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    研磨墊及其製造方法 POLISHING PAD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    2.
    发明专利
    研磨墊及其製造方法 POLISHING PAD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
    研磨垫及其制造方法 POLISHING PAD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

    公开(公告)号：TW201242711A

    公开(公告)日：2012-11-01

    申请号：TW101113248

    申请日：2012-04-13

    申请人： 富士紡控股股份有限公司

    发明人： 糸山光紀 ,  宮澤文雄

    IPC分类号： B24B ,  B24D ,  C08G ,  H01L

    CPC分类号： B24B37/24 ,  B24B37/22 ,  C08G18/10 ,  C08G18/4854 ,  C08G18/7621 ,  C08G2101/0008 ,  C08J9/12 ,  C08J2207/00 ,  C08J2375/04 ,  H01L21/304 ,  C08G18/3814 ,  C08G18/4829

    摘要： 本發明提供一種研磨墊及其製造方法，該研磨墊改善在使用習知的硬質（乾式）研磨墊的情況下產生的劃痕問題，且該研磨墊的研磨速率或研磨均勻性優異，不僅可應對一次研磨，而且亦可應對最後研磨。本發明的半導體器件研磨用研磨墊含有研磨層，該研磨層具有包含大致球狀氣泡的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂發泡體，上述研磨墊的特徵在於：上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂發泡體的M成分的自旋-自旋弛豫時間T2為160μs~260μs，上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂發泡體在40℃、初始負重10g、應變範圍0.01%~4%、測定頻率0.2Hz、拉伸模式下的儲藏彈性模數E'為1MPa~30 MPa，並且上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂發泡體的密度D在0.30g/cm 3 ~0.60g/cm 3 的範圍內。

    简体摘要： 本发明提供一种研磨垫及其制造方法，该研磨垫改善在使用习知的硬质（干式）研磨垫的情况下产生的划痕问题，且该研磨垫的研磨速率或研磨均匀性优异，不仅可应对一次研磨，而且亦可应对最后研磨。本发明的半导体器件研磨用研磨垫含有研磨层，该研磨层具有包含大致球状气泡的聚胺基甲酸酯聚脲树脂发泡体，上述研磨垫的特征在于：上述聚胺基甲酸酯聚脲树脂发泡体的M成分的自旋-自旋弛豫时间T2为160μs~260μs，上述聚胺基甲酸酯聚脲树脂发泡体在40℃、初始负重10g、应变范围0.01%~4%、测定频率0.2Hz、拉伸模式下的储藏弹性模数E'为1MPa~30 MPa，并且上述聚胺基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm 3 ~0.60g/cm 3 的范围内。

    隔熱薄膜及其製造方法
    7.
    发明专利
    隔熱薄膜及其製造方法 审中-公开
    隔热薄膜及其制造方法

    公开(公告)号：TW201520058A

    公开(公告)日：2015-06-01

    申请号：TW103135780

    申请日：2014-10-16

    申请人： 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

    发明人： 加藤邦久 ,  KATO, KUNIHISA ,  武藤豪志 ,  MUTOU, TSUYOSHI

    IPC分类号： B32B5/18 ,  B32B27/28 ,  C08J5/18 ,  C08J9/26

    CPC分类号： B32B5/18 ,  B32B27/08 ,  B32B2307/304 ,  B32B2307/412 ,  B32B2607/00 ,  C08J9/26 ,  C08J2201/046 ,  C08J2205/042 ,  C08J2207/00 ,  C08J2353/00

    摘要： 本發明提供兼具高隔熱性與高透明性的隔熱薄膜及其製造方法，其是於塑膠薄膜上形成有具有多孔結構之聚合物層之隔熱薄膜、以及於塑膠薄膜上形成具有多孔結構之聚合物層之隔熱薄膜的製造方法，其中隔熱薄膜的製造方法包含：(1)在塑膠薄膜上形成嵌段共聚物層之步驟；(2)在此嵌段共聚物層上形成微相分離結構之步驟；及(3)除去形成此微相分離結構之嵌段共聚物層的一方的聚合物相的一部分或全部，形成有具有多孔結構之聚合物層之步驟。

    简体摘要： 本发明提供兼具高隔热性与高透明性的隔热薄膜及其制造方法，其是于塑胶薄膜上形成有具有多孔结构之聚合物层之隔热薄膜、以及于塑胶薄膜上形成具有多孔结构之聚合物层之隔热薄膜的制造方法，其中隔热薄膜的制造方法包含：(1)在塑胶薄膜上形成嵌段共聚物层之步骤；(2)在此嵌段共聚物层上形成微相分离结构之步骤；及(3)除去形成此微相分离结构之嵌段共聚物层的一方的聚合物相的一部分或全部，形成有具有多孔结构之聚合物层之步骤。