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公开(公告)号:TW201543966A
公开(公告)日:2015-11-16
申请号:TW104110562
申请日:2015-03-31
申请人: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人: 倪祺佩洛 安得列 亞歷山卓維克 , NIKIPELOV, ANDREY ALEXANDROVICH , 亞克曼司 喬漢那斯 安東尼司 傑瑞德思 , AKKERMANS, JOHANNES ANTONIUS GERARDUS , 葛里民克 李奧納德斯 雅得安司 傑拉德斯 , GRIMMINCK, LEONARDUS ADRIANUS GERARDUS , 洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 瑞肯 麥可 喬賽夫 瑪堤斯 , RENKENS, MICHAEL JOZEF MATHIJS , 托馬 愛德瑞恩 , TOMA, ADRIAN , 尼恩休斯 漢 冠 , NIENHUYS, HAN-KWANG
CPC分类号: G03F7/70025 , G03F7/70008 , H01F6/04 , H01F7/0273 , H01F7/0278 , H01S3/0903 , H05H7/04 , H05H2007/041
摘要: 一種用於一自由電子雷射之波盪器,其包含用於一電子射束之一管及沿著該管軸向地延伸之一或多個週期性磁性結構。每一週期性磁性結構包含複數個磁體及複數個被動鐵磁性元件,在一軸向方向上延伸之一線中交替地配置該複數個磁體與該複數個被動鐵磁性元件。該複數個磁體中之每一者與該管空間地分離,且該等被動鐵磁性元件中之每一者自一鄰近磁體朝向該管徑向地延伸。可在該等磁體與該管之間提供一間隔元件以提供用於該等磁體之輻射屏蔽及/或提供用於該管之冷卻。
简体摘要: 一种用于一自由电子激光之波荡器,其包含用于一电子射束之一管及沿着该管轴向地延伸之一或多个周期性磁性结构。每一周期性磁性结构包含复数个磁体及复数个被动铁磁性组件,在一轴向方向上延伸之一线中交替地配置该复数个磁体与该复数个被动铁磁性组件。该复数个磁体中之每一者与该管空间地分离,且该等被动铁磁性组件中之每一者自一邻近磁体朝向该管径向地延伸。可在该等磁体与该管之间提供一间隔组件以提供用于该等磁体之辐射屏蔽及/或提供用于该管之冷却。
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公开(公告)号:TW201539151A
公开(公告)日:2015-10-16
申请号:TW104108215
申请日:2015-03-13
申请人: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人: 洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 白尼 凡丁 葉弗真葉米希 , BANINE, VADIM YEVGENYEVICH , 巴璀吉 沛卓思 羅基羅司 , BARTRAIJ, PETRUS RUTGERUS , 東克 瑞佛 路多維哥司 , DONKER, RILPHO LUDOVICUS , 亞克曼司 喬漢那斯 安東尼司 傑瑞德思 , AKKERMANS, JOHANNES ANTONIUS GERARDUS
CPC分类号: G03F7/70008 , G03F7/70025 , G03F7/7005 , G03F7/70208 , G03F7/70808 , H01S3/0903 , H05H7/04
摘要: 本發明係關於一種自由電子雷射。該自由電子雷射包含:一電子源,其可操作以發射一電子射束;一粒子加速器,其可操作以使該電子射束加速至相對論能量;一波盪器,其可操作以沿著一週期性路徑來導引該相對論電子射束以便刺激相干輻射之發射;及一操控單元,其可操作以變更該電子射束之軌跡,以便將該電子射束自該電子射束實質上在一第一方向上傳播所沿著的一第一路徑導向至該電子射束實質上在一第二方向上傳播所沿著的一第二路徑,其中該第一路徑與該第二路徑彼此垂直地分離。
简体摘要: 本发明系关于一种自由电子激光。该自由电子激光包含:一电子源,其可操作以发射一电子射束;一粒子加速器,其可操作以使该电子射束加速至相对论能量;一波荡器,其可操作以沿着一周期性路径来导引该相对论电子射束以便刺激相干辐射之发射;及一操控单元,其可操作以变更该电子射束之轨迹,以便将该电子射束自该电子射束实质上在一第一方向上载播所沿着的一第一路径导向至该电子射束实质上在一第二方向上载播所沿着的一第二路径,其中该第一路径与该第二路径彼此垂直地分离。
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3.使用同步加速器做為超紫外光微影術源之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR USING A SYNCHROTRON AS A SOURCE IN EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY 审中-公开
简体标题: 使用同步加速器做为超紫外光微影术源之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR USING A SYNCHROTRON AS A SOURCE IN EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY公开(公告)号:TW201019372A
公开(公告)日:2010-05-16
申请号:TW098126264
申请日:2009-08-04
申请人: 希諾皮斯股份有限公司
发明人: 梅爾文 勞倫斯三世
CPC分类号: G03B27/42 , G03F7/70008 , G03F7/70425 , G03F7/70558
摘要: 本發明的一個實施例提供有助於使用同步加速器作為超紫外光微影術系統(EUVL)中的源之方法,其中,源的能量隨著時間而降低。EUVL系統包含步進機,步進機使用步進和重複程序或步進和掃描程序,以將圖案從光罩轉移至晶圓上。晶圓需要受到實質上固定的劑量曝照。在操作期間,系統可以測量同步加速器電流,並且,根據同步加速器電流來調整步進機的曝光持續時間或步進機的速度,以使晶圓受到實質上固定的劑量曝照。注意,使用同步加速器電流來控制步進機可致使EUVL系統能夠使晶圓受到實質上固定的劑量曝照,而不需使用額外的設備來監視源的能量。
简体摘要: 本发明的一个实施例提供有助于使用同步加速器作为超紫外光微影术系统(EUVL)中的源之方法,其中,源的能量随着时间而降低。EUVL系统包含步进机,步进机使用步进和重复进程或步进和扫描进程,以将图案从光罩转移至晶圆上。晶圆需要受到实质上固定的剂量曝照。在操作期间,系统可以测量同步加速器电流,并且,根据同步加速器电流来调整步进机的曝光持续时间或步进机的速度,以使晶圆受到实质上固定的剂量曝照。注意,使用同步加速器电流来控制步进机可致使EUVL系统能够使晶圆受到实质上固定的剂量曝照,而不需使用额外的设备来监视源的能量。
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公开(公告)号:TWI605654B
公开(公告)日:2017-11-11
申请号:TW102110646
申请日:2013-03-26
申请人: 極光先進雷射股份有限公司 , GIGAPHOTON INC.
发明人: 川筋康文 , KAWASUJI, YASUFUMI , 星野秀往 , HOSHINO, HIDEO
CPC分类号: H01S3/02 , F16B5/02 , F16B7/18 , F16B41/002 , G03F7/70008 , G03F7/70025 , G03F7/70833 , G03F7/70975 , H01S3/2316 , H05G2/005 , H05G2/008
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公开(公告)号:TWI582410B
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:TW102111736
申请日:2013-04-01
申请人: 克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人: 傑曼南克 伊格N , GERMANENKO, IGOR N. , 席拉契 馬克 , SHIRAKI, MARC , 佛瑞柏格 史帝芬 瑞秋 , FRIBERG, STEPHEN RICHARD
IPC分类号: G01N21/88 , G01N21/95 , G01N21/956 , H01S3/30
CPC分类号: G03F7/7065 , G03F7/70008 , H01S3/0092
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公开(公告)号:TW201614385A
公开(公告)日:2016-04-16
申请号:TW104130160
申请日:2015-09-11
申请人: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人: 高德福萊德 荷曼 菲力普 , GODFRIED, HERMAN PHILIP , 凡 布索 休博特斯 佩特羅斯 里奧納多斯 亨利卡 , VAN BUSSEL, HUBERTUS PETRUS LEONARDUS HENR , 利克 阿利傑 強納森 , RIJKE, ARIJ JONATHAN , 歐普特 羅特 威黑墨斯 派翠克 伊麗莎白 瑪麗亞 , OP'T ROOT, WILHELMUS PATRICK ELISABETH MA
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/70558 , G03F7/20 , G03F7/70008 , G03F7/70058 , G03F7/70358 , G03F7/709
摘要: 一種微影設備,其包含:一輻射系統;一框架;用於固持一基板之一基板台;一掃描機構。該輻射系統可操作以產生一輻射光束。該基板台可移動地安裝至該框架且經配置使得該基板之一目標部分經配置以接收該輻射光束。該掃描機構可操作以相對於該框架來移動該基板台,使得該基板之不同部分可接收該輻射光束。一機構可操作以判定指示該輻射系統相對於該框架之一速度之一數量。一調整機構可操作以控制該輻射光束之一功率或輻照度,以便縮減由該輻射系統與該框架之相對運動引起的由該基板接收之輻射之一劑量之一變化。
简体摘要: 一种微影设备,其包含:一辐射系统;一框架;用于固持一基板之一基板台;一扫描机构。该辐射系统可操作以产生一辐射光束。该基板台可移动地安装至该框架且经配置使得该基板之一目标部分经配置以接收该辐射光束。该扫描机构可操作以相对于该框架来移动该基板台,使得该基板之不同部分可接收该辐射光束。一机构可操作以判定指示该辐射系统相对于该框架之一速度之一数量。一调整机构可操作以控制该辐射光束之一功率或辐照度,以便缩减由该辐射系统与该框架之相对运动引起的由该基板接收之辐射之一剂量之一变化。
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公开(公告)号:TW201520597A
公开(公告)日:2015-06-01
申请号:TW103125669
申请日:2014-07-28
申请人: 卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人: 斯克瓦伯 馬可斯 , SCHWAB, MARKUS
CPC分类号: G02B17/0663 , G02B5/0891 , G03F7/70008 , G03F7/70233 , G21K1/067
摘要: 本發明揭示一種投影光學單元(7),其適用於將物場(4)成像於像場(8)中。複數個反射鏡(M1至M8)適用於將來自物場(4)的成像光(3)引導至像場(8)。反射鏡(M1至M8)之至少兩者經體現為用於成像光(3)之入射角大於60°之掠入射的反射鏡(M2、M3;M5、M6),其在成像光(3)的光束路徑中直接配置在彼此之後。這造成可成像場充分修正的成像光學單元,同時造成較高的成像光通量。
简体摘要: 本发明揭示一种投影光学单元(7),其适用于将物场(4)成像于像场(8)中。复数个反射镜(M1至M8)适用于将来自物场(4)的成像光(3)引导至像场(8)。反射镜(M1至M8)之至少两者经体现为用于成像光(3)之入射角大于60°之掠入射的反射镜(M2、M3;M5、M6),其在成像光(3)的光束路径中直接配置在彼此之后。这造成可成像场充分修正的成像光学单元,同时造成较高的成像光通量。
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公开(公告)号:TWI464780B
公开(公告)日:2014-12-11
申请号:TW098126264
申请日:2009-08-04
申请人: 希諾皮斯股份有限公司 , SYNOPSYS, INC.
IPC分类号: H01L21/027 , H05H13/04
CPC分类号: G03B27/42 , G03F7/70008 , G03F7/70425 , G03F7/70558
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9.輻射系統及微影裝置 RADIATION SYSTEM AND LITHOGRAPHIC APPARATUS 审中-公开
简体标题: 辐射系统及微影设备 RADIATION SYSTEM AND LITHOGRAPHIC APPARATUS公开(公告)号:TW200727089A
公开(公告)日:2007-07-16
申请号:TW095143424
申请日:2006-11-23
发明人: 德克 讓 威爾佛德 昆德拉 KLUNDER, DERK JAN WILFRED , 馬登 馬瑞司 喬漢娜 威賀默思 凡 赫本 VAN HERPEN, MAARTEN MARINUS JOHANNES WILHELMUS
CPC分类号: G03F7/70916 , G03F7/70008
摘要: 本發明揭示一種用於提供一輻射投影束之輻射系統。該輻射系統包括:一遠紫外輻射源,其用於提供遠紫外輻射;及一污染障壁,其包括用於捕集來自該輻射源之污染材料之複數個密集(closely packed)箔板。該污染障壁封閉該遠紫外輻射源。
简体摘要: 本发明揭示一种用于提供一辐射投影束之辐射系统。该辐射系统包括:一远紫外辐射源,其用于提供远紫外辐射;及一污染障壁,其包括用于捕集来自该辐射源之污染材料之复数个密集(closely packed)箔板。该污染障壁封闭该远紫外辐射源。
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公开(公告)号:TW201515523A
公开(公告)日:2015-04-16
申请号:TW103129539
申请日:2014-08-27
发明人: 艾瑟夫 亞歷山大I , ERSHOV, ALEXANDER I.
IPC分类号: H05G2/00
CPC分类号: G03F7/70008 , G03F7/70033 , G03F7/70041 , G03F7/70341 , G03F7/70875
摘要: 溫度補償聚焦系統的裝置及方法,其中該聚焦系統有至少一透射光學元件具有一熱透鏡。該系統添加一反射光學元件,其係具有一熱透鏡與該透射光學元件之該熱透鏡互補使得這兩個組合光學元件的光學特性與溫度實質無關。平衡這兩個光學元件的各個熱透鏡係藉由選擇該反射光學元件的材料,該等材料有基於該透射光學元件之吸收率的正確光學吸收率以及該等熱透鏡的相對強度。也可提供吸收率隨著時間而改變的透射光學元件,此係藉由選擇該反射光學元件之吸收率超過該透射光學元件之吸收率之同時期數值的數值,然後冷卻該反射光學元件以減少彼之熱透鏡的強度,以及提供該反射光學組件隨著時間遞增的溫度。該聚焦系統也可包含用於組合來自多個來源之脈衝的一脈衝組合器。該聚焦系統特別可應用於用以產生供半導體微影技術使用之EUV光的系統。
简体摘要: 温度补偿聚焦系统的设备及方法,其中该聚焦系统有至少一透射光学组件具有一热透镜。该系统添加一反射光学组件,其系具有一热透镜与该透射光学组件之该热透镜互补使得这两个组合光学组件的光学特性与温度实质无关。平衡这两个光学组件的各个热透镜系借由选择该反射光学组件的材料,该等材料有基于该透射光学组件之吸收率的正确光学吸收率以及该等热透镜的相对强度。也可提供吸收率随着时间而改变的透射光学组件,此系借由选择该反射光学组件之吸收率超过该透射光学组件之吸收率之同时期数值的数值,然后冷却该反射光学组件以减少彼之热透镜的强度,以及提供该反射光学组件随着时间递增的温度。该聚焦系统也可包含用于组合来自多个来源之脉冲的一脉冲组合器。该聚焦系统特别可应用于用以产生供半导体微影技术使用之EUV光的系统。
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