公开(公告)号：TWI582416B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW102110984

申请日：2013-03-27

申请人： 克萊譚克公司 ,  KLA-TENCOR CORPORATION

发明人： 蕭宏 ,  XIAO, HONG ,  江錫滿 ,  JIANG, XIMAN

IPC分类号： G01N23/225

CPC分类号： G01N23/2251 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/2804 ,  H01J2237/2817

公开(公告)号：TW201532101A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103138407

申请日：2014-11-05

申请人： 日立全球先端科技股份有限公司 ,  HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION

发明人： 宍戸千繪 ,  SHISHIDO, CHIE ,  山本琢磨 ,  YAMAMOTO, TAKUMA ,  山田慎也 ,  YAMADA, SHINYA ,  田中麻紀 ,  TANAKA, MAKI

IPC分类号： H01J37/28 ,  G01B15/02 ,  G01B15/04

CPC分类号： H01J37/29 ,  G01B15/00 ,  G01B15/04 ,  G01B2210/56 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/2806 ,  H01J2237/281 ,  H01J2237/2815 ,  H01L22/12

摘要： 本發明係為了進行以3D-NAND之開孔步驟為代表之超高縱橫比之孔之開口/非開口之判定、或孔之頂部徑/底部徑之檢查、測量，而設為可檢測孔底所產生之背向散射電子(BSE)，為此，對試料照射以高加速電壓加速之一次電子束，並檢測低角(例如仰角5度以上)之背向散射電子(BSE)，藉此以自孔底釋放且穿透側壁之“穿透BSE”進行孔底觀察。又，利用因若孔較深則穿透距離相對較長、故穿透BSE之量減少而使圖像變暗之特性，賦予孔深度vs亮度之檢量線，而進行孔深度之測量。

简体摘要： 本发明系为了进行以3D-NAND之开孔步骤为代表之超高纵横比之孔之开口/非开口之判定、或孔之顶部径/底部径之检查、测量，而设为可检测孔底所产生之背向散射电子(BSE)，为此，对试料照射以高加速电压加速之一次电子束，并检测低角(例如仰角5度以上)之背向散射电子(BSE)，借此以自孔底释放且穿透侧壁之“穿透BSE”进行孔底观察。又，利用因若孔较深则穿透距离相对较长、故穿透BSE之量减少而使图像变暗之特性，赋予孔深度vs亮度之检量线，而进行孔深度之测量。

公开(公告)号：TW201140725A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：TW100102515

申请日：2011-01-24

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司

发明人： 程 卡琪亞

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L22/14 ,  C23C14/30 ,  C23C14/548 ,  G01N27/00 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/3132 ,  H01L21/02 ,  Y10T29/41

摘要： 提供用於電子束金屬蒸鍍/沈積系統中所利用之金屬塊上之雜質的原位量測及用於增加利用電子束金屬蒸鍍/沈積系統之半導體製造程序之生產良率的系統及方法。監視及使用安置於一電子束金屬蒸鍍/沈積系統之一沈積腔室中的一電極上之一電壓及/或一電流位準來量測該金屬塊的污染。倘若該電壓或電流達到某一位準，則完成該沈積且檢驗該系統的污染。

简体摘要： 提供用于电子束金属蒸镀/沉积系统中所利用之金属块上之杂质的原位量测及用于增加利用电子束金属蒸镀/沉积系统之半导体制造进程之生产良率的系统及方法。监视及使用安置于一电子束金属蒸镀/沉积系统之一沉积腔室中的一电极上之一电压及/或一电流位准来量测该金属块的污染。倘若该电压或电流达到某一位准，则完成该沉积且检验该系统的污染。

公开(公告)号：TW201714198A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105122152

申请日：2016-07-14

申请人： ICT積體電路測試股份有限公司 ,  ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUR HALBLEITERPRUFTECHNIK MBH

发明人： 佛意森 傑根 ,  FROSIEN, JURGEN

IPC分类号： H01J37/10 ,  H01J37/147 ,  H01J37/28

CPC分类号： H01J37/145 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/24485 ,  H01J2237/2449 ,  H01J2237/2817

摘要： 描述用於成像及/或檢查樣品的帶電粒子束裝置。帶電粒子束裝置包括光束發射器，用於發射初級帶電粒子束；以及減速場裝置，用於在撞擊樣品之前減速初級光束，減速場裝置包括磁靜電物鏡與代理電極。帶電粒子束裝置適於沿著光軸將初級光束導引到樣品，以用於產生從樣品釋放的次級粒子與背散射粒子。代理電極包括第一開口與至少一個第二開口，第一開口允許初級光束的透過，而至少一個第二開口用於允許偏軸背散射粒子的透過。此外，描述用於藉由帶電粒子束成像及/或檢查樣品的代理電極與方法。

简体摘要： 描述用于成像及/或检查样品的带电粒子束设备。带电粒子束设备包括光束发射器，用于发射初级带电粒子束；以及减速场设备，用于在撞击样品之前减速初级光束，减速场设备包括磁静电物镜与代理电极。带电粒子束设备适于沿着光轴将初级光束导引到样品，以用于产生从样品释放的次级粒子与背散射粒子。代理电极包括第一开口与至少一个第二开口，第一开口允许初级光束的透过，而至少一个第二开口用于允许偏轴背散射粒子的透过。此外，描述用于借由带电粒子束成像及/或检查样品的代理电极与方法。

公开(公告)号：TW201523761A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW104106920

申请日：2011-01-24

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 程 卡琪亞 ,  CHENG, KEZIA

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N27/00

CPC分类号： H01L22/14 ,  C23C14/30 ,  C23C14/548 ,  G01N27/00 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/3132 ,  H01L21/02 ,  Y10T29/41

摘要： 提供用於電子束金屬蒸鍍/沈積系統中所利用之金屬塊上之雜質的原位量測及用於增加利用電子束金屬蒸鍍/沈積系統之半導體製造程序之生產良率的系統及方法。監視及使用安置於一電子束金屬蒸鍍/沈積系統之一沈積腔室中的一電極上之一電壓及/或一電流位準來量測該金屬塊的污染。倘若該電壓或電流達到某一位準，則完成該沈積且檢驗該系統的污染。

简体摘要： 提供用于电子束金属蒸镀/沉积系统中所利用之金属块上之杂质的原位量测及用于增加利用电子束金属蒸镀/沉积系统之半导体制造进程之生产良率的系统及方法。监视及使用安置于一电子束金属蒸镀/沉积系统之一沉积腔室中的一电极上之一电压及/或一电流位准来量测该金属块的污染。倘若该电压或电流达到某一位准，则完成该沉积且检验该系统的污染。

公开(公告)号：TW201142903A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：TW100118213

申请日：2011-05-25

申请人： 漢民微測科技股份有限公司

发明人： 王義向 ,  汪蘇 ,  劉學東 ,  陳仲瑋

IPC分类号： H01J

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/24465 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/2611 ,  H01J2237/2817

摘要： 本發明主要相關於一種帶電粒子成像系統的偵測單元,特別是相關於一種偵測單元,其一部份可以在成像狀況需要的時候移進或移出偵測系統。藉由Wein過濾器(也稱為ExB帶電粒子分析器; ExB charged particle analyzer)的幫助與可移動的偵測器的設計,本發明提供一種可以同時適用於低電流高解析度模式及高電流高輸出效率(high throughput)模式的立體成像系統(stereo imaging system)。本發明應用於一掃描式電子束檢查系統僅作為一範例,但是要知道的是本發明也可以應用於其他使用電子束來做為觀察工具的系統。

简体摘要： 本发明主要相关于一种带电粒子成像系统的侦测单元,特别是相关于一种侦测单元,其一部份可以在成像状况需要的时候移进或移出侦测系统。借由Wein过滤器(也称为ExB带电粒子分析器; ExB charged particle analyzer)的帮助与可移动的侦测器的设计,本发明提供一种可以同时适用于低电流高分辨率模式及高电流高输出效率(high throughput)模式的三維成像系统(stereo imaging system)。本发明应用于一扫描式电子束检查系统仅作为一范例,但是要知道的是本发明也可以应用于其他使用电子束来做为观察工具的系统。

公开(公告)号：TW392071B

公开(公告)日：2000-06-01

申请号：TW087116575

申请日：1998-10-02

申请人： 日立製作所股份有限公司

发明人： 品田博之 ,  矢島裕介 ,  村越久彌 ,  長谷川正樹 ,  野副真理 ,  高藤敦子 ,  杉山勝也

IPC分类号： G01N

CPC分类号： H01J37/26 ,  G01N23/225 ,  H01J37/244 ,  H01J37/29 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/2447 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/24485 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2482

摘要： 具有固定面積之電子束(區域束)照射於半導體樣品之表面上，並且從樣品表面反射出之電子藉由成像透鏡而成像，並且獲得半導體樣品表面之多數個區域的影像而且儲存於影像儲存單元中，並相互比較該多數個區域的儲存影像，並測量區域中缺陷及缺陷位置之存在。藉此，在利用電子束檢測半導體製造程序中晶圓上相同設計、外部基底及殘餘的圖型缺陷之半導體設備中，可以使檢測速度提高。

简体摘要： 具有固定面积之电子束(区域束)照射于半导体样品之表面上，并且从样品表面反射出之电子借由成像透镜而成像，并且获得半导体样品表面之多数个区域的影像而且存储于影像存储单元中，并相互比较该多数个区域的存储影像，并测量区域中缺陷及缺陷位置之存在。借此，在利用电子束检测半导体制造进程中晶圆上相同设计、外部基底及残余的图型缺陷之半导体设备中，可以使检测速度提高。

公开(公告)号：TW201734439A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105144315

申请日：2016-12-30

申请人： 克萊譚克公司 ,  KLA-TENCOR CORPORATION

发明人： 畢海斯卡 克里斯 ,  BHASKAR, KRIS ,  陳 葛瑞斯 淑玲 ,  CHEN, GRACE HSIU-LING ,  威爾斯 凱斯 ,  WELLS, KEITH ,  麥克馬連 維尼 ,  MCMILLAN, WAYNE ,  張晶 ,  ZHANG, JING ,  楊 史考特 ,  YOUNG, SCOTT ,  杜菲 布萊恩 ,  DUFFY, BRIAN

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01N23/225 ,  H01J37/06 ,  H01J37/22 ,  H01J37/28

CPC分类号： H01J37/222 ,  G01N21/9501 ,  G01N23/2251 ,  G01N2201/12 ,  G01N2223/304 ,  G01N2223/401 ,  G01N2223/418 ,  G01N2223/6116 ,  G01N2223/646 ,  G03F7/7065 ,  H01J37/06 ,  H01J37/226 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/2817 ,  H01L22/20

摘要： 本發明提供混合檢查器。一種系統包含(若干)電腦子系統，其等經組態以接收針對一樣品產生之基於光學之輸出及基於電子束之輸出。該(等)電腦子系統包含一或多個虛擬系統，其等經組態以使用針對該樣品產生之該基於光學之輸出及該基於電子束之輸出之至少一些執行一或多項功能。該系統亦包含由該(等)電腦子系統執行之一或多個組件，其等包含經組態以針對該樣品執行一或多個模擬之一或多個模型。該(等)電腦子系統經組態以基於該基於光學之輸出、該基於電子束之輸出、該一或多項功能之結果及該一或多個模擬之結果之至少兩者偵測該樣品上之缺陷。

简体摘要： 本发明提供混合检查器。一种系统包含(若干)电脑子系统，其等经组态以接收针对一样品产生之基于光学之输出及基于电子束之输出。该(等)电脑子系统包含一或多个虚拟系统，其等经组态以使用针对该样品产生之该基于光学之输出及该基于电子束之输出之至少一些运行一或多项功能。该系统亦包含由该(等)电脑子系统运行之一或多个组件，其等包含经组态以针对该样品运行一或多个仿真之一或多个模型。该(等)电脑子系统经组态以基于该基于光学之输出、该基于电子束之输出、该一或多项功能之结果及该一或多个仿真之结果之至少两者侦测该样品上之缺陷。

公开(公告)号：TW201721699A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105129216

申请日：2016-09-09

申请人： 克萊譚克公司 ,  KLA-TENCOR CORPORATION

发明人： 馬可爾德 馬克 A ,  MCCORD, MARK A. ,  西蒙 理查 R ,  SIMMONS, RICHARD R. ,  馬薩納海提 道格拉斯 K ,  MASNAGHETTI, DOUGLAS K. ,  克尼普梅耶 瑞尼爾 ,  KNIPPELMEYER, RAINER

IPC分类号： H01J37/04 ,  H01J37/09 ,  H01J37/22 ,  H01J37/244

CPC分类号： H01J37/045 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/2448

摘要： 本發明揭示多波束掃描電子顯微鏡檢測系統。一多波束掃描電子顯微鏡檢測系統可包含一電子源及一小波束控制機構。該小波束控制機構可經組態以利用由該電子源提供之電子而產生複數個小波束且在一時刻遞送該複數個小波束之一者朝向一目標。該多波束掃描電子顯微鏡檢測系統亦可包含一偵測器，其經組態以至少部分基於背散射出該目標之電子而產生該目標之一影像。

简体摘要： 本发明揭示多波束扫描电子显微镜检测系统。一多波束扫描电子显微镜检测系统可包含一电子源及一小波束控制机构。该小波束控制机构可经组态以利用由该电子源提供之电子而产生复数个小波束且在一时刻递送该复数个小波束之一者朝向一目标。该多波束扫描电子显微镜检测系统亦可包含一侦测器，其经组态以至少部分基于背散射出该目标之电子而产生该目标之一影像。

公开(公告)号：TW201633357A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW105103590

申请日：2016-02-03

申请人： 克萊譚克公司 ,  KLA-TENCOR CORPORATION

发明人： 史庫茲 威廉G ,  SCHULTZ, WILLIAM G. ,  德爾加多 吉爾達多 ,  DELGADO, GILDARDO ,  羅絲 傑瑞A ,  ROSE, GARRY A.

IPC分类号： H01J37/28

CPC分类号： H01J37/28 ,  G03F1/62 ,  G03F1/86 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/2445 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/2449 ,  H01J2237/2817

摘要： 本發明揭示一種用於經由一保護薄膜使一樣本成像之系統。該系統包含經組態以產生一電子束之一電子束源及經組態以固定一樣本與一薄膜之一樣本載物台，其中該薄膜被安置在該樣本上方。該系統亦包含一電子-光學柱，該電子-光學柱包含一組電子-光學元件以將該電子束之至少一部分引導穿過該薄膜且至該樣本之一部分上。另外，該系統包含一偵測器總成，該偵測器總成被定位在該薄膜上方且經組態以偵測從該樣本之表面放射之電子。

简体摘要： 本发明揭示一种用于经由一保护薄膜使一样本成像之系统。该系统包含经组态以产生一电子束之一电子束源及经组态以固定一样本与一薄膜之一样本载物台，其中该薄膜被安置在该样本上方。该系统亦包含一电子-光学柱，该电子-光学柱包含一组电子-光学组件以将该电子束之至少一部分引导穿过该薄膜且至该样本之一部分上。另外，该系统包含一侦测器总成，该侦测器总成被定位在该薄膜上方且经组态以侦测从该样本之表面放射之电子。