公开(公告)号：TW201127777A

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：TW099134504

申请日：2010-10-08

Applicant: 信越化學工業股份有限公司

Inventor： 青木良隆

IPC: C04B

CPC classification number: C04B41/87 ,  C04B35/565 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B2111/00353 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  Y10T428/249994 ,  C04B41/4517 ,  C04B41/4535 ,  C04B41/4554 ,  C04B38/00

Abstract: 本發明提供一種機械強度優異之緻密化碳化矽體。其係藉由多孔質碳化矽基材之緻密化方法而得，該方法包括：使含碳化矽粉末之硬化性聚矽氧組合物含浸多孔質碳化矽基材，進行硬化後，於非氧化性氣體環境下進行加熱分解。可簡便地使多孔質碳化矽基材緻密化並改質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种机械强度优异之致密化碳化硅体。其系借由多孔质碳化硅基材之致密化方法而得，该方法包括：使含碳化硅粉末之硬化性聚硅氧组合物含浸多孔质碳化硅基材，进行硬化后，于非氧化性气体环境下进行加热分解。可简便地使多孔质碳化硅基材致密化并改质。

公开(公告)号：TW473463B

公开(公告)日：2002-01-21

申请号：TW087104829

申请日：1998-03-31

Applicant: 東洋炭素股份有限公司

Inventor： 松本喬 ,  川上雅昭

IPC: C04B

CPC classification number: C04B41/009 ,  B22D41/32 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/87 ,  C04B2111/00353 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/30 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4517 ,  C04B41/4556 ,  C04B41/48 ,  C04B41/5001 ,  C04B41/5058 ,  C04B41/457 ,  C04B35/52

Abstract: 由碳基材表面往內部滲入矽與碳化硼，該矽與碳基材之碳相互反應後，形成碳化矽，該碳化矽沿著深層方向呈略微均勻之分散層，使該層二厚度寪含1mm以上之碳化矽之碳層做為表面第1層之碳一碳化矽複合材料者。

Abstract in simplified Chinese: 由碳基材表面往内部渗入硅与碳化硼，该硅与碳基材之碳相互反应后，形成碳化硅，该碳化硅沿着深层方向呈略微均匀之分散层，使该层二厚度寪含1mm以上之碳化硅之碳层做为表面第1层之碳一碳化硅复合材料者。