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    偏光性積層膜或偏光板的製造方法
    4.
    发明专利
    偏光性積層膜或偏光板的製造方法 审中-公开
    偏光性积层膜或偏光板的制造方法

    公开(公告)号：TW201618921A

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：TW104132360

    申请日：2015-10-01

    Applicant: 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

    Inventor： 河村真一 ,  KAWAMURA, SHINICHI

    IPC: B29C41/30 ,  B29C55/04 ,  B29C71/00 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  B29K29/00 ,  B29L9/00 ,  B29L11/00

    CPC classification number: B29C55/04 ,  G02B5/30

    Abstract: 本發明之偏光性積層膜的製造方法，係依序包含：塗佈步驟(S10)，其係在基材薄膜塗佈聚乙烯醇系樹脂之水溶液而得到塗佈薄膜；乾燥步驟(S20)，其係使塗佈薄膜乾燥而得到在基材薄膜形成有聚乙烯醇系樹脂層之積層膜；延伸步驟(S30)，其將積層膜進行單軸延伸而得到延伸積層膜；及染色步驟(S40)，其係將聚乙烯醇系樹脂層進行染色成為偏光片層而得到偏光性積層膜；延伸步驟(S40)係在積層膜的水分率為0.3質量%以上的狀態下開始前述單軸延伸。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之偏光性积层膜的制造方法，系依序包含：涂布步骤(S10)，其系在基材薄膜涂布聚乙烯醇系树脂之水溶液而得到涂布薄膜；干燥步骤(S20)，其系使涂布薄膜干燥而得到在基材薄膜形成有聚乙烯醇系树脂层之积层膜；延伸步骤(S30)，其将积层膜进行单轴延伸而得到延伸积层膜；及染色步骤(S40)，其系将聚乙烯醇系树脂层进行染色成为偏光片层而得到偏光性积层膜；延伸步骤(S40)系在积层膜的水分率为0.3质量%以上的状态下开始前述单轴延伸。

    偏光片以及用於製造偏光片的方法
    5.
    发明专利
    偏光片以及用於製造偏光片的方法 审中-公开
    偏光片以及用于制造偏光片的方法

    公开(公告)号：TW201604594A

    公开(公告)日：2016-02-01

    申请号：TW104123474

    申请日：2015-07-21

    Applicant: 三星SDI 股份有限公司 ,  SAMSUNG SDI CO., LTD.

    Inventor： 呂宗勳 ,  YEO, JONG HOON

    IPC: G02B5/30 ,  B29C55/08 ,  C08J5/18

    CPC classification number: G02B5/305 ,  B29C55/04 ,  B29L2011/0066 ,  G02B1/14 ,  G02B5/3033

    Abstract: 本發明揭露一種偏光片及一種用於製造偏光片的方法。一種偏光片，其包含偏光器和形成於偏光器的至少一個表面上的保護膜，其中偏光片的橫向方向（transverse direction，TD）收縮應力比SRA 的範圍介於1%到10%，如根據等式1所計算： SRA (%)=(S1/S2)×100        ---（1） 其中S1是保護膜的TD收縮應力並且S2是偏光器的TD收縮應力。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种偏光片及一种用于制造偏光片的方法。一种偏光片，其包含偏光器和形成于偏光器的至少一个表面上的保护膜，其中偏光片的横向方向（transverse direction，TD）收缩应力比SRA 的范围介于1%到10%，如根据等式1所计算： SRA (%)=(S1/S2)×100        ---（1） 其中S1是保护膜的TD收缩应力并且S2是偏光器的TD收缩应力。

    乙烯改性聚乙烯醇系聚合物薄膜
    8.
    发明专利
    乙烯改性聚乙烯醇系聚合物薄膜 审中-公开

    公开(公告)号：TW201402306A

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：TW102108762

    申请日：2013-03-13

    Applicant: 可樂麗股份有限公司 ,  KURARAY CO., LTD.

    Inventor： 森保二郎 ,  MORI, YASUJIRO ,  中居壽夫 ,  NAKAI, TOSHIO ,  真田恭太 ,  SANADA, KYOTA ,  風藤修 ,  KAZETO, OSAMU ,  日笠慎太郎 ,  HIKASA, SHINTARO ,  勝野良治 ,  KATSUNO, RYOJI

    IPC: B29C55/04 ,  G02B5/30 ,  B29K29/00 ,  B29L7/00 ,  B29L11/00

    CPC classification number: C08J5/18 ,  B29C55/04 ,  C08J2329/04 ,  G02B5/3083

    Abstract: 本發明課題為提供一種PVA系聚合物薄膜，其係即使以高速且高倍率進行延伸，薄膜也不易破裂、能夠以良好的作業性、高產率、低成本且生產性良好地製造出具有與以往產品同等以上的光學性能的偏光薄膜等的延伸薄膜。解決手段為一種乙烯改性PVA系聚合物薄膜，其特徵為：含有乙烯單元含有率為1~4莫耳%的乙烯改性PVA系聚合物，並且滿足下述式(I)及(II)：Δn(MD)Ave-0.1×10-3≦Δn(TD)Ave≦Δn(MD)Ave+0.25×10-3 (I) Δn(TD)Ave≦2.5×10-3 (II) [上述式中，Δn(MD)Ave表示將乙烯改性PVA系聚合物薄膜的機械加工方向的雙折射率沿該薄膜的厚度方向平均化之值，△n(TD)Ave表示將乙烯改性PVA系聚合物薄膜的寬度方向的雙折射率沿該薄膜的厚度方向平均化之值]。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明课题为提供一种PVA系聚合物薄膜，其系即使以高速且高倍率进行延伸，薄膜也不易破裂、能够以良好的作业性、高产率、低成本且生产性良好地制造出具有与以往产品同等以上的光学性能的偏光薄膜等的延伸薄膜。解决手段为一种乙烯改性PVA系聚合物薄膜，其特征为：含有乙烯单元含有率为1~4莫耳%的乙烯改性PVA系聚合物，并且满足下述式(I)及(II)：Δn(MD)Ave-0.1×10-3≦Δn(TD)Ave≦Δn(MD)Ave+0.25×10-3 (I) Δn(TD)Ave≦2.5×10-3 (II) [上述式中，Δn(MD)Ave表示将乙烯改性PVA系聚合物薄膜的机械加工方向的双折射率沿该薄膜的厚度方向平均化之值，△n(TD)Ave表示将乙烯改性PVA系聚合物薄膜的宽度方向的双折射率沿该薄膜的厚度方向平均化之值]。

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