公开(公告)号：TWI697689B

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：TW105125468

申请日：2016-08-10

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 朴美善 ,  PARK, MI S. ,  楊磊 ,  YANG, LEI ,  楊劭文 ,  YANG, SHAO WEN ,  皇甫明 ,  HWANGBO, MYUNG ,  薩伊亞達 薩洛克 ,  SHAHIDZADEH, SHAHROKH

IPC: G01S5/02 ,  G01S1/00

公开(公告)号：TWI697109B

公开(公告)日：2020-06-21

申请号：TW105124791

申请日：2016-08-04

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 全箕玟 ,  JUN, KIMIN ,  金世淵 ,  KIM, SEIYON ,  費雪 保羅 ,  FISCHER, PAUL ,  孫一碩 ,  SON, IL-SEOK ,  摩洛 派翠克 ,  MORROW, PATRICK

IPC: H01L27/12

公开(公告)号：TW202018951A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108116888

申请日：2019-05-16

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 梅安卓 里沙 ,  MEHANDRU, RISHABH ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  賽亞 史蒂芬 ,  CEA, STEPHEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一種半導體裝置，包括半導體本體，其包括表面以及形成在該半導體本體中的第一區和第二區，其中，通道區位於該第一區與該第二區之間，並且，該第二區包括子區，其包括毯狀摻雜物；在該第一區上方之該半導體本體之表面上的第一導電觸點；在該第一區的底部的絕緣體上半導體(SOI)；形成在該通道中的袋狀通道摻雜物(PCD)，其中，該PCD的第一部分與該SOI的第一部分相鄰；在該子區域的底部上的第二導電觸點，其中，該第二導電觸點的第一部分與該SOI的第二部分相鄰，並且，該第二導電觸點的第二部分與該PCD的第二部分相鄰。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括半导体本体，其包括表面以及形成在该半导体本体中的第一区和第二区，其中，信道区位于该第一区与该第二区之间，并且，该第二区包括子区，其包括毯状掺杂物；在该第一区上方之该半导体本体之表面上的第一导电触点；在该第一区的底部的绝缘体上半导体(SOI)；形成在该信道中的袋状信道掺杂物(PCD)，其中，该PCD的第一部分与该SOI的第一部分相邻；在该子区域的底部上的第二导电触点，其中，该第二导电触点的第一部分与该SOI的第二部分相邻，并且，该第二导电触点的第二部分与该PCD的第二部分相邻。

公开(公告)号：TWI691617B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：TW104139583

申请日：2015-11-27

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 藤村誠 ,  FUJIMURA, MAKOTO ,  伊賀隆志 ,  IGA, TAKASHI

IPC: C23G5/00 ,  H05K3/46

公开(公告)号：TWI688789B

公开(公告)日：2020-03-21

申请号：TW104138337

申请日：2015-11-19

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 基爾赫爾 路西歐 ,  KILCHER, LUCIO ,  阿貝勒 妮可拉斯 ,  ABELE, NICOLAS

IPC: G02B26/10 ,  G02B27/01 ,  G02B7/04 ,  H04N9/31

公开(公告)号：TWI686443B

公开(公告)日：2020-03-01

申请号：TW104140271

申请日：2015-12-02

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 藤村誠 ,  FUJIMURA, MAKOTO ,  伊賀隆志 ,  IGA, TAKASHI

IPC: C08L63/00 ,  C08K5/3472 ,  C08K5/17 ,  C08L71/12 ,  H05K1/03 ,  H01B5/14 ,  H05K3/38 ,  H05K3/46

公开(公告)号：TWI682500B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW108107479

申请日：2012-11-01

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 伯葉諾夫 伯葉 ,  BOYANOV, BOYAN ,  辛格 肯瓦爾 ,  SINGH, KANWAL JIT

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：TWI682357B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW108117181

申请日：2018-02-22

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 亞布 亞奇雪克 ,  APPU, ABHISHEK ,  亞西鮑彿 班 ,  ASHBAUGH, BEN ,  金德煥 ,  KIM, DUKHWAN ,  歐德亞麥德維爾 艾蒙斯特阿法 ,  OULD-AHMED-VALL, ELMOUSTAPHA ,  唐 屏 ,  TANG, PING ,  陳曉明 ,  CHEN, XIAOMING ,  拉克斯曼 巴拉斯 ,  LAKSHMANAN, BARATH ,  尼爾斯 凱文 ,  NEALIS, KEVIN ,  史崔克蘭 麥可 ,  STRICKLAND, MICHAEL ,  寇克 歐塔 ,  KOKER, ALTUG ,  麥佛森 麥克 ,  MACPHERSON, MIKE ,  雷 喬伊迪普 ,  RAY, JOYDEEP ,  姚安邦 ,  YAO, ANBANG ,  馬立偉 ,  MA, LIWEI ,  赫德 琳達 ,  HURD, LINDA ,  班索艾 莎拉 ,  BAGHSORKHI, SARA ,  威斯特 約翰 ,  WEAST, JOHN C.

IPC: G06T1/20 ,  G06F9/44

公开(公告)号：TWI680584B

公开(公告)日：2019-12-21

申请号：TW106139960

申请日：2012-12-07

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 賽爾 伯恩哈特 ,  SELL, BERNHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI680583B

公开(公告)日：2019-12-21

申请号：TW104138802

申请日：2015-11-23

Applicant: 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  雷奧洛比 納迪亞 ,  RAHHAL-ORABI, NADIA ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  葛雷斯 葛蘭 ,  GLASS, GLENN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336