1大于L2的情况，至少L2为超过0mm、未达10mm，在L1小于L2的情况，至少L1为超过0mm、未达10mm，在L1与L2相等的情况，L1及L2为超过0mm、未达10mm。

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