公开(公告)号：TW347564B

公开(公告)日：1998-12-11

申请号：TW086102204

申请日：1997-02-24

Applicant: 華邦電子股份有限公司

Inventor： 王琳松

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76221

Abstract: 一種掩埋Ｎ型區氧化物的製作方法，用於記憶單元的製程中，適用在進行自動對準MOS元件蝕刻之前，於掩埋Ｎ型區上形成氧化物，包括下列步驟：(1)在掩埋Ｎ型區上植入高濃度雜質；(2)對晶片進行退火；及(3)先對晶片進行乾氧化的步驟，再進行一溼氧化的步驟，藉以改善掩埋Ｎ型區氧化物的均勻性，而可避免在進行自動對準MOS元件蝕刻時，掩埋Ｎ型區氧化物因厚度不均，而在其邊緣處會被打穿。

Abstract in simplified Chinese: 一种掩埋Ｎ型区氧化物的制作方法，用于记忆单元的制程中，适用在进行自动对准MOS组件蚀刻之前，于掩埋Ｎ型区上形成氧化物，包括下列步骤：(1)在掩埋Ｎ型区上植入高浓度杂质；(2)对芯片进行退火；及(3)先对芯片进行干氧化的步骤，再进行一湿氧化的步骤，借以改善掩埋Ｎ型区氧化物的均匀性，而可避免在进行自动对准MOS组件蚀刻时，掩埋Ｎ型区氧化物因厚度不均，而在其边缘处会被打穿。

公开(公告)号：TW508825B

公开(公告)日：2002-11-01

申请号：TW090110505

申请日：2001-05-02

Applicant: 夏普股份有限公司

Inventor： 森本 英德 ,  亞伯德 O 亞丹

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66613 ,  H01L21/76221 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7835

Abstract: 一種半導體裝置含有一個隔著一閘絕緣膜形成於半導體基體上之閘電極及一形成於該半導體基體上且其表面有一矽化膜之源極/汲極區，其中該源極/汲極區有一其表面有一部分或全部傾斜之輕度摻雜汲極(LDD)區且在閘電極下方高出半導體基體表面處有一在半導體基體與源極/汲極區矽化膜間之介面。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备含有一个隔着一闸绝缘膜形成于半导体基体上之闸电极及一形成于该半导体基体上且其表面有一硅化膜之源极/汲极区，其中该源极/汲极区有一其表面有一部分或全部倾斜之轻度掺杂汲极(LDD)区且在闸电极下方高出半导体基体表面处有一在半导体基体与源极/汲极区硅化膜间之界面。

公开(公告)号：TW393724B

公开(公告)日：2000-06-11

申请号：TW087115640

申请日：1998-09-19

Applicant: 聯華電子股份有限公司

Inventor： 高境鴻 ,  黃修文

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76221 ,  H01L21/7621

Abstract: 一種淺溝渠隔離結構之製造方法。此方法將黏著層的厚度加大，如此可解決因熱膨脹所造成的應力問題。再來因為淺溝渠隔離是利用熱氧化法所形成的，結構較緻密，所以用氫氟酸溶液來移除墊氧化層時，其蝕刻速率比會差不多，則不會有因過蝕刻而使邊緣產生凹洞的問題。另外因為不用化學機械研磨法來進行平坦化製程，所以氧化插塞的表面也不會有微小刮痕出現。

Abstract in simplified Chinese: 一种浅沟渠隔离结构之制造方法。此方法将黏着层的厚度加大，如此可解决因热膨胀所造成的应力问题。再来因为浅沟渠隔离是利用热氧化法所形成的，结构较致密，所以用氢氟酸溶液来移除垫氧化层时，其蚀刻速率比会差不多，则不会有因过蚀刻而使边缘产生凹洞的问题。另外因为不用化学机械研磨法来进行平坦化制程，所以氧化插塞的表面也不会有微小刮痕出现。

公开(公告)号：TWI511297B

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW103104525

申请日：2014-02-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳忠賢 ,  CHEN, CHUNG HSIEN ,  李東穎 ,  LEE, TUNG YING ,  黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76221 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/324 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW418482B

公开(公告)日：2001-01-11

申请号：TW086105022

申请日：1997-04-18

Applicant: 現代電子產業股份有限公司

Inventor： 張世億 ,  宋泰稙 ,  金榮福 ,  趙炳珍 ,  金鍾哲

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/32 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/7621 ,  H01L21/76221

Abstract: 一種形成半導體裝置之一元件隔離膜之方法，其可達成佈局之減小與鳥喙現象發生率之減小，以便容易進行後續製程以製造高度積體之半導體裝置。該方法包括步驟：於該半導體基片上依序形成一襯底氧化物膜與一第一氮化物膜；藉由使用一元件隔離光罩來過蝕刻該第一氮化物膜與該襯底氧化物膜，藉以於該半導體基片內形成一第一孔；藉由使用一蝕刻溶液來清潔該所獲結構之整圓上表面；於該選擇性蝕刻之第一氮化物膜與襯底氧化物膜及該第一孔之側壁上形成第二氮化物膜隔層；藉由使用該第一氮化物膜與第二氮化物膜隔層作為一光罩而於該半導體基片之該第一孔內形成一第二孔；熱氧化該第二孔之表面，藉以形成一熱氧化物膜；及去除該第一氮化物膜、襯底氧化物膜及第二氮化物膜隔層，藉此形成一元件隔離膜。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成半导体设备之一组件隔离膜之方法，其可达成布局之减小与鸟喙现象发生率之减小，以便容易进行后续制程以制造高度积体之半导体设备。该方法包括步骤：于该半导体基片上依序形成一衬底氧化物膜与一第一氮化物膜；借由使用一组件隔离光罩来过蚀刻该第一氮化物膜与该衬底氧化物膜，借以于该半导体基片内形成一第一孔；借由使用一蚀刻溶液来清洁该所获结构之整圆上表面；于该选择性蚀刻之第一氮化物膜与衬底氧化物膜及该第一孔之侧壁上形成第二氮化物膜隔层；借由使用该第一氮化物膜与第二氮化物膜隔层作为一光罩而于该半导体基片之该第一孔内形成一第二孔；热氧化该第二孔之表面，借以形成一热氧化物膜；及去除该第一氮化物膜、衬底氧化物膜及第二氮化物膜隔层，借此形成一组件隔离膜。

公开(公告)号：TW312039B

公开(公告)日：1997-08-01

申请号：TW085113365

申请日：1996-11-02

Applicant: 現代電子產業股份有限公司

Inventor： 金榮福 ,  金鍾哲 ,  趙炳珍 ,  權成九

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/32 ,  H01L21/76221

Abstract: 一種隔離半導體裝置元件之方法，其中鳥嘴(bird's beak)可藉由介於墊片(pad)氧化物膜與矽基材之間氮原子之蓄積而加以抑制，並且矽基材之蝕刻深度可利用溼蝕刻除去氧化物而予以控制，該氧化物係氮化物隔離層(spacer)形成後在低溫下成長於矽基材上。經由上述控制，可產生出良好外形(profile)的場氧化膜(field oxde film)。

Abstract in simplified Chinese: 一种隔离半导体设备组件之方法，其中鸟嘴(bird's beak)可借由介于垫片(pad)氧化物膜与硅基材之间氮原子之蓄积而加以抑制，并且硅基材之蚀刻深度可利用湿蚀刻除去氧化物而予以控制，该氧化物系氮化物隔离层(spacer)形成后在低温下成长于硅基材上。经由上述控制，可产生出良好外形(profile)的场氧化膜(field oxde film)。

公开(公告)号：TW282581B

公开(公告)日：1996-08-01

申请号：TW084103905

申请日：1995-04-20

Applicant: 英特公司

Inventor： 丹尼.N.譚 ,  東–成翁

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/7621 ,  H01L21/76216 ,  H01L21/76221 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11521

Abstract: 本發明係一種形成一在各擴散線之間具有改良式隔離的記憶裝置之方法。首先在一基底上生長若干平行且分開的厚氧化條狀物。然後形成若干具有一聚合矽及氮化物層的分開且平行之條狀物，這些條狀物之方位係垂直於該等第一條狀物。去掉介於各第二條狀物間之氧化物，然後施行離子植入，而形成源極及吸極區。在介於兩吸極擴散區間的那些第二條狀物上，去掉該等第二條狀物上之氮化物層，並執行氧化，而形成源極及吸極區上的自動對準之厚氧化物。亦氧化已去掉氮化物的那些條狀物，因而提供各相鄰吸極線間之隔離。於形成浮動閘極記憶裝置時，沉積一第二聚合矽層，並沿著一個方向在該第二聚合矽層上產生圖樣，而形成在該等第二條狀物之上的若干條狀物。在沉積一整合式介質及第三聚合矽層之後，又執行一圖樣產生步驟，以便形成若干垂直於該等第二條狀物及該第二聚合矽層之條狀物，並執行蝕刻，以便蝕刻並未被該圖樣層所覆蓋的第三聚合矽層、整合式介質、第二聚合矽層、及第一聚合矽層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种形成一在各扩散线之间具有改良式隔离的记忆设备之方法。首先在一基底上生长若干平行且分开的厚氧化条状物。然后形成若干具有一聚合硅及氮化物层的分开且平行之条状物，这些条状物之方位系垂直于该等第一条状物。去掉介于各第二条状物间之氧化物，然后施行离子植入，而形成源极及吸极区。在介于两吸极扩散区间的那些第二条状物上，去掉该等第二条状物上之氮化物层，并运行氧化，而形成源极及吸极区上的自动对准之厚氧化物。亦氧化已去掉氮化物的那些条状物，因而提供各相邻吸极线间之隔离。于形成浮动闸极记忆设备时，沉积一第二聚合硅层，并沿着一个方向在该第二聚合硅层上产生图样，而形成在该等第二条状物之上的若干条状物。在沉积一集成式介质及第三聚合硅层之后，又运行一图样产生步骤，以便形成若干垂直于该等第二条状物及该第二聚合硅层之条状物，并运行蚀刻，以便蚀刻并未被该图样层所覆盖的第三聚合硅层、集成式介质、第二聚合硅层、及第一聚合硅层。

公开(公告)号：TW201448219A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103104525

申请日：2014-02-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳忠賢 ,  CHEN, CHUNG HSIEN ,  李東穎 ,  LEE, TUNG YING ,  黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76221 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/324 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

Abstract: 一種半導體裝置的鰭結構，包括：一下部分，凸出於一基底之一主表面，其中下部分包括一具有第一晶格常數之第一半導體材料；一上部分，與下部分具有一界面，其中上部分包括一具有第二晶格常數之第二半導體材料，且第二晶格常數與第一晶格常數不同；一第一對凹痕，低於界面且延伸至下部分之相對側，其中各第一凹痕具有一第一寬度；一第二對凹痕，延伸至界面之相對側，其中各第二凹痕具有一第二寬度，且第二寬度大於第一寬度。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备的鳍结构，包括：一下部分，凸出于一基底之一主表面，其中下部分包括一具有第一晶格常数之第一半导体材料；一上部分，与下部分具有一界面，其中上部分包括一具有第二晶格常数之第二半导体材料，且第二晶格常数与第一晶格常数不同；一第一对凹痕，低于界面且延伸至下部分之相对侧，其中各第一凹痕具有一第一宽度；一第二对凹痕，延伸至界面之相对侧，其中各第二凹痕具有一第二宽度，且第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：TW362259B

公开(公告)日：1999-06-21

申请号：TW087105401

申请日：1998-04-10

Applicant: 現代電子產業股份有限公司

Inventor： 呂寅碩 ,  金榮福 ,  金鐘哲 ,  張世億

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76221

Abstract: 一種形成半導體裝置之元件隔絕膜的方法，與該半導體裝置。在半導體基板上建構襯墊絕緣體。當給與襯墊絕緣體佈局圖案的同時，進行過度蝕刻過程，以使半導體基板凹陷至預定的深度。在襯墊絕緣體佈局圖案的側壁形成絕緣體間隔物之後，熱氧化半導體基板的暴露區域，以長出氧化物，然後再移除此氧化物以形成一凹陷處。以突破式場氧化與高溫場氧化，在凹陷處形成元件隔絕膜。如此所得到的元件隔絕膜可避免場氧化物「不長」的現象，並且同時緩和場氧化物變薄的效應，也改進了閘氧化物的性質。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成半导体设备之组件隔绝膜的方法，与该半导体设备。在半导体基板上建构衬垫绝缘体。当给与衬垫绝缘体布局图案的同时，进行过度蚀刻过程，以使半导体基板凹陷至预定的深度。在衬垫绝缘体布局图案的侧壁形成绝缘体间隔物之后，热氧化半导体基板的暴露区域，以长出氧化物，然后再移除此氧化物以形成一凹陷处。以突破式场氧化与高温场氧化，在凹陷处形成组件隔绝膜。如此所得到的组件隔绝膜可避免场氧化物“不长”的现象，并且同时缓和场氧化物变薄的效应，也改进了闸氧化物的性质。

公开(公告)号：TW353215B

公开(公告)日：1999-02-21

申请号：TW085110215

申请日：1996-08-21

Applicant: 英特爾公司

Inventor： 大衛T.柯克

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76235 ,  H01L21/76221 ,  H01L21/76232 ,  Y10S148/05

Abstract: 一種形成壕溝隔離區域之方法。本發明之方法係包括以下步驟，在半導體基材上形成開口，第一次氧化此開口，然後使用包含HF之濕蝕刻劑蝕刻已氧化之開口。接著第二次氧化此開口。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成壕沟隔离区域之方法。本发明之方法系包括以下步骤，在半导体基材上形成开口，第一次氧化此开口，然后使用包含HF之湿蚀刻剂蚀刻已氧化之开口。接着第二次氧化此开口。