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公开(公告)号:TW201518251A
公开(公告)日:2015-05-16
申请号:TW103121709
申请日:2014-06-24
Applicant: 東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
Inventor: 中島祐治 , NAKASHIMA, YUJI , 尾藤信吾 , BITO, SHINGO
CPC classification number: C23C16/325 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B35/83 , C04B41/0072 , C04B41/4531 , C04B41/4523 , C04B41/4556
Abstract: 本發明之主要目的在提供可抑制使用SiC被膜形成C/C合成物時的劣化的SiC被膜形成C/C合成物之使用方法。 本發明之SiC被膜形成C/C合成物之使用方法係藉由在C/C合成物基材的表面,在加熱下直接形成SiC被膜予以製作,且暫時被冷卻至室溫的SiC被膜形成C/C合成物之使用方法,其特徵為:以與形成上述SiC被膜時的加熱溫度為同等或其以上的溫度,使前述冷卻時所產生的SiC被膜的裂痕狀間隙消失,或使該間隙的寬幅比被冷卻至上述室溫時更為縮小來使用。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之主要目的在提供可抑制使用SiC被膜形成C/C合成物时的劣化的SiC被膜形成C/C合成物之使用方法。 本发明之SiC被膜形成C/C合成物之使用方法系借由在C/C合成物基材的表面,在加热下直接形成SiC被膜予以制作,且暂时被冷却至室温的SiC被膜形成C/C合成物之使用方法,其特征为:以与形成上述SiC被膜时的加热温度为同等或其以上的温度,使前述冷却时所产生的SiC被膜的裂痕状间隙消失,或使该间隙的宽幅比被冷却至上述室温时更为缩小来使用。
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公开(公告)号:TW201435159A
公开(公告)日:2014-09-16
申请号:TW103103723
申请日:2014-02-05
Applicant: 東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
Inventor: 篠原正人 , SHINOHARA, MASATO
IPC: C30B25/12 , C30B29/36 , C23C16/458
CPC classification number: C04B41/89 , C04B35/522 , C04B41/00 , C04B41/009 , C04B41/4529 , C04B41/5059 , C04B41/5061 , C04B41/52 , C04B41/53 , C23C16/4581 , C30B29/36 , C30B35/00 , H01L21/683 , H01L21/68757 , Y10T428/24612 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , C04B41/4531 , C04B41/4519 , C04B41/5001 , C04B41/5346 , C04B41/455 , C04B41/5057
Abstract: 本發明係提供一種耐久性優異之碳化矽-碳化鉭複合材。本發明之碳化矽-碳化鉭複合材(1),係具備:表層的至少一部分由第1碳化矽層(12)所構成之本體(10)、碳化鉭層(20)、以及第2碳化矽層(13)。碳化鉭層(20)配置在第1碳化矽層(12)的上方。第2碳化矽層(13)配置在碳化鉭層(20)與第1碳化矽層(12)之間。第2碳化矽層(13)係由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為1.2以上。第2碳化矽層(13)係由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為1.0以上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种耐久性优异之碳化硅-碳化钽复合材。本发明之碳化硅-碳化钽复合材(1),系具备:表层的至少一部分由第1碳化硅层(12)所构成之本体(10)、碳化钽层(20)、以及第2碳化硅层(13)。碳化钽层(20)配置在第1碳化硅层(12)的上方。第2碳化硅层(13)配置在碳化钽层(20)与第1碳化硅层(12)之间。第2碳化硅层(13)系由X射线光电子光谱分析法所测定之C/Si组成比为1.2以上。第2碳化硅层(13)系由拉曼光谱分析法所测定之碳的G能带及D能带之峰值强度比G/D为1.0以上。
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公开(公告)号:TW201004896A
公开(公告)日:2010-02-01
申请号:TW098124383
申请日:2009-07-20
Applicant: 揖斐電股份有限公司
IPC: C04B
CPC classification number: C04B41/4531 , C04B41/009 , C04B41/87 , C04B41/5001 , C04B41/5059 , C04B35/83 , C04B38/00
Abstract: 本發明提供一種陶瓷複合材料。此陶瓷複合材料包含:一基材,包含一碳纖維強化碳複合物;以及一陶瓷塗佈,形成於基材表面上,其中基材表面上形成有多個孔洞,且這些孔洞的內部表面是由陶瓷塗佈所覆蓋。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种陶瓷复合材料。此陶瓷复合材料包含:一基材,包含一碳纤维强化碳复合物;以及一陶瓷涂布,形成于基材表面上,其中基材表面上形成有多个孔洞,且这些孔洞的内部表面是由陶瓷涂布所覆盖。
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公开(公告)号:TW541290B
公开(公告)日:2003-07-11
申请号:TW088118705
申请日:1999-10-28
Applicant: 通用電機股份有限公司
Inventor: 葛瑞格利 柯曼
IPC: C04B
CPC classification number: C04B41/009 , C04B35/573 , C04B41/5096 , C04B41/85 , C23C10/20 , C23C10/44 , C04B41/0072 , C04B41/4515 , C04B41/4523 , C04B41/5064 , C04B41/4539 , C04B41/5059 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581 , C04B38/00
Abstract: 形成一種混合物,其包含至少部分至約10重量%的氮化硼和矽。
使一種含有經濕化或與矽反應的成分之物體與混合物接觸,及用來自於混合物的矽摻入該接觸後的物體。Abstract in simplified Chinese: 形成一种混合物,其包含至少部分至约10重量%的氮化硼和硅。 使一种含有经湿化或与硅反应的成分之物体与混合物接触,及用来自于混合物的硅掺入该接触后的物体。
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公开(公告)号:TW585930B
公开(公告)日:2004-05-01
申请号:TW087114181
申请日:1998-08-27
Applicant: 日本子股份有限公司 NGK INSULATORS, LTD.
IPC: C23C
CPC classification number: C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2111/20 , C23C16/325 , C23C16/56 , Y10T428/2495 , Y10T428/24992 , C04B41/4531 , C04B41/0072 , C04B35/00 , C04B35/565
Abstract: 【目的】提供一種耐蝕性元件,其係由陶瓷基材;與藉由化學氣相沈積法覆蓋基材表面所得到的碳化矽膜所構成,該元件的耐蝕性高,即使施加熱衝擊,亦不會產生碳化矽膜的龜裂。
【解決方法】耐蝕性元件,其特徵在於包括:一直徑至少200mm以上的陶瓷基材;與一碳化矽膜,其至少覆蓋與腐蝕性物質接觸的上述基材表面部分,且為0.5mm以上之化學氣相沈積碳化矽膜所構成。利用化學氣相沈積法之膜形成溫度沈積碳化矽膜步驟之後,再於較上述碳化矽膜形成溫度高50℃以上的溫度下進行加熱處理。Abstract in simplified Chinese: 【目的】提供一种耐蚀性组件,其系由陶瓷基材;与借由化学气相沉积法覆盖基材表面所得到的碳化硅膜所构成,该组件的耐蚀性高,即使施加热冲击,亦不会产生碳化硅膜的龟裂。 【解决方法】耐蚀性组件,其特征在于包括:一直径至少200mm以上的陶瓷基材;与一碳化硅膜,其至少覆盖与腐蚀性物质接触的上述基材表面部分,且为0.5mm以上之化学气相沉积碳化硅膜所构成。利用化学气相沉积法之膜形成温度沉积碳化硅膜步骤之后,再于较上述碳化硅膜形成温度高50℃以上的温度下进行加热处理。
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公开(公告)号:TW473463B
公开(公告)日:2002-01-21
申请号:TW087104829
申请日:1998-03-31
Applicant: 東洋炭素股份有限公司
IPC: C04B
CPC classification number: C04B41/009 , B22D41/32 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2111/00353 , Y10T428/26 , Y10T428/30 , C04B41/0072 , C04B41/4517 , C04B41/4556 , C04B41/48 , C04B41/5001 , C04B41/5058 , C04B41/457 , C04B35/52
Abstract: 由碳基材表面往內部滲入矽與碳化硼,該矽與碳基材之碳相互反應後,形成碳化矽,該碳化矽沿著深層方向呈略微均勻之分散層,使該層二厚度寪含1mm以上之碳化矽之碳層做為表面第1層之碳一碳化矽複合材料者。
Abstract in simplified Chinese: 由碳基材表面往内部渗入硅与碳化硼,该硅与碳基材之碳相互反应后,形成碳化硅,该碳化硅沿着深层方向呈略微均匀之分散层,使该层二厚度寪含1mm以上之碳化硅之碳层做为表面第1层之碳一碳化硅复合材料者。
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公开(公告)号:TW464697B
公开(公告)日:2001-11-21
申请号:TW087117698
申请日:1998-10-26
Applicant: 日本子股份有限公司
IPC: C23C
CPC classification number: C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2111/94 , C23C16/325 , Y02E60/321 , Y10T428/24479 , Y10T428/24942 , C04B41/4531 , C04B35/00 , C04B35/565
Abstract: 【目的】本發明提供一種加熱裝置,其為容納腐蝕性物質且進行加熱之加熱裝置,對於腐蝕性物質具有高耐蝕性質,且可急速地加熱腐蝕性物質,並且,該加熱裝置在加熱腐蝕性物質時,具有良好的熱效率。再者,本發明提供適用於上述加熱裝置之耐蝕性元件及其製法。
【解決方法】加熱裝置具備用以容納上述腐蝕性物質的容器l。容器l包括:一陶瓷構成之基材3,10,其在室溫下之電阻率為5000Ω‧cm以上;一碳化矽薄膜4,11,其至少覆蓋於基材之中暴露於腐蝕性物質的面,且在室溫下之電阻率為20Ω‧cm以上、500Ω‧cm以下,並且上述碳化矽薄膜是利用化學氣相沈積法形成。Abstract in simplified Chinese: 【目的】本发明提供一种加热设备,其为容纳腐蚀性物质且进行加热之加热设备,对于腐蚀性物质具有高耐蚀性质,且可急速地加热腐蚀性物质,并且,该加热设备在加热腐蚀性物质时,具有良好的热效率。再者,本发明提供适用于上述加热设备之耐蚀性组件及其制法。 【解决方法】加热设备具备用以容纳上述腐蚀性物质的容器l。容器l包括:一陶瓷构成之基材3,10,其在室温下之电阻率为5000Ω‧cm以上;一碳化硅薄膜4,11,其至少覆盖于基材之中暴露于腐蚀性物质的面,且在室温下之电阻率为20Ω‧cm以上、500Ω‧cm以下,并且上述碳化硅薄膜是利用化学气相沉积法形成。
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公开(公告)号:TW375598B
公开(公告)日:1999-12-01
申请号:TW087116740
申请日:1998-10-08
Applicant: 日本?子股份有限公司 , 阿克羅斯股份有限公司
IPC: C04B
CPC classification number: F16D69/023 , C04B35/573 , C04B35/806 , C04B41/009 , C04B41/5096 , F16D2200/0047 , Y10T428/249927 , Y10T428/249928 , Y10T428/249929 , Y10T428/24993 , C04B41/4523 , C04B41/4556 , C04B41/5059 , C04B14/386 , C04B30/02
Abstract: 本發明乃揭示一種纖維複合材料,其包括有:一紗線集合物,其中該紗線包括至少一束碳纖維,以及一種除碳纖維外的碳成分,此碳成分乃三度空間合併在一起且完整地形成而未彼此分離;以及一由矽-碳化矽材料構成之基質溝填在插集合物內中彼此鄰近的紗線之間。本發明亦揭示一種製備纖維複合材料的方法,其步驟包括:製造一浸漬有碳粉末成份之碳纖維束,使碳粉末進入該碳纖維束內並且形成基質狀;在該碳纖維束周圍形成一塑膠套,作為一種中間材料;使該中間材料成型為紗線狀,並且將預定量的材料壓平,或者將該定型的產物燒結成燒結產物;使該成型的產物或燒結產物與矽保持在1100~1400℃之惰性氣體環境中;以及將該成型產物或燒結產物由1400℃加熱到2500℃,使浸漬的矽-碳化矽為主的材料可進入成型產物或結產物之孔隙內。
Abstract in simplified Chinese: 本发明乃揭示一种纤维复合材料,其包括有:一纱线集合物,其中该纱线包括至少一束碳纤维,以及一种除碳纤维外的碳成分,此碳成分乃三度空间合并在一起且完整地形成而未彼此分离;以及一由硅-碳化硅材料构成之基质沟填在插集合物内中彼此邻近的纱线之间。本发明亦揭示一种制备纤维复合材料的方法,其步骤包括:制造一浸渍有碳粉末成份之碳纤维束,使碳粉末进入该碳纤维束内并且形成基质状;在该碳纤维束周围形成一塑胶套,作为一种中间材料;使该中间材料成型为纱线状,并且将预定量的材料压平,或者将该定型的产物烧结成烧结产物;使该成型的产物或烧结产物与硅保持在1100~1400℃之惰性气体环境中;以及将该成型产物或烧结产物由1400℃加热到2500℃,使浸渍的硅-碳化硅为主的材料可进入成型产物或结产物之孔隙内。
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公开(公告)号:TW201609538A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:TW104121828
申请日:2015-07-06
Applicant: 維蘇威法國公司 , VESUVIUS FRANCE S. A.
Inventor: 尼古拉斯 珍丹尼斯 , NICOLAS, JEAN-DENIS , 朗庫爾 吉柏特 , RANCOULE, GILBERT , 貝里 克里斯汀 , BERRY, CHRISTIAN
CPC classification number: C04B35/584 , B05D1/18 , B05D3/007 , B05D3/0254 , B21B27/03 , B21B39/008 , B65G39/07 , C03C17/007 , C03C17/22 , C03C17/225 , C03C2217/42 , C04B35/565 , C04B35/597 , C04B35/6263 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/5066 , C04B41/5067 , C04B41/87 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C08K3/34 , C08K3/36 , C08K2003/2227 , C08K2201/011 , C09D1/00 , C09D7/61 , C23C4/10 , C23C24/082 , F16C13/00 , F16C2223/30 , F27B9/2407 , F27D3/026 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/18 , C04B35/185 , C04B41/4539 , C04B41/5035 , C04B41/5031 , C04B41/5027
Abstract: 本申請案係有關應用於輥上之保護性及可磨塗層組成物,且更具體地係有關用於高溫應用之包含可磨塗層之運送機輥、製造此類輥之方法、及其用途。鋁熔體造成之腐蝕係減少,且藉摩擦移除沉積物。輥之壽命從而增加。
Abstract in simplified Chinese: 本申请案系有关应用于辊上之保护性及可磨涂层组成物,且更具体地系有关用于高温应用之包含可磨涂层之运送机辊、制造此类辊之方法、及其用途。铝熔体造成之腐蚀系减少,且藉摩擦移除沉积物。辊之寿命从而增加。
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10.被覆碳化矽之碳基材之製造方法以及被覆碳化矽之碳基材與碳化矽碳複合燒結體、被覆陶瓷之碳化矽碳複合燒結體和碳化矽碳複合燒結體之製造方法 有权
Simplified title: 被覆碳化硅之碳基材之制造方法以及被覆碳化硅之碳基材与碳化硅碳复合烧结体、被覆陶瓷之碳化硅碳复合烧结体和碳化硅碳复合烧结体之制造方法公开(公告)号:TWI477443B
公开(公告)日:2015-03-21
申请号:TW099129624
申请日:2010-09-02
Applicant: 東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
Inventor: 中村正治 , NAKAMURA, MASAHARU , 宮本欽生 , MIYAMOTO, YOSHINARI , 東城哲朗 , TOJO, TETSURO
IPC: C01B31/04 , C01B31/36 , C04B35/528 , C04B35/64
CPC classification number: C04B41/009 , B82Y30/00 , C01B32/956 , C04B35/522 , C04B35/575 , C04B35/62675 , C04B35/62834 , C04B35/62884 , C04B35/62897 , C04B41/5025 , C04B41/87 , C04B2111/00405 , C04B2235/425 , C04B2235/5436 , C04B2235/666 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/781 , C04B2235/96 , C23C14/0635 , Y10T428/265 , Y10T428/2991 , C04B35/565 , C04B41/4578 , C04B41/5059 , C04B41/4531 , C04B41/4529 , C04B41/455
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