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    具有經紫外光（ＵＶ）處理低發射率塗層的窗片及製造該窗片的方法
    2.
    发明专利
    具有經紫外光（ＵＶ）處理低發射率塗層的窗片及製造該窗片的方法 审中-公开
    具有经紫外光（ＵＶ）处理低发射率涂层的窗片及制造该窗片的方法

    公开(公告)号：TW201404997A

    公开(公告)日：2014-02-01

    申请号：TW102119116

    申请日：2013-05-30

    申请人： 加爾汀工業公司 ,  GUARDIAN INDUSTRIES CORP.

    发明人： 克拉斯諾夫 艾力克斯 ,  KRASNOV, ALEXEY ,  伊姆倫 穆罕默德 ,  IMRAN, MUHAMMAD ,  丹鮑爾 威廉 ,  DEN BOER, WILLEM ,  歐康諾 凱文 ,  O'CONNOR, KEVIN

    IPC分类号： E06B3/67 ,  C03C17/36

    CPC分类号： C03C17/36 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C2217/74 ,  C03C2218/32

    摘要： 本發明之某些實施例係有關於一用於窗片中之經塗覆之物件，該經塗覆之物件包括由一基材(例如，玻璃基材)所支撐之低發射率(低E)塗層，其中該低E塗層係暴露至紫外光(UV)輻射下，以改良該塗層之電性、光學級/或熱阻隔性質及因此改良該經塗覆之物件之電性、光學級/或熱阻隔性質。該低E塗層包括至少一紅外光(IR)反射層或包括位於且直接與一接觸/晶種層所接觸的銀，該接觸/晶種層為金屬氧化物諸如氧化鋅及/或錫酸鋅之接觸/晶種層或包含金屬氧化物諸如氧化鋅及/或錫酸鋅之接觸/晶種層。將該低E塗層暴露至UV輻射，例如，自UV燈及/或UV雷射所放射者，得以選擇性加熱該接觸/晶種層，該接觸/晶種層反過來將該熱能轉移至鄰近的IR反射層。該含銀層之加熱改良該銀層之電性、光學及/或熱阻隔性質。該經UV處理之經塗覆物件，具有改良之性質，可被用於單片或絕緣玻璃(IG)窗口單元之中。

    简体摘要： 本发明之某些实施例系有关于一用于窗片中之经涂覆之对象，该经涂覆之对象包括由一基材(例如，玻璃基材)所支撑之低发射率(低E)涂层，其中该低E涂层系暴露至紫外光(UV)辐射下，以改良该涂层之电性、光学级/或热阻隔性质及因此改良该经涂覆之对象之电性、光学级/或热阻隔性质。该低E涂层包括至少一红外光(IR)反射层或包括位于且直接与一接触/晶种层所接触的银，该接触/晶种层为金属氧化物诸如氧化锌及/或锡酸锌之接触/晶种层或包含金属氧化物诸如氧化锌及/或锡酸锌之接触/晶种层。将该低E涂层暴露至UV辐射，例如，自UV灯及/或UV激光所放射者，得以选择性加热该接触/晶种层，该接触/晶种层反过来将该热能转移至邻近的IR反射层。该含银层之加热改良该银层之电性、光学及/或热阻隔性质。该经UV处理之经涂覆对象，具有改良之性质，可被用於单片或绝缘玻璃(IG)窗口单元之中。

    銀合金、其濺鍍靶材及其薄膜
    8.
    发明专利
    銀合金、其濺鍍靶材及其薄膜 有权
    银合金、其溅镀靶材及其薄膜

    公开(公告)号：TWI369409B

    公开(公告)日：2012-08-01

    申请号：TW093124386

    申请日：2004-08-13

    申请人： 古屋金屬股份有限公司

    发明人： 渡邊篤

    IPC分类号： C23C

    CPC分类号： C23C14/3414 ,  C03C17/09 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3647 ,  C03C17/3663 ,  C03C17/3671 ,  C03C17/3676 ,  C03C17/40 ,  C22C5/06 ,  C23C14/185 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5866

    摘要： 本發明目的為提供：可形成兼備，即使經由以彩色液晶顯示器的製造製程的加熱製程，由熱劣化的反射率下降非常少而且難以產生由硫化的黃色化2個特性的反射電極膜的Ag-Pd-Cu-Ge系銀合金。
    關於本發明的銀合金係，以Ag作為主成分，Pd含量為0.10~2.89wt%、Cu含量為0.10~2.89wt%、Ge含量為0.01~1.50 wt%，而且Pd、Cu及Ge的合計含量成為0.21~3.00 wt%，具有至少由4元素構成的組成為特徵。

    简体摘要： 本发明目的为提供：可形成兼备，即使经由以彩色液晶显示器的制造制程的加热制程，由热劣化的反射率下降非常少而且难以产生由硫化的黄色化2个特性的反射电极膜的Ag-Pd-Cu-Ge系银合金。 关于本发明的银合金系，以Ag作为主成分，Pd含量为0.10~2.89wt%、Cu含量为0.10~2.89wt%、Ge含量为0.01~1.50 wt%，而且Pd、Cu及Ge的合计含量成为0.21~3.00 wt%，具有至少由4元素构成的组成为特征。

    用於透光裝置的導電結構 AN ELECTRICALLY CONDUCTING STRUCTURE FOR A LIGHT TRANSMISSIBLE DEVICE
    10.
    发明专利
    用於透光裝置的導電結構 AN ELECTRICALLY CONDUCTING STRUCTURE FOR A LIGHT TRANSMISSIBLE DEVICE 审中-公开
    用于透光设备的导电结构 AN ELECTRICALLY CONDUCTING STRUCTURE FOR A LIGHT TRANSMISSIBLE DEVICE

    公开(公告)号：TW200948179A

    公开(公告)日：2009-11-16

    申请号：TW098114341

    申请日：2009-04-30

    申请人： 新加坡科技研究局

    发明人： 朱福榮 ,  黃勁銘 ,  廖佩君

    IPC分类号： H05B

    CPC分类号： H01L51/5234 ,  C03C17/3429 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C2217/94 ,  H01L27/302 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022491 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5262 ,  H01L2251/5323 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

    摘要： 一種用於透光裝置的導電結構，以及一種形成用於透光裝置的導電結構之方法。此結構包含：第一透明導電材質層，係利用第一處理條件而形成；至少另一透明導電材質層，其直接形成於第一層上，該至少另一透明導電材質層係利用不同於第一處理條件的第二處理條件而形成；而且，其中第一層具有緩衝層的作用，以減少在該至少另一透明導電材質層的形成期間對於透光裝置的不良影響。

    简体摘要： 一种用于透光设备的导电结构，以及一种形成用于透光设备的导电结构之方法。此结构包含：第一透明导电材质层，系利用第一处理条件而形成；至少另一透明导电材质层，其直接形成于第一层上，该至少另一透明导电材质层系利用不同于第一处理条件的第二处理条件而形成；而且，其中第一层具有缓冲层的作用，以减少在该至少另一透明导电材质层的形成期间对于透光设备的不良影响。